与长江存储的国资背景不同，合肥长鑫主要是合肥市政府、投资基金主推的项目，而且专注DRAM内存领域。与紫光的高调相比，合肥长鑫的DRAM项目一直很低调，低调到连官方网站都没有，但从媒体报道中又时常看到长鑫DRAM的进展，比如去年该公司进口了47.9亿元的设备，外贸额位列安徽省第二位。

去年10月份兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，目标是研发19nm工艺的DRAM内存，预计在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于10%，而这个项目就是跟合肥长鑫合作的，原来传闻的前日本尔必达社长坂本幸雄投资的香港兆基公司已经出局。

来自安徽商报的消息，位于合肥空港经济示范区的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备已全部到位，运营及研发团队全部入驻厂房办公区，今年下半年将投片试生产。据了解，长鑫今年有望造出第一颗“合肥造”的19纳米级12寸DRAM工艺的存储器，说的应该就是与兆易创新合作的那个19nm工艺内存芯片了。

目前三星、美光、SK Hynix早已经完成了20nm工艺DRAM芯片的研发，三星主力制程更是达到了新一代的18nm，不过长鑫的19nm内存芯片还不算落后，毕竟三大DRAM之后也只有台系的华亚科完成了20nm级内存工艺研发，而华亚科现在已经被美光全资收购。

合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆，安徽商报表示这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。

目前SK Hynix在无锡的DRAM晶圆厂月产能也就是10-12万片晶圆，这么看的话合肥长鑫这个DRAM产能真不低了，8%的全球产能足够影响很大市场份额了，别忘了当年无锡DRAM工厂大火导致全球DRAM市场大涨价呢。

目前唯一的问题就是国产19nm DRAM芯片的良率还是很低的，研发目标是不低于10%，这个水平是不可能量产的，要解决良率问题可能还要几年时间。

本次合作相比的预算达到人民币180亿元，兆易创新出资80%，另外的20%由合肥市产业投资控股集团承担，同时研发成品将优先提供给兆易创新。此次还印证了此前另一个重要资讯：兆易创新将和合肥睿力12英寸圆晶厂进行资源整合，将来会和紫光集团投资的长江存储科技和福建晋华集成电路有限公司在DRAM存储领域展开直接竞争。今年年初合肥睿力集团就宣布投资72亿美元兴建12英寸圆晶厂，期望产量能达到每月12.5万片，睿力预计在2018年第一季度启动设备安装计划。

兆易创新成立于2005年，是全球五大NOR闪存供应商之一，另外四家是Cypress，美光，Micronix和华邦电子，值得一提的是兆易创新也有生产38nm和24nm的MLC/SLC NAND产品，因此兆易创新现在已经涉足DRAM，NOR和NAND三大方向。另外兆易创新和合肥睿力阵营很有可能引起新一轮NAND市场竞争，长江存储科技主要是以3D NAND为主要研发目标（将来还会进军DRAM领域），两者已经有交集，这两个阵营会不会获得更多集团的投资仍有待观察。

兆易创新和合肥睿力计划在2018年年底前完成19nm工艺技术的研发和试产，期望良率10%，和UMC晋华的生产计划差不多，所以谁能抢先量产DRAM，谁就能夺得国内DRAM市场的头把交椅。