在全球DRAM内存领域，三星、SK Hynix及美光三大巨头占据了95%以上的份额，他们之外的第四到第六大DRAM厂商分别是台湾的南亚科、Winbond华邦科技及Powerchip力晶，力晶的全球分为为0.3%。钜亨网报道称， 在TSIA年会上，力晶创始人、执行长黄崇仁也谈到了内存领域的几个热点事情，比如美光与中国晋华公司之间的专利纠纷等。

对于美光、晋华的专利纠纷，黄崇仁表示他所了解的美光，就是要确保中国不能发展DRAM，且可确定的是，在此事件过后，中国将不会再有任何DRAM 厂能崛起，Flash（闪存）则另当别论。

至于明年的DRAM内存走势，黄崇仁认为福建晋华案之前，全球DRAM大厂怕晋华产能加入内存市场后，市场产能过剩，因此三星、SK海力士与美光三大厂，多决定不扩充产能，在明年市场没有太多新产能开出下，下半年可预期将会「很厉害」，DRAM又会开始缺货。

根据集邦科技旗下的DRAMeXchange的Q3季度全球DRAM内存市场报告，2018年第三季DRAM整体产业营收较上季成长9%，再创历史新高，不过第三季价格涨幅基本已接近持平，因此营收成长主要来自于位元出货量的持续提升。展望第四季，10月份的DRAM合约价已经正式走跌，除了宣告DRAM价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前，2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

克利夫兰研究公司分析师Chandler Converse日前也发表报告，预测Q4季度DRAM内存价格环比会降低8%到10%，明年Q1季度还会继续保持价格下滑的趋势。

根据他的报告，美光公司在11月份是最具进攻性的内存芯片公司，2018年大部分时间里美光的DRAM芯片价格都是最低的，三星公司则是匹配价格以作出反应，目的是维持该公司的市场份额，SK Hynix公司的DRAM价格则是最高的。

美光、三星及SK Hynix三家公司在DRAM内存市场采取不同的策略也跟他们的市场地位有关，三星公司是第一大DRAM公司，市场份额45.5%，SK Hynix公司则以29.1%的份额位列第二，美光公司Q3季度份额21.1%，相对前两家公司来说美光有抢市场的需要。

在内存涨价这个问题上，中国的发改委、商务部等主管部门已经多次约谈过相关厂商。今年早些时候，中国的发改委与三星电子正签署谅解备忘录，双方将在半导体行业加深合作，三星会扩大在中国的投资。

中国商务部反垄断调查局5月24日与美光代表举行了会议，对过去几个季度中内存芯片价格持续上涨表示担忧，涨价导致中国PC OEM公司面临很大的零部件压力。除了涨价事宜之外，这次约谈还有美光公司涉嫌不正当竞争有关，此前曾干扰上游供应商向中国福建晋华集团提供设备。

三星、SK Hynix及美光是全球主要的DRAM芯片供应商，三家占据了全球95%的份额，三星一家就占到全球的46%份额。2017财年三家公司半导体业务在中国营收依次分别为253.86亿美元、89.08亿美元、103.88亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

如果依据中国《反垄断法》第四十六、第四十七、第四十九条进行处罚，他们将会被处以上一年度销售额1%-10%的罚款，且需要考虑违法行为的持续时间，因此从2016年开始计算的话，三家公司的反垄断罚款额预计在8-80亿美元之间。

不过三星、美光及SK Hynix的反垄断调查最终结果还没有出炉，国新办今天上午就中国《反垄断法》实施十周年有关情况及展望举行新闻发布会。国家市场监督管理总局反垄断局局长吴振国在发布会上表示，根据举报，今年5月底市场监管总局对三星、海力士、镁光公司涉嫌实施垄断行为立案开展调查，从三家公司调查获取了大量证据资料。随后，又对数十家下游企业开展了调查取证，并对取得的证据资料进行梳理和甄别。

