关于 DRAM 的消息
三星推出12nm级32Gb DDR5 DRAM:业界首款及最高容量同类产品,年底量产
三星宣布,推出业界首款及最高容量的12nm级32Gb DDR5 DRAM。这是继三星今年5月开始量产12nm级16Gb DDR5 DRAM以后,扩大了其12nm级DRAM产品线,在相同封装尺寸下提供了翻倍的容量。三星称,此举巩固了其在下一代DRAM技术方面的领导地位,标志着大容量存储器的新篇章。
国内DRAM厂商正在开发高带宽类内存:类似于HBM,满足AI等应用需求
最近一段时间得益于人工智能(AI)业务的蓬勃发展,相关服务器的需求攀升,带动了HBM的出货拉升,也让在该领域下重注的SK海力士受益匪浅,业绩明显改善。据相关媒体报道,国内的DRAM厂商也在努力为人工智能和高性能计算应用开发自己的高带宽类内存,类似于HBM,而长鑫存储(CXMT)处于这一倡议的最前沿。
3D DRAM或为提高密度铺平了道路,未来也将采用堆叠结构
虽然先进半导体制造工艺在研发方面越来越困难,成本也越来越高,但仍然在不断前进,作为行业的龙头企业,台积电(TSMC)已推进到3nm制程节点。不过并不是每一种芯片都会有相应的扩展效果,比如DRAM,早已遇到缩放困难的问题,研究人员最快在5年后就无法继续提高密度了。
HBM带动DRAM营收止跌回升,2023Q2环比增长20.4%
得益于人工智能(AI)业务的蓬勃发展,相关服务器的需求攀升,带动了HBM的出货拉升,加上不少厂商在客户端DDR5的备货潮,使得三大原厂的出货量均有增长。根据研究机构TrendForce发布的最新调查报告,2023年第二季度DRAM营收约114.3亿美元,环比增长20.4%,结束了连续三个季度下滑的下跌趋势。
SK海力士量产24GB LPDDR5X DRAM:采用HKMG工艺,已向OPPO供货
SK海力士宣布,开始向客户提供应用于智能手机等移动产品的高性能LPDDR5X DRAM的24GB封装产品。
厂商减产及季节性需求支撑DRAM价格,2023Q3下跌幅度预计5%以内
TrendForce发布了新的调查报告,表示因DRAM供应商陆续启动减产,加上季节性需求的支撑,减轻了供应商的库存压力,预计今年第三季度DRAM均价跌幅将收窄,下跌的幅度在5%以内。
SK海力士1bnm DDR5 DRAM开始进行验证:采用HKMG工艺,功耗降低20%
SK海力士宣布,已经完成了现有DRAM中最为微细化的1bnm(第五代10nm级别)的技术研发,并将适用其技术的DDR5服务器DRAM开始了“英特尔数据中心存储器认证程序(The Intel Data Center Certified memory program)”,这是英特尔第四代至强可扩展平台(代号Sapphire Rapids)所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。
DRAM产业2023Q1营收环比下降21.2%,已连续三个季度衰退
TrendForce发布了新的调查报告,表示今年第一季度DRAM产业的营收约为96.6亿美元,环比下降了21.2%,已连续三个季度衰退。出货量仅美光出现上升势头,在平均销售价格(ASP)上,三大厂都出现了下跌。
三星宣布12nm级DDR5 DRAM开始大规模生产:功耗降低23%,生产效率提高20%
三星宣布,其采用业界最先进12nm级别工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已经开始批量生产。三星表示,通过完成最先进的制造技术,再次证明了其在尖端DRAM技术方面的领先地位。
市场供需仍不平衡:第二季度DRAM及NAND闪存均价跌幅或将扩大
据昨日报道,群联电子(Phison)CEO潘健成在最近一次会议上表示,NAND闪存价格进一步下调已经是不可能了,如果市场不尽快恢复,可能会有供应商出现破产。这直接反应了NAND闪存供应商目前面临的困境,不过DRAM市场行情也并不景气。此前TrendForce预测NAND闪存均价在第二季度跌幅约为5%~10%,近日TrendForce再次发布报告,由于DRAM与NAND闪存供应商减产幅度不及需求下降速度,部分产品在第二季度均价跌幅或将扩大。
NEO半导体推出3D X-DRAM技术,存储密度可达现有内存的8倍
3D NAND可以说是一个相当成功的技术,现在的NAND闪存基本都是3D NAND,那么同时存储芯片的DRAM能不能复制这一技术呢?NEO半导体就真这样干了,他们宣布推出3D X-DRAM,他们对这项专利技术雄心勃勃,旨在取代整个2D DRAM市场。
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM,已向客户提供样品
SK海力士宣布,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品,并正在接受客户公司的性能验证。SK海力士表示,这是最高性能DRAM的再次超越,突破了HBM3的技术界限。
2023Q2的DRAM价格跌幅将收窄至10%到15%:仍处于下行周期,未有止跌迹象
TrendForce发布了新的调查报告,显示因美光和SK海力士在内的部分供应商启动了DRAM减产计划,2023年第二季度DRAM价格跌幅将收窄至10%到15%,跌幅相比第一季度接近20%要小。不过2023年下半年的需求前景仍然不明朗,DRAM价格下行周期,未有止跌迹象,而且原厂库存水平仍处于高位,除非有更大规模的减产,后续合约价才有可能反转。
三星和SK海力士加快3D DRAM商业化进程,全新结构存储芯片将打破原有模式
三星和SK海力士是存储器领域的领导者,位列行业前两名,传闻两家巨头都在加快3D DRAM商业化进程,以改变存储器行业的游戏规则。其实DRAM行业里排名第三的美光,自2019年以来就开始了3D DRAM的研究,获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍。
SK海力士1βnm DRAM进入合作伙伴验证流程,距离正式量产已经不远了
今年1月,SK海力士研发的1αnm(第四代10nm级别)工艺DDR5服务器DRAM获得了英特尔认证,兼容全新第四代至强可扩展处理器(代号Sapphire Rapids)。其采用了EUV(极紫外)技术,与DDR4产品相比,功耗最多可减少约20%,性能至少提升70%以上。
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