美光在一个多月前就宣布，计划在未来十年内，在全球范围内投资超过1500亿美元，用于内存制造和研发（R&D），包括提高晶圆厂的产能，以满足内存不断增长的需求。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra曾表示，内存处于半导体制造的前沿，为从功能丰富的5G智能手机到支持人工智能的云计算提供动力。美光在DRAM和NAND技术方面处于领先地位，希望将存储器创新扩展到下一个十年，并为客户提供差异化产品。

目前内存及存储芯片在全球半导体市场中的份额约为30%，而且在不断增长，美光的投资有助于进一步的技术研发。

虽然美光和联华电子都没有透露这笔款项的具体金额，但美光最终不得不在其财务报告中披露，结果仍然是无法隐瞒。美国司法部在2018年11月对联华电子提起诉讼，内容为非法获取了生产DRAM所需的关键知识产权和商业机密（具体指的就是工艺技术），不过在2020年10月双方达成了一项6000万美元的和解协议。

早在2017年，美光就因相关问题对联电提起诉讼，表示对方从其中国台湾的子公司挖走工程师，并要求提供美光制造技术的规格和其他特性。随后联华电子也做出了反击，指控美光侵犯了其授权的专利。随着美国司法部和联华电子达成和解，美光和联华电子之间持续四年的知识产权纠纷也得到了解决的机会。

联华电子是目前世界第三大晶圆代工厂，仅次于台积电（TSMC）和三星，拥有十二座晶圆厂，其中四座为12英寸晶圆厂、七座为8英寸晶圆厂、以及一座6英寸晶圆厂。美光则是世界主要半导体储存及影像产品制造商之一，存储技术也处于领先位置，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器等。

据了解，部分AMD Radeon RX 6000系列显卡已开始采用美光的GDDR6显存，早期主要是搭载Radeon RX 6600/RX 6700系列GPU的产品，预计在2021年第四季度内就会开始出货。

美光是在2019年开始采用1z工艺生产DRAM颗粒，是其第三代10nm级工艺，按一般半导体工艺理解，大概是在12-14nm级别。目前美光已开始使用1α工艺节点生产，首款采用新工艺的8Gb DDR4芯片在今年已经批量出货了。与很多竞争对手不同，美光至少在未来几年内都不会使用EUV光刻技术来生产存储芯片，但仍需要增加存储芯片的密度以降低单位成本，因此要通过使用新材料等其他技术手段来缩小DRAM芯片的尺寸。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，内存处于半导体制造的前沿，为从功能丰富的5G智能手机到支持人工智能的云计算提供动力。美光在DRAM和NAND技术方面处于领先地位，希望将存储器创新扩展到下一个十年，并为客户提供差异化产品。

近日有媒体指，美光近期可能会将位于日本广岛的生产基地进行扩建。新建的晶圆厂将会在2024年投入使用，主要生产数据中心所使用的DRAM，预计将创造 2000至3000个就业机会。

不过在现今的制造业里，供应链可能会遍布全球各个地区，使得生产上会有更多不确定性，近期中国台湾、印度和马来西亚等地区新冠疫情变得严重，又为供应和业务前景蒙上了阴影。美光目前在中国台湾的晶圆厂负责生产DRAM芯片，新加坡的晶圆厂负责生产3D NAND芯片，在马来西亚则设有测试、包装和组装的业务，并在印度有研发设施。美光因为马来西亚的新冠疫情变得严重，不得不减少产能，以确保生产的安全。

不同地区的新冠疫情反复似乎只是一个短期的问题，但对芯片的普遍高需求和供应的不确定性足以对未来几个季度的3D NAND和DRAM芯片产生影响。美光表示，半导体行业在未来几个季度几乎无法满足对芯片的需求，预计到2022财年供应仍会持续紧张，使美光处于有史以来最好的位置。

这间位于犹他州Lehi市的3D XPoint闪存芯片厂还拥有一支技术队伍，在先进半导体制造方面有很好的技术和经验。德州仪器将在交易完成后，为该厂所有员工提供机会，并打算在这间晶圆厂部署自己的技术。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：

“我们很高兴与德州仪器达成协议，因为它是一个行业领导者，重视这间晶圆厂的优秀团队，以及该厂提供的技术能力。我们非常感谢Lehi团队对美光的贡献，以及美光与当地社区的合作和参与。”

在今年3月份，美光宣布将停止所有基于3D XPoint技术产品的进一步开发，并为数据中心业务寻求新的解决方案，未来会将重点转移到开发支持Compute Express Link（CXL）标准的内存产品上，计划将3D XPoint技术上的研发成果和资源投入其中。美光相信CXL在计算、内存和存储之间可提供高性能的连接，以满足人工智能和数据分析的工作负载要求。

