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SK海力士128层4D NAND本月向伙伴送样,预计明年下半年大量出货

SK海力士早就在6月份就宣布正式量产128层堆叠的4D NAND闪存,成为全球首家量产128层闪存的厂家,不过海力士的这个4D NAND本质上其实也是3D NAND,它是把NAND闪存Cell单元的PUC(Peri Under Cell)电路从之前的位置挪到了底部,所以叫了4D NAND闪存,本质上其实还是3D NAND,4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

SK海力士开始量产128层4D NAND闪存,而且176层4D NAND闪存也在开发中

从去年开始SSD价格就在持续下跌,即使到了最近,根据报道称NAND闪存芯片的价格还在持续下跌。不过厂商的量产及研发脚步并没有停下来。在今天SK海力士正式宣布了其128层4D NAND闪存芯片正式开始量产,这也是全球首家开始量产128层NAND芯片的厂商。

海力士开始提供96层1Tb QLC 4D NAND样品,芯片面积缩小超过10%

海力士今天宣布已经开始提供容量为1Tb的QLC产品样品。海力士表示目前已经将自家的QLC技术应用到了旗下首款基于4D NAND的96层电荷陷阱闪存(CTE),希望可以更快的将其NAND产品组合扩展至96层的1Tb QLC产品,从而快速打开QLC市场,并加强自身对下一代高密度存储器市场的影响力。

SK Hynix量产首个4D NAND闪存:96层堆栈,速度提升30%

随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字,在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。

SK Hynix宣布世界首个4D NAND闪存:96层堆栈,64TB容量

在这两天的FMS国际闪存会议上,多家NAND厂商都宣布了新一代的3D NAND闪存技术,国内的紫光公司也首次公开了Xtacking堆栈技术,SK Hynix公司在FMS 2018会议上宣布了世界首个4D NAND闪存技术,这名字比现在的3D NAND闪存听着更先进,堆栈层数达到了96层,TLC闪存类型,核心容量可达1Tb,U.2规格最高可做到64TB容量。

SK海力士128层4D NAND本月向伙伴送样,预计明年下半年大量出货

SK海力士早就在6月份就宣布正式量产128层堆叠的4D NAND闪存,成为全球首家量产128层闪存的厂家,不过海力士的这个4D NAND本质上其实也是3D NAND,它是把NAND闪存Cell单元的PUC(Peri Under Cell)电路从之前的位置挪到了底部,所以叫了4D NAND闪存,本质上其实还是3D NAND,4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

SK海力士开始量产128层4D NAND闪存,而且176层4D NAND闪存也在开发中

从去年开始SSD价格就在持续下跌,即使到了最近,根据报道称NAND闪存芯片的价格还在持续下跌。不过厂商的量产及研发脚步并没有停下来。在今天SK海力士正式宣布了其128层4D NAND闪存芯片正式开始量产,这也是全球首家开始量产128层NAND芯片的厂商。

SK Hynix量产首个4D NAND闪存:96层堆栈,速度提升30%

随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字,在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。

SK Hynix宣布世界首个4D NAND闪存:96层堆栈,64TB容量

在这两天的FMS国际闪存会议上,多家NAND厂商都宣布了新一代的3D NAND闪存技术,国内的紫光公司也首次公开了Xtacking堆栈技术,SK Hynix公司在FMS 2018会议上宣布了世界首个4D NAND闪存技术,这名字比现在的3D NAND闪存听着更先进,堆栈层数达到了96层,TLC闪存类型,核心容量可达1Tb,U.2规格最高可做到64TB容量。

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