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关于 BiCS 3D NAND 的消息

西部数据和铠侠宣布其BiCS5技术开发成功:3D NAND堆叠层数达到112层

西部数据和铠侠(原东芝存储)在1月30日宣布他们的NAND 3D堆叠技术——BiCS,成功开发出了第五代,即BiCS5。这代技术将会用于TLC和QLC的生产,相对于上代BiCS4,在存储密度上面有明显增加。

东芝/闪迪年底推出BiCS 3D闪存:48层堆栈,芯片面积最小

全球四大NAND豪门中,三星早在2年前就率先量产了3D闪存,他们的V-NAND闪存已经出了2代了,随后的是Intel、美光系,双方的3D NAND闪存今年也要量产了,SK Hynix的3D闪存今年也要量产。现在东芝、闪迪系的3D NAND闪存也跟进了,晶圆厂的生产设备已经安装,今年下半年开始试产,相关产品2016年出货。

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