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关于 生产 的消息

三星将增加美国德州晶圆厂的投资:提高至440亿美元,扩大生产线和研发业务

2022年5月,三星宣布在美国德克萨斯州泰勒市新建晶圆厂,投资额为170亿美元,不过随着设备的采购,投资额上涨到250亿美元。三星在美国奥斯汀原有的晶圆厂只推进到14nm制程节点,这次加入EUV光刻设备以后,将推进至5nm制程节点,预计2024年开始运营。

台积电确定未来5年先进制程生产计划,决定再增2nm工厂

此前有报道称,台积电(TSMC)在中国台湾的北部(新竹宝山)、中部(台中中科)和南部(高雄楠梓)都有重大投资,兴建2nm工厂。其中新竹科技园宝山用地二期会兴建Fab20晶圆厂,共规划了四座12英寸晶圆厂(P1-P4),是新一代N2工艺的启动点。此外,

三星加速micro OLED生产,或在三年内实现量产

近日,三星显示执行董事Jeong Seok-woo在韩国首尔中区K酒店举行的“OLED Korea”大会上,做了题为“未来显示中的AR/VR发展策略”的演讲,表示将加快RGB micro OLED的生产。

AMD下一代CPU/GPU将引入三星4nm工艺,或首先用于生产低端APU

自从出售了晶圆厂以后,AMD在过去的十多年里,基本都依赖台积电(TSMC)和GlobalFoundries(格罗方德)为其制造芯片。不过很早之前就有报道称,AMD或许会与三星建立新的合作关系,计划采用三星的4LPP工艺,制造Chromebook使用的APU。

SK海力士斥资900亿美元打造全新半导体生产设施,首座晶圆厂2027年投入运营

作为全球最大的半导体企业之一,SK海力士最近乘着人工智能(AI)和高性能计算(HPC)的东风,凭借旗下的HBM和DDR5产品,快速地走出了2023年存储器市场消极萎靡的阴霾,并期待着有更大的发展。

台积电和新思科技启用英伟达计算光刻平台进行生产,加速下一代先进芯片制造

英伟达宣布,台积电(TSMC)和新思科技(Synopsys)两大半导体行业巨头将使用计算光刻平台进行生产,加速制造并突破下一代先进半导体芯片的物理极限。目前新思科技已经将名为“cuLitho”的计算光刻库与其软件、制造工艺和系统集成,以加快芯片制造速度,并在未来支持最新一代Blackwell架构GPU。

武汉新芯启动HBM项目:建立生产线,瞄准AI和HPC应用

近年来高带宽内存的需求急剧上升,尤其是随着人工智能(AI)热潮的到来,让这一趋势愈加明显。三星、SK海力士和美光是HBM市场的三大巨头,目前都在开发新产品,并扩张产能,预计未来将占据主导地位。

三星研究将MUF应用到服务器DRAM,改善封装工艺并提高生产效率

据The Elec报道,三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充(MUF)技术。三星最近对3D堆栈(3DS)内存进行了大规模的MR MUF工艺测试,结果显示与现有的TC NCF(热压非导电膜)相比,吞吐量有所提高,但物理特性却有所下降。

台积电3/5nm产能提前接近满载,2024Q4将试产2nm生产线

上个月台积电(TSMC)公布了2023年第四季度业绩,显示3nm制程节点的产量大幅度攀升,收入占比已从上一个季度的6%提高至15%。这也让台积电2023年的业绩逆风维稳,从而对2024年的业绩展望注入了强心剂。不仅调高了季度营收预期,全年营收预计会有超过20%的增长。

铠侠提出为SK海力士生产NAND闪存,希望能为与西数的业务合并扫除障碍

自2021年开始,西部数据和铠侠(Kioxia)就NAND闪存生产业务合并断断续续地进行谈判,以打造全球最大的NAND闪存制造商。不过在双方即将敲定最终计划之际,遭到了铠侠重要的间接股东SK海力士的强烈反对,让西部数据选择中止谈判。随后西部数据宣布未来将分拆为两家独立上市公司,分别专注于机械硬盘和NAND闪存业务,预计在2024年下半年开始执行。

三星希望将2nm生产线留在本土,最尖端芯片制造技术不外流

目前三星在美国和日本都有涉及芯片生产设施的项目,将生产线扩展到其他地区,不过更希望将最尖端的芯片制造技术留在本土。抱有同样想法的不仅仅是三星,台积电(TSMC)也打算这么做。

长鑫存储计划生产HBM内存,填补国产存储器产品空缺

近年来高带宽内存的需求急剧上升,尤其是随着人工智能(AI)热潮的到来,让这一趋势愈加明显。三星、SK海力士和美光是HBM市场的三大巨头,目前都在开发新产品,特别是HBM4等下一代技术受到了业界的极大关注,预计未来将占据主导地位。

SK海力士拟在美国印第安纳州兴建晶圆厂:投资150亿美元,生产和封装HBM产品

虽然去年存储器市场行情低迷,相当部分厂商损失惨重,不过SK海力士却把握住了服务器市场更换DDR5内存及人工智能(AI)爆发的机会,凭借针对性的产品线和市场策略,拿下了不少市场份额,甚至出现了“赢家通吃”的局面。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴,SK海力士目前向其大量供应HBM3和HBM3E芯片。

长鑫存储开始以18.5nm工艺生产DRAM芯片,初始产能每月10万片晶圆

去年末,长鑫存储(CXMT)正式推出了LPDDR5系列产品,其中包括了12Gb的LPDDR5颗粒,POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片,成为了国内首家自主研发并生产LPDDR5的厂家。在受到各种限制的情况下,长鑫存储并没有放慢技术研发的步伐,甚至还加快了速度。

OLED版iPad Pro预计4月发货,三星和LG本周开始生产显示屏

苹果计划今年更新整个iPad产品线,包括iPad Air 6、iPad mini 7和iPad 11,另外还有颇受关注的OLED版iPad Pro机型。OLED版iPad Pro将分为11英寸和12.9英寸,搭载了M3处理器,均支持LTPO屏幕技术,同时也是同类产品里首个采用串联堆叠技术的OLED。

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