他表示，立案调查以来，三家公司的相关负责人也到市场监管总局反垄断局就案件进行沟通，反垄断局也向三家公司通报了案件的调查情况。目前，对这三家公司的反垄断调查已经取得了重要进展，下一步反垄断局将对案件的相关市场界定、市场支配地位的认定、市场支配地位的行为定性等方面开展研究论证，依法做好案件调查处理工作，维护市场公平竞争，保护消费者利益。

联电本月初发布的声明强调会严肃对待美方指控，全力应对这场诉讼。日前发布的第二份官方声明则更像是一个科普，因为联电要让不了解情况的外界明白一件事——外界存在错误的印象，认为联电没有DRAM技术，而美光是全球知名的DRAM技术公司，所以爆出专利侵权诉讼时很多人一边倒地相信没有DRAM技术的联电盗窃美光技术是成立的，而联电这个声明的目的就是向外界说明自己是有DRAM技术开发经验的。

联电公司详细声明如下：

联华电子是国际公认、台湾起家的半导体公司。38年来，在全球的供应链上，已经成为不可或缺的一员，先进量产技术达14奈米。对比之下，美光公司争执所涉及的DRAM技术，是32奈米，在联华电子的计画启动当时，已经是落后几个世代的技术。

社会上有一个错误的印象，认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验，这不是事实，而且是极端的不实。从1996年到2010年，联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上，联华电子内部DRAM团队人数，超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构，藉由坚实而稳定的团队，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说，现任联华电子共同总经理之一的简山杰，是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。另一个实例则是: Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一，该公司是一家总部位于美国的DRAM晶片设计公司，藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外，2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术，这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。

联华电子同意与晋华公司联合开发DRAM制程，这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目，在做成决策当时，只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易，已经向台湾政府正式提出申请，主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。值得一提的是，那时还未听说有中美贸易战。

自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术，履行合约义务，联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作过。

相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象，联华电子的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。简而言之，联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元，这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。

另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25奈米的DRAM技术。事实是，美光公司在2010年初，购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25奈米DRAM技术。

联华电子不要「在报刊上」进行这场诉讼，但联华电子要向我们的客户和投资人保证，联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责，将全力并积极地自我防卫。

美光表示其12Gb LPPDR4X颗粒是目前业界容量最高的，速度也是最快的——速度快倒是真的，不过美光的12Gb LPDDR4X内存并不是容量最大的了，三星早在4月份就宣布了16Gb核心容量的LPDDR4X内存了，频率同样是4266Mbps。

12Gb颗粒意味着单核心就有1.5GB容量，4核心就有6GB内存容量，8核心则是12GB内存了，明年差不多就会有12GB内存的高端智能手机了。

除了频率高达4266Mbps之外，美光表示其LPDDR4X内存还有能耗上的优势，功耗降低了10%。

美光的12Gb LPDDR4X内存使用了1Y nm工艺，官方表示是10nm级别的，这种说法经常会误导一些媒体同行，以为是10nm工艺的，它其实是1X nm之后第二代10nm级工艺，1X nm大概是16-19nm，1Y应该是14-16nm工艺，之所以这么模糊是因为20nm节点之后DRAM工艺也面临各种困难，线宽指标没有明确的数值了，所以用XYZ代替，在这之后还有1α及1β工艺。

美光5210 ION是一款企业级的SATA硬盘，2.5寸7mm的盘型，容量有1.92TB、3.84TB和7.68TB三种，使用美光64层堆叠3D QLC闪存，各个容量的连续读取速度均是540MB/s，写入速度分别为260MB/s、350 MB/s和360MB/s，4K随机读写性能分别为70k/13k、83k/6.5k、90k/4.5k IOPS。

