关于 10nm级的消息

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SK海力士准备1cnm DRAM：第六代10nm级别工艺，计划2024Q3量产

去年，SK海力士宣布已经完成了现有DRAM中最为微细化的1β (b) nm（第五代10nm级别）的技术研发，并进入了英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证。其采用了HKMG（High-K Metal Gate）工艺，相比1αnm（第四代10nm级别）工艺的产品，功耗降低了20%。

吕嘉俭 | 发布于8天之前

DRAM厂商正在评估采用EUV技术，主要是为了降低单位生产成本

半导体元件的制造，制程越小越困难，所面临的物理限制越来越高，现在能量产的工艺节点已经来到7nm，往后制程的升级越来越困难，所以催生出了EUV光刻技术，比如在同样是7nm制程的情况下，可将晶体管密度提升，同频率下功耗降低，不过EUV光刻技术还有一个优点就是有助于降低单位生产成本。现在，DRAM厂商在面对DRAM价格不断下跌的困境下，已经在考虑导入EUV技术用于制造DRAM，主要目的是为了降低成本。

杨申圳 | 发布于2019-06-18 09:56

三星首发1znm的8Gb DDR4 DRAM：生产效率提升20%，下半年量产

全球DRAM内存市场主要由三星、SK Hynix及美光三家统治，他们的产能占了全球市场份额95%以上，其中三星一家就能占据全球45%以上的份额，是绝对的王者。在技术上，不久前三星首发了12GB LPDDR4X内存，使用的是二代10nm级工艺也就是1ynm工艺制造，现在它基于第三代10nm级工艺也就是1znm工艺制造的DDR4 DRAM内存也来了。