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关于 SK hynix 的消息

SK海力士希望加强AI和芯片事业发展:未来三年将投资约746亿美元

目前SK海力士在高带宽内存(HBM)市场占据主动地位,同时也占据了约35%的DRAM市场份额。作为最大的存储器生产商之一,SK海力士希望可以投资当前科技发展的热门方向,进一步提升业内的竞争力。

SK海力士开发高性能PCB01 SSD:面向AI PC,支持PCIe5.0 x8接口

SK海力士宣布,已开发出用于端侧(On-Device)AI PC的业界最高性能SSD产品“PCB01”。端侧AI意思是备本身上实现AI运行,终端设备自行收集信息并进行计算,而非依赖物理分离的服务器完成,可提升AI功能的反应速度、加强用户定制性AI服务功能。

SK海力士5层堆叠3D DRAM良品率已达56.1%,具有与2D DRAM相似的特性

三星、SK海力士和美光是全球领先的三大存储器制造商,近期在存储领域的竞争变得愈发激烈。除了数据中心GPU所使用的HBM产品,以及即将到来的新一代游戏显卡采用的GDDR7,现在竞争还延伸到未来的3D DRAM领域。

三星和SK海力士将在3D DRAM应用混合键合技术,最快2025年引入新结构

三星和SK海力士是存储器领域的领导者,位列DRAM行业前两名,都已投入到3D DRAM商业化进程中,希望借此改变存储器行业的游戏规则。排在第三的美光从2019年起就开始了3D DRAM的研究,获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍,这也迫使三星和SK海力士加快3D DRAM的开发。

HBM4竞争已经开启:堆叠挑战依然存在,混合键合技术是关键

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM产品的需求也在迅速增长,三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了投入。SK海力士作为目前HBM领域的领导者,首次现身COMPUTEX 2024,展示了最新的HBM3E和MR-RUF技术,表示混合键合将在芯片堆叠中发挥至关重要的作用。

SK海力士计划扩大存储市场布局,与HLDS共创Super Multi品牌

SK海力士是全球主要的半导体企业之一,也是存储器市场除了三星以外最大的制造商。与三星不同,SK海力士更多地关注存储芯片的生产,自家旗下的产品也主要以商用领域为主导,消费领域相对来说资源投入较少。不过近年来,SK海力士也开始在消费端发力,比如Platinum P41系列SSD就获得了不错的市场口碑。

SK海力士打算在1cnm DRAM上采用Inpria MOR光刻胶,三星也有同样的考虑

此前有报道称,SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的DRAM产品,已经制定了对应的客户认证及生产计划,打算在2024年第三季度量产。相比于现有第五代10nm级别的1β (b) nm工艺,在同样采用EUV光刻技术的情况下,每片晶圆可生产更多数量的芯片,并实现更高的功率效率。

SK海力士希望进一步提升HBM4E性能:将集成计算和缓存功能

为应对用于人工智能(AI)的半导体需求的大幅度增长,SK海力士与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作,开发第六代HBM产品,也就是HBM4。随后SK海力士HBM先进技术团队负责人确认,将加快HBM代际更迭周期,从HBM3E开始,由以往的两年变成了一年,HBM4E最早会在2026年出现。

台积电准备HBM4基础裸片:将采用N5和N12FFC+工艺制造

上个月,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4。据了解,台积电将生产用于HBM4的基础裸片(Base Die),这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。

SK海力士加速推进HBM4E:最早或2026年完成开发

为应对用于人工智能(AI)的半导体需求的大幅度增长,此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品,即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时,SK海力士还与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作,开发第六代HBM产品,也就是HBM4。

SK海力士公布2024Q1财报:收入创历史同期新高,开始转向全面复苏期

近日SK海力士(SK hynix)公布了截至2024年3月31日的2024财年第一季度财务报告,收入创历史同期新高,营业利润也创下了市况最佳的2018年以来同期第二高。SK海力士认为公司业绩摆脱了长时间的低迷期,开始转向了全面复苏期,凭借旗下面向人工智能(AI)的存储器顶尖竞争力,业绩将持续改善。

SK海力士将清州M15X定为DRAM生产基地,以应对HBM需求的大幅增长

今天SK海力士宣布,为应对用于人工智能(AI)的半导体需求的大幅度增长,决定扩充人工智能基础设施的核心产品,即HBM等新一代DRAM的生产能力。在SK海力士看来,提高以HBM为主的DRAM产能是其面临的首要问题。

SK海力士将选择台积电7nm工艺,用于生产HBM4的基础裸片

近日,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4,预计在2026年投产。

三星和SK海力士竞争升级:争夺下一代AI半导体市场主导权

在进入人工智能(AI)时代后,两大存储器生产厂商三星和SK海力士的竞争不断升级。双方都在努力通过加快新产品的开发和批量生产,以抢夺市场先机,争夺下一代人工智能半导体市场的主导权。随着英特尔的加入,全球半导体战线正在扩大。

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