它的主要目标是取代现在服务器上的万转硬盘，与之相比5210 ION的随机读取速度提高了175倍，随机写入速度提高了30倍，连续传输速度提升了两倍，每TB能效比提升了三倍，更重要的是体积小巧，2.5英寸的盘型可以让用户把两倍数量的5210 ION SSD装到一个2U机架里面，更节约空间，非常适合密集型工作负载，比如人工智能、机械学习、深度学习和实时分析、大数据、对象存储、商业智能、NoSQL数据库和媒体流等。

美光以TensorFlow负载为例，用5210 ION的时候TFRecord创建，摄取和图像分类速度是万转硬盘的八倍，100,000个图片2.3TB的数据在硬盘平台上耗时15.17，而美光5210 ION只用了1.87小时就完成了任务。

美光5210 ION目前已经大规模生产，已经向全球的分销商、经销商和系统制作商供货，具体价格没有说，不过美光表示可以与万转硬盘相媲美。

本周一美国商务部宣布制裁中国福建晋华集团，理由是涉嫌危害美国国家安全，晋华被列入出口管制实体清单之后将无法获得美国公司的半导体设备、技术及软件等。

周四美国司法部也宣布起诉联电及晋华公司，还有三名前美光公司员工，理由是这两家公司涉嫌窃取美国芯片厂商美光的知识产权及商业机密，该市场价值1000亿美元，给美光造成的损失将近90亿美元。

此事之后，美光方面也发表了声明，美光科技高级副总裁、法律总顾问兼董事会秘书Joel Poppen表示“我们对美国司法部决定就窃取我们知识产权的刑事犯罪行为提起诉讼表示欣慰。”

联电公司周五也发布了官方声明，指出美国检察官办公室发提起的诉讼与美光之前在加州发起的诉讼内容相同。联电对美国检察官办公室在没有事先通知并给与联电机会讨论此事的情况下就发起诉讼一事表示遗憾。

联电表示，联电是一家行业领先的台湾半导体公司，过去四十年来一直致力于开发先进集成电路及其他技术，投入了大量资源研究及开发新技术，并拥有数千项有效技术专利组合。联电将严肃对待任何可能违反法律的的指控，并全力以赴回应这次的指控。

昨晚涉事的另一方中国福建晋华集成电路有限公司也发表了声明，具体如下：

福建省晋华集成电路有限公司声明：

晋华公司始终坚定走自主研发路线，不断加大投入，开展内存存储器关联产品的研发、制造，取得了一批专利成果。晋华公司始终重视知识产权保护工作，不存在窃取其他公司技术的行为。

美光公司把晋华的发展视为威胁，采取各种手段阻止、破坏晋华的发展。美方将晋华列入美出口管制“实体清单”，并采取司法措施。对此，晋华公司坚决维护企业的合法权益，要求对方立即停止错误做法，便利和促进双方企业开展正常的贸易与合作。  

早前美国司法部长Jeff Sessions表示旧金山的大陪审团要求提起民事诉讼，阻止中国大陆及台湾公司转让技术，据悉这是一个价值1000亿美元的市场，其中美光公司控制了四分之一的内存市场份额，这是计算的核心。

司法部指责一家被美光2013年收购的公司的总裁2015年离职，并将价值87.5亿美元的商业机密带给了另一家台湾公司，并与一家大陆公司合作。

对于这些指控，联电公司今天也发表官方声明，指出美国检察官办公室发提起的诉讼与美光之前在加州发起的诉讼内容相同。联电对美国检察官办公室在没有事先通知并给与联电机会讨论此事的情况下就发起诉讼一事表示遗憾。

联电表示，联电是一家行业领先的台湾半导体公司，过去四十年来一直致力于开发先进集成电路及其他技术，投入了大量资源研究及开发新技术，并拥有数千项有效技术专利组合。联电将严肃对待任何可能违反法律的的指控，并全力以赴回应这次的指控。

据悉联电公司已经委托律师团队处理此事，将全力捍卫公司及股东利益。

来自multichannel的消息，美国司法部长Jeff Sessions表示旧金山的大陪审团要求提起民事诉讼，阻止中国大陆及台湾公司转让技术，据悉这是一个价值1000亿美元的市场，其中美光公司控制了四分之一的内存市场份额，这是计算的核心。

