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关于 存储芯片 的消息

受存储芯片涨价影响,手机厂商或暂不推出24GB+1TB中高端机型

近年来,多家手机厂商尝试推出24GB+1TB存储组合的手机,除了旗舰机型之外,也不乏有一加 Ace 2 Pro这样的中高端性价比机型。对于有重度存储需求的用户来说,大容量的存储组合确实能够带来较好的使用体验。不过,自去年年底,TrendForce的统计数据就预计2024第一季度年移动DRAM及NAND闪存(eMMC/UFS)均会出现涨价,且涨幅将达到18~23%。近日,这个信息再度得到了知情人士的确认。

江波龙官宣首颗自研2D MLC NAND闪存:构建完整的存储芯片垂直整合能力

江波龙宣布,继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产后,首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日问世。其采用了BGA132封装,支持Toggle DDR模式,数据访问带宽可达400MB/s,有望应用于eMMC、SSD等产品上,为江波龙存储产品组合带来更多可能性。

三星公布2023年第三季度财报:业绩有所改善,预计存储芯片市场迎来复苏

三星今天公布了2023年第三季度财报,显示营收为67.40万亿韩元(约合人民币3646.34亿元),低于去年同期为76.78万亿韩元,以及低于市场预期的67.62万亿韩元,同比下降12.22%,不过高于上一个季度的60.01万亿韩元,环比增加12.31%。

三星发布2023Q1财报预警:利润同比下降95.8%,将降低存储芯片产量

在过去的几个月里,全球各地都受到了经济增长放缓、市场需求下降、半导体产能过剩及库存过高等因素影响,多家半导体企业都曾发布过季度财报的预警,这意味着在过去的一个季度中,营收方面低于预期,出现了较大的问题。

韩国希望提高非存储芯片领域的竞争力,以三星牵头扶持相关企业

韩国贸易、工业和能源部宣布,在2035年前将帮助至少10家无晶圆厂公司达到一万亿韩元(约合人民币52.5亿元 / 7.53亿美元)的销售额,并协助三星电子生产人工智能和汽车芯片,以便提升韩国在非存储芯片领域的竞争力。根据统计数据,该领域占据了全球半导体市场60%的份额,而韩国仅占有其中的3%。

三星和SK海力士加快3D DRAM商业化进程,全新结构存储芯片将打破原有模式

三星和SK海力士是存储器领域的领导者,位列行业前两名,传闻两家巨头都在加快3D DRAM商业化进程,以改变存储器行业的游戏规则。其实DRAM行业里排名第三的美光,自2019年以来就开始了3D DRAM的研究,获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍。

iPhone或增加存储芯片供应商,长江存储将进入苹果供应链

铠侠(Kioxia)和SK海力士(SK Hynix)是iPhone系列存储芯片的主要供应商,苹果每年从这两家企业采购大量存储芯片,以满足iPhone系列的需求。近期有消息指,苹果正在寻求增加iPhone存储芯片供应商。

由于市场需求低迷,DRAM和SSD价格或将崩盘

Digitimes日前发布了一篇关于DRAM以及SSD芯片的新报道,指出三星等知名品牌目前拥有着非常大量的DRAM以及NAND库存,这些主要的芯片厂商积压了多达四个月的DRAM和NAND库存。受此市场需求降低的影响,相关市场长期都没能够降下来的产品可能会面临崩盘。

紫光在广州建设第四个存储芯片基地:投资1000亿

内存及闪存在内的存储芯片去年进口额超过千亿美元,占了全部集成电路进口额的三分之一,国内市场供应几乎100%依赖进口。为了解决这个问题,存储芯片是国内近年来优先发展的产业之一,很多人都知道紫光旗下的长江存储,一直在说今年量产3D NAND闪存。实际上武汉只是紫光集团存储芯片布局的地方之一,在成都、南京也有巨额投资。昨天在广州的投资年会上,紫光集团宣布在广州打造紫光南方总部,签署了紫光广州存储系列项目合作框架协议,据悉项目投资1000亿,将在广州建设2座晶圆厂。

