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魅族16s Pro手机正式发布:骁龙855 Plus+全系UFS 3.0,2699元起售

今日下午,魅族在珠海召开魅族16s Pro新品发布会,正式发布旗下最新的智能手机产品魅族16s Pro。核心硬件上,魅族16s Pro采用了高通骁龙855 Plus处理器,全系配置UFS 3.0闪存,后置相机升级为三摄,售价与魅族16s的上市价格保持一致,具体如下:

骁龙865按照是否集成5G基带分成两个版本,均支持LPDDR5X和UFS 3.0

前些日子的台北电脑展上,联发科展示了业内首款集成了5G基带的SoC。虽然其集成的5G基带还是属于第一代产品的联发科Helio M70 5G调制解调器,性能上不如高通的第二代5G手机调制解调器,有些取巧之嫌,但是毕竟第一款集成5G基带的SoC。作为业界大哥的高通肯定不会让联发科风光太久,据称其即将推出的下一代旗舰骁龙865就将具有未集成5G基带和集成了5G基带的两个版本,并且都支持LPDDR5X和UFS 3.0。

一加手机7 Pro爆料:旗舰机该有的都塞进去了,首卖UFS 3.0

此前有媒体报道称即将发布的一加手机7 Pro将会采用UFS 3.0闪存,不过昨天张老板发微博称,一加7将会全系采用UFS 3.0闪存。另外,根据之前的消息,一加手机7 Pro将会采用2K级别分辨率屏幕,刷新率为90Hz,弹出式前置摄像头,并且有双扬声器。总的来说,如果一加真的把这些东西都塞给了一加手机7 Pro,那么也真的是在冲击旗舰了,但是一加手机7会是什么样子就不得而知了。

西数发布UFS 3.0闪存EU511:96层3D闪存,750MB/s速度

今年的智能手机除了会升级处理器之外,存储芯片也会升级到最新标准,移动内存LPDDR5标准才被JEDEC组织正式公布,闪存也会从UFS 2.0/2.1提升到UFS 3.0,读写速度堪比SSD硬盘(随机还不行)。西数公司日前宣布推出新一代iNAND嵌入式闪存EU511,支持UFS 3.0,最大容量512GB,使用了96层堆栈3D NAND闪存,读取速度可达750MB/s,是前代的两倍,如此高速的性能将为未来的5G设备提供更好的体验。

东芝发布UFS 3.0闪存,96层TLC,速度要追NVMe硬盘

今年的智能手机除了5G、AI这两个大热点之外,在性能上还会再进一步,内存会升级到LPDDR5标准,闪存也会有UFS 3.0新一代标准,该规范去年初就制定完成了,此前爆料称三星的Galaxy S10手机就会用上自家的UFS 3.0闪存。至于其他厂商,那就要依靠东芝等NAND厂商了,日前东芝就首发了UFS 3.0闪存,容量128/256/512GB,使用的是自家96层堆栈的3D TLC闪存,具体性能没公版,只说比前代读写提升70%、80%,但这个性能追上一些NVMe硬盘还是可以的。

明年旗舰手机的标配:LPDDR5、UFS 3.0、SD Express

现在LPDDR4和UFS 2.1基本成为旗舰手机的标配,虽然说不像处理器和屏幕那样换一个更好的带来的体验相当明显,然而存储器件在智能手机中也扮演着相当重要的角色,随着处理器性能的提升以及手游的画面质量的提高,存储设备的带宽渐显重要。

除了拍照、超声波指纹之外,三星Galaxy S10或首发LPDDR5、UFS 3.0

三星依然是全球智能手机市场的老大,只是在智能手机技术上三星这几代产品都在挤牙膏,Galaxy大改要到明年的Galaxy S10手机上了,之前传闻它会用上超声波指纹识及全新大底双摄技术,而在硬件配置上,Galaxy S10也有可能首发LPDDR5内存及UFS 3.0闪存。

UFS 3.0闪存标准正式发布:拥有高达23.2Gbps的理论带宽

如果说在刚刚过去的2017年国产手机市场中有哪些很难忘记的大新闻,那么因为华为P10手机的“闪存门”而被用户逐渐开始知晓的eMMC、UFS闪存绝对已经被广大群众深深印在脑海中,其实按照2017年的标准,标榜的旗舰的产品应该都是追求UFS 2.1,因为就在去年的9月份,当时的Benchlife就爆料称新一代的eMMC 5.2、UFS 3.0标准将会在新年之交期间到来,而这条信息被证明是接近正确的,因为就在1月份最后期间,JEDEC组织终于正式发布UFS 3.0标准(JESD220D),一道被发布的还有更新后的接口标准(UFSHCI):JESD223D,以及适用于拓展存储卡标准的UFS Card Extension 1.1(JESD220-2A),详情可以点击这里