司法部指责一家被美光2013年收购的公司的总裁2015年离职，并将价值87.5亿美元的商业机密带给了另一家台湾公司，并与一家大陆公司合作。

如果被定罪，被告可能会被判处15年监禁，中国大陆及台湾公司将受到200亿美元的处罚。

在美国商务部、司法部入局之前，美光与联电/晋华之间已经展开了法律诉讼，美光在美国加州联邦法院提起诉讼，指责晋华及联华通过美光台湾公司的员工窃取商业机密，目前该案还在审理中。不过联华、晋华今年1月份在中国大陆也发起了诉讼，反击美光的专利侵权指控，7月份福州法院就关于美光半导体销售(上海)有限公司等先行停止侵犯涉案专利权作出了民事裁定书，美光在与联电专利侵权诉讼期间，美光必须立即停止在中国大陆销售及制造部分DRAM、SSD硬盘产品。

美光随后发表声明否认侵权指控，法律事务总顾问Joel Poppen表示中国法院的裁决是不公平的，自己根本没有辩护的余地，况且美光产品并没有侵犯其中的专利。因此会继续寻求侵权辩护的权利，也不会影响到现在与客户、合作伙伴的合作。

美国商务部长罗斯本周一宣布制裁中国晋华集团，理由是晋华生产的DRAM内存芯片有严重风险，会威胁到为美国军方提供芯片的美国公司，他在一份声明中指出“任何外国公司如果参与违反美国国家安全利益的活动，我们将采取有力行动以保护国家利益。”

被美国列入制裁名单之后，任何美国公司都将被限制向晋华集团出口产品、技术及软件，除非得到许可，理论上依然有可能出口，但分析认为这种许可申请普遍都会被驳回。

对于晋华集团，公司官网介绍如下：

福建省晋华集成电路有限公司(简称晋华集成电路，JHICC)是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的先进集成电路生产企业。公司与台湾联华电子开展技术合作，投资56.5亿美元，在福建省晋江市建设12吋内存晶圆厂生产线，开发先进存储器技术和制程工艺，并开展相关产品的制造和销售。晋华集成电路已纳入中国「十三五」集成电路重大生产力布局规划，公司将以实现集成电路芯片国产化为己任，旨在成为具有先进工艺与自主知识产权体系的集成电路内存（DRAM）制造企业。

在被美国政府制裁之前，晋华与美国的美光公司发生了专利纠纷，不过双方并非直接冲突，美光指责的是晋华的技术合作方联华电子侵犯美光专利，联华电子在大陆提起反诉，双方对簿公堂，7月初中国福州法院裁定在诉讼期间美光必须停止生产、销售部分SSD硬盘及内存产品。

今年上半年中国反垄断部门曾经约谈过三大内存芯片生产商，询问涨价事宜，其中美光公司因为严禁合作伙伴向晋华集团出口半导体生产设备及技术而被单独约谈过。

得益于持续两年的涨价，2017年包括DRAM内存及NAND闪存在内的全球存储芯片市场价值增长到了1300多亿美元，2016年时只有800多亿美元，今年则会进一步增长到1600多亿美元，其中仅是DRAM内存就有1016亿美元，这是首个产值突破1000亿美元的半导体芯片，而这跟内存芯片居高不下的价格息息相关，并不只是单纯的需求推高的。

对于明年的内存芯片市场走势，市场分析人士普遍认为价格会下跌，但是DRAM厂商的意见并不一样，此前三星就表示2019年内存需求不会走弱，而美光副总Manish Bhatia在台湾的活动上也表示2019年的DRAM内存市场相对健康，供应链还会持续增长，言外之意就是明年内存不可能大降价，这一点上他们的表态倒是跟三星很一致，如果采访SK Hynix公司，估计后者也会是类似的表态，绝无可能从上游厂商口中得到看衰DRAM芯片的信息。

