其实美光早在2017年4月份就宣布了自己的3D XPoint产品品牌——QuantX，但直到两年多以后的今天他们才推出首款正式产品，这期间大概是出现了什么问题。新的X100是一款针对高端企业用户的产品，采用NVMe协议和PCIe 3.0 x16的接口，不过美光并没有将这款新产品归入到原先的QuantX系列下，而是直接命名为X100，看上去他们可能已经放弃了QuantX这个系列了。

美光也没有披露太多X100的性能详情，从官网的信息来看，X100的顺序读写速度突破10GB/s，4K随机吞吐量约为2.5M IOPS，持续性读写延迟比NAND SSD要低上11倍，在混合场景下也可以保持9GB/s的传输速度，这些性能数据已经足以让它成为目前最强的SSD，展现出3D XPoint闪存的强大实力。在美光罗列的数据中，X100的读写延迟比Intel的傲腾系列还要低上两个微秒。

不过美光也宣布这款X100是仅出售给部分用户的限量样品，消费级市场上想要看到美光的3D XPoint闪存还要等一等。不过3D Point的价格肯定也是奇高的，它现在提供的是一种介于内存与NAND SSD之间的高速存储介质，Intel甚至直接把它当成系统内存来用，直接做成DIMM封装形式，并且在自家处理器上面对内存控制器进行了一点修改以支持3D XPoint，就不知道美光未来会拿3D XPoint干些什么事情了。

根据台湾中央社的报道，美光在台中扩建的A3工厂主要是扩大无尘工作室以容纳更多的设备，并且进行设备升级，预计明年第四季度完工，扩建此工厂的目的是为了准备下一代DRAM内存芯片的生产，也就是DDR5内存，而此前扩建新加坡Fab 10工厂的目的则是为了生产96层堆叠的3D NAND，两个工厂的扩建目的有所不同。

另外美光还将进一步投资台湾，在台中继续寻求新用地，不过他们否认了要在台中兴建A5工厂的传闻，所以并不清楚美光准备在台湾新建些啥。

至于扩建工厂是否会增加产能，美光给出的答案是否定的，美光在全球的扩厂计划并不打算增加晶圆产能，毕竟现在DRAM和NAND的价格都在不断往下掉，完全供过于求，继续增大产能是不必要的，还不如趁此机会升级工厂已准备下一代产品的生产，这也是美光这次升级新加坡Fab 10工厂和台湾A3工厂的目的。

美光Fab 10 Expansion是由原来的Fab 10N和Fab 10X所组成的，根据官方的数据，厂房占地面积165000平方米，不过美光并们没有透露无尘厂房面积，以及有没有扩建别的东西。现在新厂房正在进行设备安装，预计今年内心的厂房就可以生产96层堆叠的3D NAND，他们只要求产能与现在一样，符合市场对闪存的需求就可以了，并不会增加产能。

随着3D NAND堆叠层数的增加，每个晶圆必须在化学气相沉积机器中花费更多的时间，这意味着蚀刻它们需要更多的时间，这意味着如果想新工艺的闪存维持和现有一样的产量就必须在无尘厂房中配备更多多的CVD和蚀刻机，所以美光需要扩建厂房来维持闪存产量，当然了闪存晶圆的产量虽然没变，但是生产出来的闪存容量就要大得多了。

除了扩建新的厂房外，美光还扩大了他们在新加坡的研发业务，他们的NAND Center of Excellence将进行技术开发与产品工程，希望以此提高Fab 10的产量和生产效率。

根据BusinessKorea的报道，三星NAND产品的价格一直在下跌，其中128Gb（16GB） MLC NAND闪存的单价在今年6月份已经降到了3.93美元，是2016年9月3.75美元后的最低价格。作为对比，在去年6月到7月左右这款NAND闪存的单价为5.5美元左右，而且在最近出现了小幅上涨。

在停电事故发生后，东芝的NAND闪存产量都减少了20%以上，其代工的西部数据也同时受到了影响。由于东芝和西部数据两家的产品市场份额总计高达35%左右，目前三星和SK海力士等企业需要尽快填补市场空缺，因此库存受到了很大影响。

目前闪存大规模用于民用和商用电脑领域，被智能手机、固态硬盘和可穿戴设备等产品大量采用，根据业内人士的观点，全球半导体市场将在2020年上半年恢复产能，因此价格上涨不会持续太长时间。此外，目前NAND价格上涨反映出了制造商的消极情绪，因为除了三星电子，其他的闪存制造商目前均处于亏损状态。

作为目前主要的3D QLC闪存供应商，美光不仅将这些闪存用于自家民用级和服务器NVMe/SATA固态硬盘和microSD存储卡等产品，并且也向其他固态硬盘生产商供应3D QLC闪存颗粒。与TLC和MLC相比，3D QLC的价格非常具有竞争力，所以相关产品的价格也非常便宜，例如采用QLC颗粒的英特尔660P 2TB版最近的报价一直在1100元左右，折合每GB价格仅为0.5元到0.6元。这使得他们对然在性能和寿命方面无法与其他产品相比，但是目前也受到了许多客户的青睐。考虑到这些方面，美光用于固态硬盘的3D QLC闪存在上季度出货量增长75%也就不足为奇了。