新一代eMMC 5.2、UFS 3.0标准年底见,终端用上它们尚需时日

出于现在人们对于超大存储空间的手机、平板电脑需求,存储技术也在不断迭代更新。而其中的闪存传输协议用得最多的就是eMMC 5.1以及UFS 2.1,他们两者的区别我们在超能课堂《华为说eMMC与UFS闪存体验一致,这事我们得谈谈》中曾经分析过。近日的一些消息表明,新一代存储协议eMMC 5.2以及UFS 3.0已经进入到研发后期,最快的话本年底可以看到eMMC 5.2标准以及在明年初看到UFS 3.0。

【4.15更新】一篇就够!最全骁龙865手机解读

【4.15更新】新增一加8系列两款手机规格数据(表1),一加8 Pro号称是屏幕旗舰,配备IMX689主摄也算是一个惊喜,补足无线充电、IP68防尘防水,是一加今年推出的高端产品。

骁龙865按照是否集成5G基带分成两个版本,均支持LPDDR5X和UFS 3.0

前些日子的台北电脑展上,联发科展示了业内首款集成了5G基带的SoC。虽然其集成的5G基带还是属于第一代产品的联发科Helio M70 5G调制解调器,性能上不如高通的第二代5G手机调制解调器,有些取巧之嫌,但是毕竟第一款集成5G基带的SoC。作为业界大哥的高通肯定不会让联发科风光太久,据称其即将推出的下一代旗舰骁龙865就将具有未集成5G基带和集成了5G基带的两个版本,并且都支持LPDDR5X和UFS 3.0。

三星量产eUSF3.0闪存芯片:速度2.1GB/s,容量高达512GB

随着人们对智能手机的要求越来越高,存储芯片厂商以及手机厂商使用了很多方式来提高手机的存储性能以平衡手机的整体性能。苹果通过使用PC平台的nvme技术来大幅提高手机的存储容量和速度。而更普遍的做法是通过使用UFS技术的芯片来达到这个目的。自2015年以来手机厂商开始使用UFS 2.0技术的闪存芯片以来,智能手机的存储容量和速度有了大幅度提高,在最新的设备中已经能达到顺序读写性能分别为900MB/s以及300MB/s的高速。今天,为了再次提高移动设备的存储性能,三星正式宣布开始量产基于其第五代V-NAND技术的eUFS 3.0闪存芯片。

西数发布UFS 3.0闪存EU511:96层3D闪存,750MB/s速度

今年的智能手机除了会升级处理器之外,存储芯片也会升级到最新标准,移动内存LPDDR5标准才被JEDEC组织正式公布,闪存也会从UFS 2.0/2.1提升到UFS 3.0,读写速度堪比SSD硬盘(随机还不行)。西数公司日前宣布推出新一代iNAND嵌入式闪存EU511,支持UFS 3.0,最大容量512GB,使用了96层堆栈3D NAND闪存,读取速度可达750MB/s,是前代的两倍,如此高速的性能将为未来的5G设备提供更好的体验。

东芝发布UFS 3.0闪存,96层TLC,速度要追NVMe硬盘

今年的智能手机除了5G、AI这两个大热点之外,在性能上还会再进一步,内存会升级到LPDDR5标准,闪存也会有UFS 3.0新一代标准,该规范去年初就制定完成了,此前爆料称三星的Galaxy S10手机就会用上自家的UFS 3.0闪存。至于其他厂商,那就要依靠东芝等NAND厂商了,日前东芝就首发了UFS 3.0闪存,容量128/256/512GB,使用的是自家96层堆栈的3D TLC闪存,具体性能没公版,只说比前代读写提升70%、80%,但这个性能追上一些NVMe硬盘还是可以的。

明年旗舰手机的标配:LPDDR5、UFS 3.0、SD Express

现在LPDDR4和UFS 2.1基本成为旗舰手机的标配,虽然说不像处理器和屏幕那样换一个更好的带来的体验相当明显,然而存储器件在智能手机中也扮演着相当重要的角色,随着处理器性能的提升以及手游的画面质量的提高,存储设备的带宽渐显重要。

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