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关于 封装工艺 的消息

台积电发布最新CoWoS封装工艺:最大芯片面积可达原版的两倍

上周台积电和博通联手公布了最新强化版的CoWoS封装工艺,强化版CoWoS能够支持最大面积为1700mm2的中介层,这也就意味着它能够封装出更大面积的芯片来,在多芯片上互联渐成趋势的现在,更大面积意味着更高的性能上限。

三星发表业界首个12层3D-TSV芯片封装工艺:帮助满足大容量HBM需求

北京时间今天上午,三星电子宣布他们成功研发了新的12层3D-TSV芯片封装工艺,这是业界首个将3D TSV封装推进到12层的工艺,而此前最大仅为8层。

摩尔定律依旧活得很好:台积电称先进封装和堆叠技术可延续芯片性能的提升

在过去的较长的一段时间里,逻辑芯片的晶体管数目一直迅速增长,但制造工艺难度也随之大幅度提升,成本也越来越高。所以无论是拥有自有晶圆厂的英特尔还是像台积电这样的芯片代工厂都在寻求延续摩尔定律。不久前的一次会议中英特尔称摩尔定律并还将延续,而近日台积电也在官方博客中也称,摩尔定律没有死亡。

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