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关于 武汉新芯 的消息

明后两年全球晶圆产能将极速增涨,主要增长点来自于存储芯片

我们处在一个信息爆炸的时代,而信息的产生与传播离不开基本的硬件载体,根据市场调研机构IC Insights最新研究报告指出,2020年全球将有10座新的12寸晶圆厂进入量产阶段,全球晶圆产能将新增1790万片8寸约当晶圆,2021年新增产能将创历史新高达2080万片8寸约当晶圆。新增产能主要来自于韩国大厂三星及SK海力士,以及长江储存、武汉新芯、华虹宏力等我国大陆半导体厂。

紫光再投18亿美元建设二期工厂,打造中国物联网芯片领导企业 ...

紫光旗下的长江存储正在武汉建设国内最大的存储芯片基地,项目投资高达240亿美元,今年底量产32层堆栈的64Gb核心容量3D NAND闪存,明年量产64层堆栈的128Gb核心闪存,还在研发128层堆栈的256Gb闪存。日前紫光集团又宣布了新的投资计划,将在武汉建设二期工厂,投资17.8亿美元,主要生产NOR闪存、微控及特种工艺,计划5年时间建成中国物联网芯片领导型企业。

国产存储芯片小步快跑,2018年就能量产48层堆栈3D NAND闪存

中国发展自己的半导体产业已经不是秘密,中央及地方政府为了扶植国产公司,不惜投入巨资建设晶圆厂。除了外来的Intel、三星之外,新芯科技(XMC)已经在武汉开工建设12寸晶圆厂,计划耗资240亿美元,主要生产存储芯片,初期是NAND及3D NAND闪存。虽然三星、东芝等公司在3D闪存上已经领跑,但国内公司追赶的很快,预计2018年就能量产48层堆栈的3D闪存。

国产内存公司将募集240亿美元,押注DRAM、3D NAND及NOR闪存

在微处理器市场之外,国产芯片厂商下一个目标就是进军DRAM内存产业了,本土DRAM公司已经确定落户武汉,这家公司不仅会有国内大基金的投资,中芯国际、湖北基金及其他投资公司也会投资,计划募集资金高达240亿美元,未来也不是只产DRAM内存,3D NAND闪存及NOR闪存都是国产内存公司的重要目标。

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