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关于 BiCS 的消息

浦科特推出入门级PCI-E 4.0 SSD M10e,铠侠BiCS 5闪存首次现身消费级市场

浦科特在6月份推出了他们的旗舰款PCI-E 4.0 SSD M10P系列,而现在他们要继续扩展在PCI-E 4.0领域的市场,推出了旗下首款入门级PCI-E 4.0 SSD——M10e系列,主打的是高质量的固态硬盘使用体验,以及高性价比。

现在的BiCS 5并不是完全体,密度和性能都没有最初宣布提升那么大

西部数据和恺侠(原东芝存储)在1月30日宣布他们的第五代3D堆叠NAND闪存BiCS 5,将会用于TLC和QLC的生产,堆叠层数是112层,当我看到这层数时就觉得事情好像有点不对了,去年不是说BiCS 5有128层的吗?

西部数据和铠侠宣布其BiCS5技术开发成功:3D NAND堆叠层数达到112层

西部数据和铠侠(原东芝存储)在1月30日宣布他们的NAND 3D堆叠技术——BiCS,成功开发出了第五代,即BiCS5。这代技术将会用于TLC和QLC的生产,相对于上代BiCS4,在存储密度上面有明显增加。

铠侠披露Twin BiCS闪存技术:为更高密度的存储容量铺平道路

铠侠,也就是东芝存储,最近公布了他们研发出来的一种提升闪存密度的新技术,这种名为"Twin BiCS"的新技术可以有效减小3D NAND单元的大小,并且由此减少达到相同容量级别所需要的单元层数。

西数96层堆栈BiCS 4闪存已经出货,QLC闪存将是重点

昨天有报告称NAND闪存价格Q1季度环比下降,推动了大容量存储的智能手机、SSD硬盘普及,这主要得益于NAND厂商大规模量产64层3D闪存。未来要想进一步提升NAND容量,堆栈层数显然还会进一步提升,东芝、西数去年宣布了96层堆栈的3D闪存,今天西数宣布BiCS 4技术的96层3D闪存已经开始出货给客户,X4技术的QLC闪存未来也将是重点。

东芝存储展示闪存生产未来路线图:PLC闪存在规划中

东芝存储最近在国际存储峰会上举行了一次发布会,展示了未来他们的闪存生产路线图。其中重点讲解了自家的多层堆叠闪存颗粒规划以及QLC之后的PLC颗粒的情况。

东芝即将公布64层堆栈3D闪存:TLC类型,512Gb容量

前面刚说中国长江存储科技公司将在2019年量产64层堆栈3D NAND闪存,国内公司能取得这样的成绩确实不容易,不过也别夸大他们的成绩,因为那时候64层堆栈3D闪存要比三星、东芝等公司要落后至少2年,三星、东芝、美光等公司今年内就会推出64层堆栈的3D NAND闪存,东芝已经宣布将在最近开幕的Dell EMC大会上展示64层堆栈的3D NAND闪存,核心容量高达512Gb,TLC类型。

东芝出样512Gb容量的64层堆栈TLC闪存,比前代提升65%

身陷囹圄的东芝公司最近打算把旗下最优质的资产——闪存业务的多数股份而非之前预定的20%少数股份出售,计划融资大约88亿美元以填补核电业务的巨亏。东芝卖身也是迫不得已,不过在当前闪存缺货、涨价的情况下,东芝闪存部门确实是块肥肉,现在东芝公司也宣布即将出样全球核心容量最大的64层堆栈TLC闪存,单核心容量就有512Gb——没错,好基友西数公司前两天宣布的512Gb TLC闪存跟东芝现在宣布的就是一款

东芝、西数宣布新一代BiCS 3D NAND闪存:64层堆栈,2017年上市

三星在3D NAND闪存上量产时间最早,产能也是最高的,领先其他公司至少三年时间,其V-NAND技术的3D NAND已经发展到第三代了,48层堆栈。东芝、西数此前宣布四日市的新工厂竣工,并且早就开始生产3D NAND闪存了,现在双方又公布了其3D NAND闪存的最新进展——64层堆栈的BiCS 3D闪存已经开始出样,比之前的48层堆栈更先进,预计2017年上半年正式量产。

TLC闪存都被你们喷成这样了,那QLC闪存来了又会怎样呢?

现在的SSD闪存在性能上已经没什么槽点了,最高容量上跟HDD差距也不大了,最大的问题还是单位容量价格,为此NAND厂商除了推3D闪存之外对TLC闪存也是欲罢不能,因为它能带来更大的容量,降低成本。只不过在用户这一端,大家对TLC闪存似乎没什么好印象,认为TLC硬盘的可靠性有问题。如果TLC闪存都被喷成这个鸟样,那么我要告诉你更“坏”的消息——厂商已经开始讨论QLC闪存了,怕了吗?

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