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关于 HBM2E 的消息

AMD Instinct MI200将会配备256个CU和128GB HBM2e

AMD首席执行官苏姿丰博士在上个月摩根大通举办的第49届全球技术、媒体和通信大会上,已确认代号为Aldebaran的CDNA 2架构GPU将会在年内推出。这款很可能名为Instinct MI200的计算卡,是专门为计算密集型和HPC工作负载而设计。

英伟达发布全新HGX A100系统,以及配备80GB HBM2e显存的A100 PCIe计算卡

英伟达宣布将通过人工智能与高性能计算相融合的新技术为HGX AI超级计算平台注入动力,使超算可以为更多行业服务。

英伟达将发布配备80GB HBM2e显存的A100 PCIe版计算卡

在去年5月份,英伟达GTC 2020上推出了基于新一代Ampere架构的A100计算卡,其面积高达826mm2的GA100核心采用台积电7nm工艺制造。A100计算卡有两种不同形态,一种是SXM4版,另一种是通用规格的PCIe版,后者仅限于两块GPU通过NVLink互联。

SK海力士预计HBM3会有665GB/s带宽,比HBM2E提高了44.6%

高带宽存储器(High Bandwidth Memory)也就是平常称为HBM的DRAM,是基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场景。虽然HBM没有成为显卡的主流DRAM,但是在需要高带宽的数据中心等领域,仍不时见到其身影。近日SK海力士(SK Hynix)公布了HBM3的产品计划,介绍了即将推出的规范和预期带宽等信息。

英特尔两款Arctic Sound系列计算卡遭曝光,采用HBM2e显存

在过去的一年多的时间里,英特尔不时地提及其Xe-HP架构GPU,Raja Koduri也经常在推特上分享各种消息。虽然曝光率不低,但是基本不会太多涉及到具体上市时间、架构信息和产品规格等细节。

英伟达发布A100 80GB HBM2e加速卡,应对AMD威胁

HOTHAREDWARE报道,英伟达官方发布了基于Ampere架构的A100已经被认为是高性能计算集群(HPC)的首选GPU,但为了巩固自身在行业之中的位置,特别是竞争对手AMD发布了基于新一代CDNA架构的Instinct MI100加速卡,英伟达推出了搭载80GB HBM2e大容量显存版的A100。

SK海力士宣布启动HBM2E DRAM的量产,等效频率跑在3.6Gbps

HBM DRAM拥有超高的数据带宽,是计算密集型芯片的不二之选。我们也看到这种类型的DRAM在各种计算卡、AI加速器等领域中有着越来越广泛的应用,这也推动着它继续升级迭代。去年三星和SK海力士都宣布自己开发出了HBM2内存的小幅升级版本,即HBM2E内存,今天SK海力士终于正式宣布他们开始量产HBM2E内存了。

AMD新旗舰RX 5950 XT曝光,5120个流处理器,24GB HBM2e显存

前段时间AMD在韩国RRA注册了两张新显卡,此前猜测它就是之前所说的Big Navi,现在韩国方面又有更多的料爆出来了,AMD的这张新卡叫Radeon RX 5950 XT,拥有80个CU,是现在RX 5700 XT的两倍,而且用的还是HBM2e显存,看来AMD没有放弃在高端显卡上使用HBM显存的打算。

三星正式推出业界首款第三代HBM2E内存:推动高性能计算系统的发展

三星昨天宣布推出业界首款第三代HBM2E内存,新的HBM2E内存由8颗16Gb的DRAM颗粒堆叠而成,单个封装可以达到16GB的总容量,并且其拥有高达3.2Gbps的传输速率。

SK海力士发布HBM2E内存:容量最高单颗16GB,带宽最高460GB/s

SK海力士公司今天宣布,它已开发出具有业界最高带宽的HBM2E DRAM产品。与之前的HBM2相比,新款HBM2E大约提升50%的带宽和100%的容量。SK海力士尚未公布更多的HBM2E内存信息。

三星发布HBM2E内存:容量最高16GB,带宽高达410GB/s

最近三星电子在DRAM和存储领域疯狂的刷存在感,从MWC 2019展会发布eUFS 3.0存储芯片,到eMRAM存储器,再到高容量LPDDR4x内存。而现在三星再次更新内存技术,在NVIDIA的GTC大会上专门为数据中心、GPU等高性能计算带来了更新的HBM2E内存。这款芯片是业界首款符合HBM2E规范的产品。

SK海力士宣布启动HBM2E DRAM的量产,等效频率跑在3.6Gbps

HBM DRAM拥有超高的数据带宽,是计算密集型芯片的不二之选。我们也看到这种类型的DRAM在各种计算卡、AI加速器等领域中有着越来越广泛的应用,这也推动着它继续升级迭代。去年三星和SK海力士都宣布自己开发出了HBM2内存的小幅升级版本,即HBM2E内存,今天SK海力士终于正式宣布他们开始量产HBM2E内存了。

三星正式推出业界首款第三代HBM2E内存:推动高性能计算系统的发展

三星昨天宣布推出业界首款第三代HBM2E内存,新的HBM2E内存由8颗16Gb的DRAM颗粒堆叠而成,单个封装可以达到16GB的总容量,并且其拥有高达3.2Gbps的传输速率。

SK海力士发布HBM2E内存:容量最高单颗16GB,带宽最高460GB/s

SK海力士公司今天宣布,它已开发出具有业界最高带宽的HBM2E DRAM产品。与之前的HBM2相比,新款HBM2E大约提升50%的带宽和100%的容量。SK海力士尚未公布更多的HBM2E内存信息。

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