与很多同行业的竞争对手不一样，美光至少在未来几年内都不会使用EUV光刻技术来生产存储芯片。美光也需要增加存储芯片的密度以降低单位成本，因此要通过其他技术手段来缩小DRAM芯片的尺寸，包括使用新材料。美光1α与1Z工艺节点相比，单位密度提高了40%，功耗下降了20%，同时还能提供更好的潜在性能。

目前使用1α工艺节点生产的8Gb DDR4芯片已经批量出货了，这也是使用1α工艺节点的第一款芯片。在这个月末，美光还会出货使用1α工艺节点生产的LPDDR4X芯片，最终整个产品线都会向1α工艺节点过渡，包括DDR5、HBM2e和GDDR6/GDDR6X芯片。美光首先在中国台湾台中的A3晶圆厂使用了1α工艺节点进行生产，接下来其他晶圆厂也会使用这项新技术。同时美光已完成基于1α工艺生产的DDR4内存在最新服务器平台上的验证，包括AMD第三代EPYC（Milan）系列处理器。

美光还展示了用户服务器的DDR5内存模块，并透漏其DDR5技术赋能计划的情况，有望在今年晚些使用出货DDR5 DRAM IC和内存模块。美光是第一家公开分享DDR5开发进度的企业，由于新一代内存技术和以往的标准有很大的不同，需要各方尽早合作做好准备。

美光在2020年启动了DDR5技术赋能计划（TEP），目的是使支持DDR5内存的平台得到更好的开发，为开发者和使用者提供所有的关键技术信息，同时美光还会向参与这项计划的成员提供DDR5内存的模块和零配件样品。

2450系列SSD针对的是主流PC市场，提供了M.2 2280/2242/2230三种不同外形的规格，并提供了256GB、512GB和1TB三种容量。其中256GB版本的顺序读写速度分别为3600MB/s和1600MB/s，4K随机读写分别为190000和400000 IOPS。512GB和1TB版本的顺序读写速度分别为3600MB/s和3000MB/s，前者4K随机读写分别为380000和500000 IOPS，后者4K随机读写分别为450000和500000 IOPS。

3400系列SSD则是针对高性能应用的市场，采用M.2 2280规格，提供了512GB、1TB和2TB三种容量。其中512GB版本的顺序读写速度分别为6600MB/s和3600MB/s，4K随机读写分别为360000和700000 IOPS。1TB和2TB版本的顺序读写速度分别为6600MB/s和5000MB/s，前者4K随机读写分别为630000和700000 IOPS，后者4K随机读写分别为720000和700000 IOPS。

美光表示2450系列和3400系列SSD使用了自研主控芯片，支持NVMe 1.4，但配置上可以更加灵活，如果有必要，可以使用第三方的主控芯片。鉴于存储设备的芯片短缺情况也颇为严重，美光这种做法并不奇怪。

除了推出2450系列和3400系列SSD以外，美光还将其96层3D NAND闪存用于旗下首款UFS 3.1汽车级存储设备上。与美光原有的UFS 2.1存储设备相比，其持续写入性能提高了50%，并计划在今年第三季度投入生产。

3D XPoint技术是英特尔与美光长达10年共同研发的革命性存储技术，于2015年首次对外宣布其合作成果，2018年双方结束了联合开发工作，美光以15亿美元买断了英特尔对应的业务。虽然英特尔继续在傲腾产品线上使用3D XPoint闪存芯片，但依赖美光的供货，双方的供应协议将在今年年底结束。美光打算保留其手上与3D XPoint相关的所有知识产权，这点不会因为出售3D XPoint闪存芯片厂而改变。

英特尔在新墨西哥州的晶圆厂中为自己的傲腾产品线生产3D XPoint闪存芯片，但不清楚其具体产量。虽然英特尔已经将NAND闪存业务出售给了SK海力士，但仍可能接盘美光这间晶圆厂以保证自己产品线的供应，毕竟英特尔在数据中心等企业产品线中仍然提供使用3D XPoint技术的相关产品。

美光曾公布了几款基于3D XPoint闪存芯片的存储设备，例如X100，但一直没有正式上市，这使得英特尔成为唯一出售采用3D XPoint闪存芯片产品的供应商。

美光表示，未来会将重点转移到开发支持Compute Express Link（CXL）标准的内存产品上。CXL作为一个开放的内存标准，美光计划将3D XPoint技术上的研发成果和资源投入其中。

