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关于 MRAM 的消息

三星展示世界首款基于MRAM的内存内计算,可用于下一代AI运算

三星今日公布了世界首款基于MRAM(非易失磁阻内存)的内存内计算,相关论文也由《Nature》在线发表,同时会在即将出版的纸质版《Nature》杂志上刊登。这篇名为《用于内存内计算的磁阻存储器件的交叉阵列》的论文展示了三星在内存技术上的领先地位,以及在下一代人工智能(AI)芯片中合并存储器和半导体系统所做的努力。

MRAM助力企业级SSD:群联与Everspin合作,下代eSSD主控支持MRAM缓存

Everspin自成立之初就一直在研究MRAM磁阻式随机存储器,在近几年MRAM存储器的容量也有了很大的提升,相对大容量的MRAM存储器也开始量产,这也意味着MRAM存储器可以进入更广泛的应用场景。所以近日群联就与Everspin进行合作,群联将开发下一代eSSD控制器,以支持自旋扭矩磁阻随机存储器STT-MRAM缓存芯片。

Everspin开始生产1Gb容量STT-MRAM存储器:容量再次突破、采用28nm工艺制造

MRAM磁阻式随机存储芯片作为下一代存储芯片,近几年也是备受关注。从今年年初开始已经有如英特尔、三星等厂商宣布将量产MRAM存储芯片。现在又有一家叫做Everspin的公司宣布旗下的MRAM存储芯片进入试生产阶段。

三星量产eMRAM存储器:比eFlash快1000倍,功耗更低

三星在昨日宣布正式量产首款商用的eMRAM(嵌入式磁随机存取存储器),采用三星的28FDS(28nm FD-SOI,耗尽型绝缘层上硅)工艺制造。作为常用的eFlash闪存技术的发展到了瓶颈期,这种基于电荷存储方式的存储器已经面临了很多挑战。而eMRAM作为基于电阻的存储方式在非易失性,随机访问等方面拥有比eFlash更好的表现。

英特尔eMRAM已准备好大批量生产,基于FinFET工艺

不管是DRAM内存还是NAND闪存,最近都在跌价,今年初,集邦科技旗下的DRAMeXchange发布了2019年Q1季度DRAM内存价格趋势报告。根据他们的报告Q1季度内存市场均价跌幅将达20%,Q2季度会再跌15%。而NAND闪存方面大家的感受更明显,2018年市场均价跌幅已达50%,并且DRAMeXchange认为若仍无足够需求动能支撑,2019年NAND闪存仍可能再跌50%。对于消费者来说,好消息还不止这些。

三星展示世界首款基于MRAM的内存内计算,可用于下一代AI运算

三星今日公布了世界首款基于MRAM(非易失磁阻内存)的内存内计算,相关论文也由《Nature》在线发表,同时会在即将出版的纸质版《Nature》杂志上刊登。这篇名为《用于内存内计算的磁阻存储器件的交叉阵列》的论文展示了三星在内存技术上的领先地位,以及在下一代人工智能(AI)芯片中合并存储器和半导体系统所做的努力。

MRAM助力企业级SSD:群联与Everspin合作,下代eSSD主控支持MRAM缓存

Everspin自成立之初就一直在研究MRAM磁阻式随机存储器,在近几年MRAM存储器的容量也有了很大的提升,相对大容量的MRAM存储器也开始量产,这也意味着MRAM存储器可以进入更广泛的应用场景。所以近日群联就与Everspin进行合作,群联将开发下一代eSSD控制器,以支持自旋扭矩磁阻随机存储器STT-MRAM缓存芯片。

Everspin开始生产1Gb容量STT-MRAM存储器:容量再次突破、采用28nm工艺制造

MRAM磁阻式随机存储芯片作为下一代存储芯片,近几年也是备受关注。从今年年初开始已经有如英特尔、三星等厂商宣布将量产MRAM存储芯片。现在又有一家叫做Everspin的公司宣布旗下的MRAM存储芯片进入试生产阶段。

英特尔eMRAM已准备好大批量生产,基于FinFET工艺

不管是DRAM内存还是NAND闪存,最近都在跌价,今年初,集邦科技旗下的DRAMeXchange发布了2019年Q1季度DRAM内存价格趋势报告。根据他们的报告Q1季度内存市场均价跌幅将达20%,Q2季度会再跌15%。而NAND闪存方面大家的感受更明显,2018年市场均价跌幅已达50%,并且DRAMeXchange认为若仍无足够需求动能支撑,2019年NAND闪存仍可能再跌50%。对于消费者来说,好消息还不止这些。

28nm工艺不落伍,联电与Avalanche合作开发28nm MRAM存储芯片

虽然台积电、三星以及Globalfoundries公司都会在今年底或者明年初量产更先进的7nm工艺,不过其他技术的工艺并不意味着就会淘汰,在半导体工艺节点上将会存在一些很长寿的制程,28nm工艺就是其中的一个,即便是台积电,28nm工艺带来的营收依然是大头,营收比例超过其他先进工艺。UMC台联电也给自家的28nm找到了新的领域,他们宣布与美国Avalanche公司合作研发28nm工艺的MRAM存储芯片。

MRAM技术的硬盘容量只有1-2GB,但150万IOPS随机性能炸裂

NAND闪存是目前非易失性存储芯片中的主流,虽然这一年来的涨价、缺货让不少消费者、厂商揪心,小超哥(微信:18680462854)也是“哀其不幸怒其不争”,但是大家也没有别的选择。在新一代存储芯片技术中,MRAM(磁阻随机存取存储器)被业界看好,因为它同时具备SRAM的快速及非易失性闪存的特点,只不过目前的MRAM闪存大部分还处在研发阶段,并没有真正上市。Everspin公司日前宣布将于今年Q2季度上市基于MRAM技术的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盘,别看容量才1-2GB,但是4K随机性能高达150万IOPS,延迟只有6微秒,远远高于目前的企业级SSD硬盘。

比闪存快6倍,TDK首次演示MRAM存储器原型

对于下一代存储技术,人们不仅希望它速度更快,延迟更低,还希望它是是非易失性的,断电之后数据不损失。在众多后续标准中,MRAM(磁阻随机存取存储器)是最有希望胜出的,具备了上面提及的两个优点。在日本的高新技术博览会上,TDK公司首次展示了STT-MRAM技术制造出来的8Mb存储器,虽然容量很小,不过读写性能已经是闪存的7倍多了。

众人拾柴火焰高,MRAM技术联盟正式成立

  以东京电子、信越化工、瑞萨电子、日立以及美光科技在内的20多家日本以及美国企业已经组成MRAM技术研发联盟,联合开发MRAM技术,预计在明年2月份就会启动相关的技术研究项目。

能源效率、存储密度更高,UCLA开发节能计算机存储器

  通过使用电压而不是流动的电流,UCLA(加州大学洛杉矶分校)Henry Samueli工程和应用科学学院的研究人员对计算机的MRAM(磁性随机存储器)作出了重大的改进。

下一代非易失性存储最强音,MRAM技术解析

  目前CPU中使用的SRAM(静态随机存储器)虽然速度快,但是数据是易失性的,断电之后数据就没有了,非易失性存储RAM是未来的方向。在这一类别中现在有多种备选方案,比如MRAM(Magnetic Random Access Memory,磁阻随机存取存储器)、PCM(Phase Change Memory相变存储)、ReRAM(Resistance Random Access Memory,电阻式存储器)等,其中MRAM的研究最多,是下一代非易失性存储技术的最强音。

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