2019年中美光的资本支出从2018财年的85亿美元增长到了105亿美元，这次美光在台湾的投资就是其中的一部分，Manish Bhatia表示将会持续投资DRAM内存及NAND闪存，但是两个产品的重点是不一样的，与2018财年相比，NAND闪存的产能投资在2019财年会降低以便应对市场需求。

在这个问题，美光的打算也跟NAND市场持续降价的情况有关，前不久西数发布的财报中就是显露出了NAND厂商增收不增利的问题，主要原因就是NAND闪存价格大跌，美光也会受到这个问题影响，削减NAND产能是调整市场需求的一部分。

2006年英特尔与美光合资成立了IMFT公司，位于美国犹他州，当时生产的还是72nm、50nm工艺的NAND闪存，之后一路升级到34nm、25nm、20nm NAND，这时候IMFT的2D NAND闪存还是领先的，更是第一家推出20nm 128Gb核心的闪存厂，不过在3D NAND时代IMFT的速度就落后于三星、东芝等公司了，其中很大一个原因是英特尔、美光在技术上的分歧，因为3D NAND时代很多厂商转向了电荷捕获（Charge trap）技术，英特尔、美光一直是浮栅极（Floating Gate）技术的代表，不过美光最终决定转向CTP技术，英特尔不为所动，双方在技术路线上有了分歧，此事据悉是双方分手的原因。

从去年开始双方就决定分手了，后续的只是处理好双方的“财产”而已，其中合资公司IMFT将被美光获得，英特尔所持有的股份之前已经有过减持，今天美光宣布将从2019年1月1日起行权收购剩余的英特尔股份，预计6到12个月内完成交易过程，美光将出资15亿美元收购后者的股份并承担债务，交易结束后IMFT将成为美光全资子公司。

不过双方的合作关系还会继续，今年7月份美光、英特尔宣布联合开发第二代3D XPoint闪存，预计在2019财年下半年完成，预计2019年底推出3D XPoint产品，2020年产生收入。此外，根据双方的协议，美光收购IMFT之后依然会向英特尔供应3D XPoint闪存，期限一年。

英特尔推出IMFT之后，NAND闪存已经可以有中国大连的Fab 68工厂生产，英特尔公司三年前宣布将中国大连的Fab 68晶圆厂改造为NAND工厂，今年9月底正式投产，未来大连Fab 68工厂将成为英特尔最重要的NAND闪存生产基地，70%的3D NAND闪存将产自这里。

至于3D XPoint闪存，英特尔已经把研发中心转移到新墨西哥州奥兰珠市的工厂，预计会增加100多个工作岗位，不过还没有专门的3D XPoint闪存工厂，IMFT被收购之后还需要美光供应芯片。

美光日前举行了Micron Insight 2018大会，邀请亚马逊、宝马、谷歌、高通、微软、NVIDIA和伟世通，还有麻省理工的教授、作家及探险家共聚一堂，探讨AI人工智能、机器学习、深度学习等新兴技术。在这次大会上，美光宣布成立1亿美元的投资基金，投向AI领域的初创公司，其中20%会投向女性及弱势群体领导的公司。

由于担心内存市场明年从涨价转向降价，美光此前一段时间被分析师看衰，股价也在下跌，美光投资AI领域也是有多方面考虑的，在新兴领域寻找机会就是其一，顺便也提振公司股票，因为美光宣布投资AI之后，摩根大通分析师已经上调了美光公司目标股价到75美元，看好美光未来发展。

对美光来说，AI市场扩大对内存及闪存也是个利好。今年上半年的财报会议中美光就指出AI训练对内存、闪存的需求量都会大幅增加，预计2021年的时候AI训练需要搭配2.5TB内存，所需的闪存容量也增加到20TB，远高于标准负载。