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关于 PCM 的消息

超能课堂(209):从CD开始的音频编码进化之路

前面讲过了多媒体容器格式的变迁,这期我们来看看音频编码是如何发展的。在讲编码之前,同样地,让我们来看看现在最为通用的数字音频格式——PCM是怎么来的吧。

投资130亿元,国产公司发力PCM相变存储,2021推3D XPoint芯片

作为当前最尖端的高科技之一,半导体芯片这几年在国内很热门,不仅在媒体报道上刷屏,而且国内最近几年上马了不少半导体项目,几乎涉及到从设计到制造再到封装在内的各个领域。在众多半导体项目中,存储芯片是国内优先发展的,毕竟国内的NAND闪存及DRAM内存两大类存储芯片几乎是100%进口的。国内比较重要的存储芯片项目有长江存储、合肥长鑫及福建晋华,但在NAND/DRAM内存之外,还有一个项目值得注意,那就是江苏时代芯存公司的PCM相变存储芯片项目,总投资高达130亿元,一期投资43亿元,在江苏淮安建设的晶圆厂明年Q1季度就要量产了,号称年产10万片12英寸PCM晶圆,销售额高达20亿美元。

IBM TLC型PCM挑战3D XPoint闪存:1000万次写入寿命

蓝色巨人IBM与消费级产品越来越远,但IBM从来没有远离高科技行业,不论是7nm半导体工艺还是新一代AI智能或者别的尖端科学,IBM都是要肩负人类希望的(网友语“I人希”)。在下一代存储芯片上,Intel美光的3D XPoint已经迈出了革命性一步,不过点满黑科技天赋的IBM日前拿出了同样具备极强竞争力的PCM存储芯片——他们首次实现PCM芯片每单元存储3位数据,你可以把它理解成NAND闪存从1bit/cell的SLC闪存到3bit/cell的TLC闪存的改变。

HGST展示PCM相变技术SSD:300万IOPS,延迟低至1.5微秒

在前几天的FMS全球闪存会议上,HGST除了发布2.7GB/s性能的PCI-E 3.0接口的FlashMAX III硬盘之外,还宣布了世界上最快的SSD,使用的虽然是PCI-E 2.0 x4接口,但是随机IOPS性能高达300万IOPS,而延迟更是低至1.5微秒,已经远远超过了普通的NAND闪存的SSD性能,因为HGST这次使用的是45nm工艺的PCM相变闪存。

后NAND时代,2013年PCM储存技术上位

  PCM相变存储技术被视为NAND技术的继任者,美光之前还宣称已经大规模量产了45nm工艺的PCM模块,但是这种未来型的技术到底合适才能出现在我们的生活中呢?   Theregister网站援引EMC高级副总、闪存部门主管扎西德·侯赛因的说法称,2013年将是PCM闪存的新起点,有望见到实际产品出现在市场上。

美光宣布大规模量产45nm PCM相变存储闪存

   下一代非易失性存储技术争霸战中,MRAM(磁阻随机存取存储器)得到了最多关注,包括Intel、高通、三星在内的业界大腕也都在研究这一技术,另一个竞争者就是PCM(相变存储器),代表人物则是美光,日前他们宣布已经成功大规模量产PCM,这将为PCM进入市场提供更多可能。

存储技术的巨大进步,IBM多位PCM相变存储芯片开发成功

  近日IBM的研究团队自豪地宣布,他们已经成功地攻克了PCM相变存储(Phase Change Memory)的多位封装难题,为解决PCM相变存储提升容量、降低成本指出了一条明路。

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