除了我们熟知的芯片供应紧张致使消费者难以购买流行的游戏机（例如微软的Xbox和索尼的Playstation）之外，全球芯片短缺还使福特汽车公司和通用汽车公司的生产线闲置，汽车制造商的高管们预计这将损失数十亿美元的利润。

短缺的芯片主要是采用先进制程生产的最新研发的芯片，这部分芯片的生产主要在我国台湾和韩国等地区制造，它们已经主导了整个行业。显然美国芯片行业不希望这样的情况继续下去，美国半导体工业协会发出的这封信说，美国半导体制造业的份额从1990年的37％已经下降到今天的12％。该组织表示：“这主要是因为我们全球竞争对手的政府提供了巨大的激励措施和补贴来吸引新的半导体制造设施，而美国则没有。”

美国国会去年批准了对芯片制造和半导体研究的补贴，但立法者仍必须决定要提供多少资金。美国芯片组织敦促拜登政府以赠款或税收抵免的形式提供此类资金。美国半导体工业协会在信上写到：“与国会合作，您的政府现在有一个历史性的机会来资助这些计划，使它们成为现实。” “我们认为需要采取大胆的行动来应对我们面临的挑战，无所作为的代价很高。”

纵使美国半导体工业协会希望拥有自己的一亩三分地可以自耕自种，但是目前全球分工的趋势越来越明显，即使是坚持自己制造芯片的英特尔也传闻已经与台积电签订了协议，将在3nm工艺节点上生产处理器，预计将在2022年下半年投入量产，这也是目前对于英特尔来说可以与AMD保持竞争的较好的处理方式。

坏消息2020年12月初，美光在中国台湾的晶圆厂遭遇了两次生产中断。12月3日，美光位于桃园市附近的11号晶圆厂突然停电，持续了一个多小时，导致工厂瘫痪。随后，中国台湾东北沿海发生6.7级地震，迫使美光在12月10日将其桃园附近的11号晶圆厂和台中附近的16号晶圆厂生产下线。美光在12月4日的时候表示，停电的影响微乎其微，11号晶圆厂将在随后几天内恢复正常运行，12月11日又发表报告称，16号晶圆厂没有发现问题，显然这两次生产中断足以影响美光本季度DRAM的供应。

由于美光没有提供足够清晰的数据，因此目前不能确定美光出货量的减少对整个DRAM价格的影响有多大，也不清楚是否已经将其计入当前的价格中。同时美光表示，DRAM的需求在逐渐增加，定价也在逐渐增加。事实上，虽然晶圆厂的生产中断让美光损失了不少钱(设备闲置时会带来损失)，但价格的上涨和需求的增长让美光卖掉现有库存就能获利。

好消息在美光2021财年第1季(截至2020年12月3日)约57.73亿美元的营收中，DRAM业务占了70%，也就是40.56亿美元。图形内存又在其中占了一部分，这是一个可以带来可观的利润的高利润业务。在本季度，美光开始出货GDDR6X显存以及HBM2E显存，由于AMD、微软、英伟达和索尼的产品都使用了8GB到16GB的GDDR6新产品，使得美光在夏季和秋季大幅增加了GDDR6的出货量。

面临的问题个人电脑、游戏机、显卡、服务器和智能手机的强劲需求明显增加了对内存的需求，从而推动了DRAM的价格。 问题是，供应链中断导致特定组件的短缺，这种需求无法得到满足，反过来这些短缺限制了对内存等产品的需求，要不是内存的总体产量还能更高一些。 

事实上，封装组件的短缺影响了AMD、苹果和英伟达等公司的供应，显然限制了DDR4、GDDR6/GDDR6X和LPDDR4X的需求。美光负责人在电话中强调，其公司在2021财年第1季度还没有面临化学品或耗材的短缺，然而他承认，现在的半导体行业在生产供应链上存在问题。

美光桃园林口长昨天下午大概停电了1小时，本次停电并非又地震、火灾等外部因素引起，目前厂区设备在恢复供电后已经正常运作，预计几天内会恢复产能。美光在桃园林口厂区主要以生产DDR4和LPDDR4为主，从第三季的生产状况来看，1X nm工艺的占了70%，1Y nm工艺的占20%，是美光的DRAM生产重镇，月产能12.5万片，占全DRAM总产能的10%，本次停电必然会对还在生产线上的晶圆造成影响，损失还在评估中。

实际上前段时间才传出由于DRAM的出货价疲软，各个生产厂有打算控制产能让价格走稳的消息，现在美光就来玩这个，这事情对DRAM市场的影响应该不小，有趣的是这消息出来后美光的股价涨了2%，就是因为可能有利于DRAM内存的定价。