E X P

关于 eMRAM 的消息

三星量产eMRAM存储器:比eFlash快1000倍,功耗更低

三星在昨日宣布正式量产首款商用的eMRAM(嵌入式磁随机存取存储器),采用三星的28FDS(28nm FD-SOI,耗尽型绝缘层上硅)工艺制造。作为常用的eFlash闪存技术的发展到了瓶颈期,这种基于电荷存储方式的存储器已经面临了很多挑战。而eMRAM作为基于电阻的存储方式在非易失性,随机访问等方面拥有比eFlash更好的表现。

英特尔eMRAM已准备好大批量生产,基于FinFET工艺

不管是DRAM内存还是NAND闪存,最近都在跌价,今年初,集邦科技旗下的DRAMeXchange发布了2019年Q1季度DRAM内存价格趋势报告。根据他们的报告Q1季度内存市场均价跌幅将达20%,Q2季度会再跌15%。而NAND闪存方面大家的感受更明显,2018年市场均价跌幅已达50%,并且DRAMeXchange认为若仍无足够需求动能支撑,2019年NAND闪存仍可能再跌50%。对于消费者来说,好消息还不止这些。

三星量产eMRAM存储器:比eFlash快1000倍,功耗更低

三星在昨日宣布正式量产首款商用的eMRAM(嵌入式磁随机存取存储器),采用三星的28FDS(28nm FD-SOI,耗尽型绝缘层上硅)工艺制造。作为常用的eFlash闪存技术的发展到了瓶颈期,这种基于电荷存储方式的存储器已经面临了很多挑战。而eMRAM作为基于电阻的存储方式在非易失性,随机访问等方面拥有比eFlash更好的表现。

TSMC进军存储芯片:不搞NAND、DRAM,要玩eMRAM/eRRAM

在半导体业界,Intel、三星及TSMC三足鼎立,虽然他们在先进的制程工艺上竞争激烈,但实际上三方的直接竞争并不多,Intel的处理器基本是自产自销,三星跟TSMC在代工上有竞争,但是TSMC一家占据全球60%的代工份额,三星半导体更重要的是NAND、DRAM闪存。早前TSMC表态不会进入NAND、DRAM等标准型存储芯片市场,但不代表他们不做存储芯片,最近他们公开了研发多年的eMRAM及eRRAM存储芯片,最近今年底就开始试产,未来一两年量产。

加载更多
热门文章
1传AMD RDNA 3架构性能提升超过50%,并提高Radeon RX 7000系列显卡定价
2首席玩家六边形战士750W电源实物图赏:80Plus铂金认证的SFX小钢炮
3台积电2021Q4收入增幅或会降低,面临N5和N7制程节点订单量减少
4微星强袭GE76-11UH游戏本评测:全方位旗舰享受的的顶级游戏本体验
5AMD Instinct MI300计算卡或会有Exascale APU模式,将CPU和内存一起封装
6友达推出支持240Hz刷新率的85英寸4K面板,超大屏幕电竞屏
7《上古卷轴Online》宣布将支持DLSS/DLAA技术,成为首款支持DLAA的游戏
8天龙推出旗下首批TWS真无线耳机:AH-C630W和AH-C830NCW
9Starlink将于10月完成测试,或可在更多国家地区使用