• Q2季度全球DRAM内存市场营收再创纪录,三星毛利率接近70%

    孟宪瑞 发布于1天之前 / 关键字: DRAM, 内存, 三星, SK Hynix, 美光

    今年的NAND闪存价格降了,但是DRAM内存价格还是居高不下,唯一的变化就是今年的涨价没有2016年、2017年那么夸张,Q2季度中全球DRAM内存市场营收达到了256.91亿美元,环比增长11.3%,创造新了新的记录。与Q1季度相比,DRAM内存整体涨幅只有3%左右,但显存颗粒由于挖矿需求升温而涨了15%,而下个季度的价格也确定了,还是继续涨,涨幅约为1.5%。

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  • 2018年DRAM内存产值将突破一千亿美元,韩国公司赚大了

    孟宪瑞 发布于4天之前 / 关键字: DRAM, NAND, 闪存, 内存, 存储芯片

    2017年的时候英特尔丢失了保持25年之久的全球第一大半导体公司,这不是因为英特尔下滑了,而是三星靠着DRAM内存、NAND闪存市场涨价而业绩大涨,这一年多来坐稳了全球第一大半导体公司。今年以来NAND闪存倒是降价了,但是市场还在增长,而DRAM内存市场更夸张,涨价止不住,预计今年DRAM产值将首次突破1000亿美元,NAND闪存也有626亿美元,两者都远高于全球PC及服务器处理器市场。

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  • Q3季度内存要降价,SK Hynix斥资15万亿韩元建设DRAM工厂

    孟宪瑞 发布于2018-07-28 13:49 / 关键字: SK Hynix, DRAM, 内存降价, 内存产能

    SK Hynix公司发布了今年Q2季度财报,当季营收10.37万亿韩元,同比大涨55%,净利润4.3万亿韩元,同比大涨75%。在过去的Q2季度中,DRAM内存芯片价格、出货量双双上涨,带动了SK Hynix业绩增长,不过Q3季度内存就要降价了,此时SK Hynix宣布投资15万亿韩元(134亿美元)在韩国建设内存工厂,2020年投产。

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  • 三星被曝抑制内存产能以防内存降价,半导体设备厂商遭殃

    孟宪瑞 发布于2018-07-16 09:36 / 关键字: 三星, DRAM, 内存, 缺货, 涨价

    DRAM内存及NAND闪存两大存储芯片去年的产值超过了1320亿美元,占了全球半导体芯片市场的三分之一,相比2016年的800多亿美元暴涨了65%,主要原因就是持续近两年的涨价所致,如今NAND闪存的价格已经由涨转跌,但是DRAM内存价格一直居高不下,这其中不是单纯的市场因素,三星作为全球最大的DRAM供应商被爆减产以控制内存价格,此举也导致了半导体设备供应商应用材料、LAM等公司的出货量短期内下降了10-25%。

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  • 美光DRAM/NAND路线图:96层3D闪存下半年出货,GDDR6在路上

    孟宪瑞 发布于2018-06-22 09:19 / 关键字: 美光, NAND, DRAM, 内存,闪存, GDDR6

    美光公司昨天发布了2018财年Q3季度财报,营收、净利润分别大涨40%、132%,创造了美光季度营收新高,可以说数钱数到手抽筋了。美光强劲营收的背后是存储芯片价格、产能大涨,64层3D NAND闪存已经大量出货,下半年还将推出96层堆栈的3D闪存,内存方面1Xnm工艺将在下半年成为主力,1Ynm年内出货,GDDR6显存也完成了验证。

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  • 美光发布2018 Q3财报:营收大涨40%,净利大涨132%

    孟宪瑞 发布于2018-06-21 17:12 / 关键字: 美光, 财报, NAND, DRAM, 存储芯片

    这一年了但凡有三星、SK Hynix及美光发财报,业绩一定是大涨,涨幅还会让其他科技公司羡慕不已——今天美光公司又发布了2018财年Q3季度财报,当季营收77.8亿美元,同比大涨40%,而净利达到了38.2亿美元,是去年同期16.5亿美元的2.3倍多。

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  • SK Hynix、三星18nm服务器内存爆良率问题,被要求暂停出货

    孟宪瑞 发布于2018-06-21 09:57 / 关键字: 三星, SK Hynix, 20nm, 18nm, DRAM, 内存芯片, 良率

    NAND闪存的价格在涨了两年之后终于下跌了,DRAM内存芯片的涨价还是个问题,除了需求居高不下之外,内存价格降不下来还跟市场格局有关,全球内存供应几乎垄断在三星、SK Hynix及美光三家公司中,其中韩国两家公司就占据3/4的全球份额。目前内存芯片也在经历20nm到18nm工艺的升级过程,三星是进展最快的,不过这两天有消息称三星及SK Hynix的18nm服务器芯片出现了良率问题,已被中国及美国的两家客户要求暂停出货。

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  • 三星对EUV工艺太激进了,2020年使用EUV工艺生产1Ynm DRAM芯片