传美光将与福建晋华解决专利纠纷,国产内存还有一线转机

在高科技领域中,美国公司依然是全球技术水平最高的,特别是在半导体领域,TOP10半导体厂商中尚无中国大陆公司入围,大部分都是美国英特尔、美光、高通这样的公司。在存储芯片领域,福建晋华斥资370亿元建设国内最大的DRAM晶圆厂,合作方联电也因为挖人等问题跟美光产生了纠纷,导致晋华去年被美国商务部、司法部连续出招制裁,理由是威胁到了美国国家安全,致使晋华公司生产线停摆。这件事或许会以另外一种方式解决,中美贸易谈判中科技封锁也成为一个议题,传闻称美光将与晋华解决专利纠纷。一旦解决了美国的封锁及专利纠纷,国产内存芯片行业或许就迎来新的发展机会。

SK Hynix千亿美元投资建存储芯片工厂:保持对中国领先

去年Q4季度开始,连涨了两年多的DRAM内存芯片也开始跌价了,再加上一直在降价的NAND闪存,导致SK Hynix公司2018年Q4季度运营利润环比下跌32%,净利润也环比跌了28%,不过内存及闪存芯片依然是全球半导体芯片市场中产值最大的,韩国厂商占据了全球过半份额,并不会因为降价周期就停止投资。SK Hynix公司未来还会再投资55万亿韩元(约合490亿美元)建造两座存储芯片工厂,加上近年来落成的两座晶圆厂,10年内投资高达1070亿美元,目的是为了保持对中国厂商的领先,不久后中国厂商也会加入到内存及闪存行业的激烈竞争中来。

SK Hynix开建第七座芯片工厂:投资15万亿韩元,EUV光刻工艺

随着NAND闪存及DRAM内存不断降价,2019年存储芯片市场将迎来一轮熊市。为了应对降价导致的损失,三星、SK Hynix及美光都计划削减资本支出,不过削减并不意味着他们不再建设芯片工厂了,就在本周三SK Hynix正式开工建设第七座半导体芯片工厂M16,总投资不低于15万亿韩元(约133亿美元),虽然还没确定最终生产DRAM内存还是NAND闪存芯片,但是这座晶圆厂将会用上最先进的EUV光刻工艺。

韩媒:韩国公司已占全球DRAM内存芯片市场份额的75%

半导体产业是目前国内正在大力发展的行业,尽管中国市场消耗了全球三分之一还多的半导体芯片,不过大多数依赖进口,其中DRAM内存及NAND闪存芯片几乎100%来自进口。在存储芯片领域,美国、日本等半导体强国也比不上韩国,三星及SK Hynix在DRAM、NAND领域占据了重要地位,特别是在DRAM内存芯片中,韩国媒体报道称在Q3季度,韩国公司已经占到了全球DRAM市场的75%份额。

晋华公司否认窃取其他公司技术行为,坚定走自主研发路线

美光与晋华、联电之间的专利侵权事件已经引发了大陆、台湾及美国三方面的震动,特别是美国政府用行政力量介入事件之后,这已经不是一起简单的商业泄密案件了。针对美光及美国司法部提出的商业窃密指控,联电方面此前已经否认侵权,并联系律师团队全力应对,中国福建晋华集成电路有限公司也发表声明称坚定走自主研发路线,否认存在窃取其他公司技术的行为,指责美光用各种手段破坏晋华公司发展,要求立即停止错误做法。

Q3季度三星内存、闪存芯片贡献的利润再创纪录,但明年要降了 ...

三星的智能手机业务这两年一直在下滑,特别是Note 7爆炸事件之后,不过三星的NAND闪存、DRAM内存等存储芯片业务刚好在2016下半年开始爆发,所以这两年来三星电子的业绩并没有受到智能手机的拖累,在内存、闪存涨价的影响下接连创造纪录。今年闪存已经在降价,不过内存价格还没有降下来,三星前两个季度的盈利还在涨,今天发布的Q3季度财报中三星当季运营利润达到了17.57万亿韩元,约合155亿美元,同比大涨21%,创造了新的记录,其中13.65万亿韩元都是半导体业务贡献的,手机业务只贡献了2.2万亿韩元,占比持续减少。不过三星也发出预警了,Q4季度盈利就不会这么好看了,明年Q1季度内存需求也会放缓,到Q2季度才会稳定下来。

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