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昂达GTX 660典范版采用公版PCB,4+1相供电设计,其中4相为核心供电,1相为显存,PCB正面和背面各配置有4颗GDDR5显存。
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昂达GTX 660典范版提供了4相核心供电设计,每相配置了“1上1下”共2颗SO-8封装MosFET,使用了R22封闭式电感和固态电容。
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盈通GTX 660豪华版采用公版PCB,4+1相供电设计,其中4相为核心供电,1相为显存,PCB正面和背面各配置有4颗GDDR5显存。
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盈通GTX 660豪华版提供了4相核心供电设计,每相配置了“1上1下”共2颗SO-8封装MosFET,配置有R22封闭式电感和固态电容。
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耕昇GTX 660赵云版采用了自行设计PCB方案,4+2相供电设计,其中4相为核心供电,2相为显存供电。
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耕昇GTX 660赵云版提供了4相核心供电,每相配置了“1上1下”共2颗SO-8封装MosFET,使用了封闭式电感和固态电容。
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影驰GTX 660黑将版采用了自行设计PCB方案,4+2相供电设计,其中4相为核心供电,2相为显存供电。
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影驰GTX 660黑将版提供了4相核心供电,每相配置了“1上1下”共2颗SO-8封装MosFET,使用了封闭式电感和固态电容。
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映众GTX 660冰龙版采用了自行设计PCB方案,4+1相供电设计,其中4相为核心供电,1相为显存供电。
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映众GTX 660冰龙版提供了4相核心供电,每相配置了“1上2下”共3颗SO-8封装MosFET,使用了SUNTEK铁素体电感和日科能高的固态电容,显存供电部分还是用了万裕的固态电容作为滤波电容。
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七彩虹iGame660烈焰战神X采用了自行设计PCB方案,4+1相供电设计,其中4相为核心供电,1相为显存供电。
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七彩虹iGame660烈焰战神X提供了4相核心供电,每相配置了“1上2下”共3颗SO-8封装MosFET,使用了贴片式电感和定制自日科能高的固态电容。
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微星GTX 660 HAWK采用了自行设计的PCB方案,8+2相供电设计,其中8相为核心供电,2相为显存供电。
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微星GTX 660 HAWK采用了符合“第三代军规标准”的元件,包括有金色SSC电感、定制自日科能高的暗金固态电容和散热性能良好的CopperMos,其提供了8相核心供电,每相配置了“1上1下”共2颗CopperMos。
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微星GTX 660 HAWK还配置有名为“钢铁之心”的GPU Reactor,内含6颗铝聚合物电容,可以提升GPU的供电纯净度。
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华硕GTX 660 DirectCU II OC采用了自行设计的PCB方案,6+1相供电设计,其中6相为核心供电,1相为显存供电。
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华硕GTX 660 DirectCU II OC提供了6相核心供电,每相配置了“1上2下”共3颗SO-8封装MosFET,使用了华硕定制的超合金电感和定制自日科能高的固态电容。
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技嘉GV-N660OC-2GD采用的PCB与公版方案比较相似,大体布局相同,同为4+1相供电设计,不过在用料上得到了加强,还加入了自行设计的风扇调速电路。
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技嘉GV-N660OC-2GD提供了4相核心供电设计,每相配置了“1上2下”共3颗SO-8封装MosFET,使用了CEC封闭式电感和尼吉康固态电容。
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索泰GTX 660毁灭者DTC采用了自行设计的PCB方案,5+2相供电设计,其中5相为核心供电,2相为显存供电。
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索泰GTX 660毁灭者DTC提供了5相核心供电设计,每相配置了“2上2下”共4颗SO-8封装MosFET,使用了AIO铁素体电感和固态电容。显存供电部分则换用了一体式的DrMOS,整合了上桥/下桥MosFET和驱动IC。
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华硕龙骑士HD 7850采用了自行设计的PCB方案,6+1+1相供电设计,其中6相为核心供电,1相为显存供电,1相为I/O供电。
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华硕龙骑士HD 7850提供了6相核心供电,每相供电配置有“1上2下”共3可LFPAK封装MosFET,使用了定制的超合金电感,输入滤波电容来自日科能高,输出滤波电容则来自钰邦,均为固态电容。
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镭风HD 7850 Xstorm采用了自行设计的PCB方案,8+1+1相供电设计,其中8相为核心供电,1相为显存供电,1相为I/O供电。
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镭风HD 7850 Xstorm提供有8相核心供电,统一采用了DrMOS和贴片式R30电感,其中DrMOS整合了上桥/下桥MosFET和驱动IC,输出滤波电容则统一使用了松下铝聚合物电容。
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迪兰HD 7850酷能+显卡采用4+1+1相供电设计,其中4相为核心供电,1相为显存供电,1相为I/O供电。
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迪兰HD 7850酷能+显卡提供了4相核心供电设计,每相配置了“1上2下”共3颗SO-8封装MosFET,使用了MAGIC铁素体电感和万裕ULR系列固态电容。
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蓝宝HD 7850黑钻OC采用了自行设计的PCB方案,6+1+1相供电设计,其中6相为核心供电,1相为显存供电,1相为I/O供电。
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蓝宝HD 7850黑钻OC提供了6相核心供电设计,每相配置了“1上2下”共3颗SO-8封装MosFET,使用了封闭式电感和万裕ULR系列固态电容。
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讯景R7850双酷魂中校采用了公版HD 7870显卡PCB方案,5+1+1相供电设计,其中5相为核心供电,1相为显存供电,1相为I/O供电。
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讯景R7850双酷魂中校提供有5相核心供电,统一采用了DrMOS和MAGIC铁素体电感,其中DrMOS整合了上桥/下桥MosFET和驱动IC,输出滤波电容则统一使用了固态电容。
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盈通镭龙R7850极速版采用了自行设计的PCB方案,4+1+1相供电设计,其中4相为核心供电,1相为显存供电,1相为I/O供电。
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盈通镭龙R7850极速版提供有4相核心供电设计,每相配置了“1上2下”共3颗TO-252封装MosFET,使用了封闭式电感和定制自日科能高的固态电容。
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HIS HD 7850冰立方超频版采用4+1+1相供电设计,其中4相为核心供电,1相为显存供电,1相为I/O供电。
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HIS HD 7850冰立方超频版提供了4相核心供电设计,每相配置了“1上2下”共3颗SO-8封装MosFET,使用了封闭式电感和万裕ULR系列固态电容。
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HIS HD 7870冰立方超频版采用公版PCB方案,5+1+1相供电设计,其中5相为核心供电,1相为显存供电,1相为I/O供电。
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HIS HD 7870冰立方超频版提供有5相核心供电,统一采用了DrMOS和MAGIC铁素体电感,其中DrMOS整合了上桥/下桥MosFET和驱动IC,输出滤波电容则统一使用了固态电容。
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