    孟宪瑞 发布于2018-06-19 18:36 / 关键字: 三星, EUV工艺, DRAM, 内存芯片, 1ynm

    三星前不久宣布7nm LPP EUV工艺已经获得了Synopsys的认证,今年下半年就要量产,这将是全球首个EUV工艺,要比台积电、Globalfoundries等公司激进得多,他们要到明年的第二代7nm工艺才会考虑使用EUV工艺。除了处理器芯片,三星在DRAM内存芯片上也准备使用EUV工艺,预计2020年在1Ynm工艺上正式使用,而美光公司前不久才表示暂时不需要EUV工艺。

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  • 美光:下一代1Y nm工艺DRAM正在验证中,暂不需要EUV光刻

    孟宪瑞 发布于2018-06-04 15:21 / 关键字: 美光, EUV, DRAM, 制造工艺, 光刻, 1Y nm

    今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺,第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺,二代7nm才会上EUV光刻工艺,预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上EUV工艺?在美光看来,EUV光刻工艺并不是DRAM芯片必须的,未来几年内都用不上,在新一代工艺上他们正在交由客户验证1Y nm内存芯片,未来还有1Z、1α及1β工艺。

    内存行业在未来几年都不需要EUV光刻机

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  • 有问有答:CPU的缓存和内存用的是同一类型的存储颗粒吗?

    thesea 发布于2018-05-29 11:38 / 关键字: 有问有答, SRAM, DRAM, SDRAM

    先讲答案:它们不是同一类型的存储颗粒,CPU缓存基本上用的是SRAM,内存基本上用的是SDRAM,一字之差差之千里。

    图片来源slideplayer

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  • QLC刚出生就被嫌弃,等美光3D XPoint吧:2019直接上第二代

    孟宪瑞 发布于2018-05-22 15:22 / 关键字: 美光, QLC, 闪存, 3D XPoint, DRAM

    今天美光发布了2018财年Q2财报,史上最好营收让他们风光无比,而且在技术上也率先推出了QLC闪存——传闻已经的4bit MLC闪存真的来了,它也毫无疑问地被广大读者嫌弃了,尽管QLC闪存的各项指标还不错。看不上QLC也没关系,高玩们可以等等美光的大招,他们2019年将推出基于3D XPoint闪存的产品,而且是第二代的,性能、可靠性是NAND闪存的1000倍。

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  • 国产19nm DRAM内存下半年试产,未来可占全球产能8%

    孟宪瑞 发布于2018-05-21 12:03 / 关键字: 内存, DRAM, 合肥长鑫, 兆易创新, 19nm

    长江存储主导的国产3D NAND闪存已经开始安装光刻机等生产设备,预计今年下半年就要开始量产。相比之下,DRAM内存芯片因为难度更高,国内投入研发内存芯片的主要是合肥长鑫、兆易创新以及福建晋江/联电。最新消息显示兆易创新、合肥长鑫的国产DRAM将使用19nm工艺,预计下半年试产,项目建成之后产能可达全球DRAM产能的8%。

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  • Q1季度全球内存市场“喜提”历史新高,Q2再涨3%

    孟宪瑞 发布于2018-05-15 05:56 / 关键字: DRAM, 内存涨价, 内存降价, 三星

    肆虐两年的存储芯片涨价中,NAND闪存价格已经开始回落,SSD硬盘最近也降价不少,但是内存依然是玩家心中的痛,目前为止依然看不到降价的头。来自DRAMxChange的消息称,2018年Q1季度全球内存市场收入环比增长5.4%,创造了历史新高,而Q2季度内存合约价也定下来了,还要再涨3%。

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  • 涉嫌串谋抬高DRAM价格,三星、美光及SK海力士面临诉讼

    谭智耀 发布于2018-05-03 10:00 / 关键字: 诉讼, 美光, 三星, SK海力士, DRAM

    美国Hagens Berman律师事务所认为三星、美光及SK海力士共谋限制2016年至2017年的DRAM供应,目的是抬高DRAM价格从而获得更多利益,其明显表现为2017年DRAM价格较比上一年度上涨了47%——这是30年来最大幅度的DRAM价格涨幅。该律师事务所已经向美国加利福尼亚州北部地区法院提出诉讼,并在自家网站上开启一个名为DRAM Price Fixing的集体诉讼专题页面,收集2016-2017年曾购买相关用品用户的相关信息,例如智能手机、电脑及一系列数码产品等,该诉讼已受理有效,记录日期为2018年4月27日。

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  • 三星已量产10nm工艺16Gb LPDDR4X DRAM,主用于汽车

    谭智耀 发布于2018-04-27 09:28 / 关键字: 三星, DRAM, 10nm, LPDDR4X

    尽管我们可能要到2019年才能看到Intel基于10nm工艺的Cannon Lake处理器,三星已经宣布在批量生产汽车用基于10nm工艺的16Gb LPDDR4X DRAM了。这种10nm级别的DRAM同时具备高效能和高性能的特性,在高温的情况下其运行速度还能达到4266Mbps,相比目前市场主流的Samsung 20nm 8Gb LPDDR4X DRAM性能上增加了14%,在能耗方面降低了30%。

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