根据SK海力士此前的分析，TLC闪存产品目前占据了NAND闪存市场总量的85%，因此3D QLC需要经历很长的时间才能在市场占有量方面对TLC造成威胁。当然大家也不需要看到QLC就开始一味的抵制，由于容量够大并且价格够便宜（比如之前提到的售价1100元左右就可以买到2TB的英特尔660P），所以QLC固态硬盘用在游戏盘等方面是个不错的选择，并且能够大幅减少游戏读盘时间。

此外，美光表示3D闪存目前仍然存在供过于求的状况，随着96层3D闪存产能的增加，市场局面会更加严峻，因此美光接下来会继续调整闪存产能，减产幅度将从一个季度前宣布的5％增加到10％。

为了制造一根32GB的内存条，厂商需要单颗容量为16Gb的内存颗粒，而这需要使用最先进的DRAM生产科技：第二或第三代10nm工艺。直到最近，这种工艺只有三星能够提供，但是其主要用来生产服务器使用的高端RDIMMs和笔记本或移动工作站使用的SO-DIMMs。而现在美光也开始提升16Gb DDR4内存颗粒的产量了，所以今年下半年将有两家高容量内存供应商。美光官方并未宣布开始供应16Gb DDR4内存颗粒，不过许多内存条制造商已经开始展示基于此的32GB内存。

威刚作为美光的最大客户，在本次的台北电脑展上展出了32GB的UDIMMs内存。虽然官方只是说了没有使用三星的颗粒，并未具体说明是使用了哪家的颗粒，不过基于威刚与美光的关系，不难得出结论。

威刚目前还未透露32GB内存的发布计划，但可以预计今年晚些时候将会上市。价格方面就不用期待会便宜了，毕竟需要这么大内存的用户钱包也不会小。

在欧盟的反垄断调查名单里，英特尔、谷歌、微软、Facebook等美国公司是欧盟的常客，三星也不例外，从显示器到智能IC再到手机等产品都遭遇过欧盟的反垄断调查，内存反垄断也不是第一次，2010年5月份欧盟就针对三星、Hynix、英飞凌、尔必达等9家公司开出了4亿美元的罚单，理由是这9家公司成立了价格联盟，其中三星是被罚款最多的，将近占了总罚款额的一半。

与9年前相比，如今的内存市场更加寡头化了，当时还有9家内存芯片厂商被罚，但是此前名单中的英飞凌、尔必达、NEC、东芝、日立要么破产、要么被收购、要么就退出内存市场了，如今内存市场是三星、SK Hynix及美光为主，三家占了全球份额的95%以上。

2016年内存涨价刚开始，就有分析认为这次的内存全球性缺货并不完全是市场因素，怀疑背后有人操控价格的大有人在，不过反垄断调查这事往往要经历很多年的调查，想要拿出有说服力的结果并不容易，欧盟的反垄断调查也只是刚开始问询，未来走向如何还言之过早。

在欧盟之前，中国商务部下属的反垄断部门曾经调查了三大厂商，当时有媒体报道称中国反垄断机构派出多个工作小组，分别对三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证，标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。

如果依据中国《反垄断法》第四十六、第四十七、第四十九条进行处罚，他们将会被处以上一年度销售额1%-10%的罚款，且需要考虑违法行为的持续时间，因此从2016年开始计算的话，三家公司的反垄断罚款额预计在8-80亿美元之间。

继续摩根大通下调美光股票评级之后，Cowen分析师Karl Ackerman也跟进下调美光股票评级，并且将目标股价从46美元降至45美元，理由是市场竞争环境正在发生根本性变化，美光在3D NAND闪存领域的成本优势正在遭到侵蚀，DRAM内存降价也会导致美光公司2020年的盈利会下滑。

在Karl Ackerman的报告中，除了内存降价的影响之外，他还提到了美光3D NAND闪存的问题，认为2020年他们的成本优势就会被削弱，导致美光3D NAND闪存落后于行业，这将会限制该公司抵消供需失衡带来的价格波动的能力。

至于未来，虽然美光等存储芯片领域的公司预计今年下半年（最迟Q4季度），内存芯片市场就会复苏，但是Karl Ackerman调查的结果没这么乐观，他研究了内存及闪存经历的7次行业周期及供应链情况，认为这次的低谷会持续几个季度，NAND闪存及DRAM内存价格改善要等到2020年Q1季度才有可能出现。

他们预计2019年内存及闪存芯片平均销售价格将降低40%，内存芯片的毛利率将从今年Q1季度的59%跌至Q4季度的36%，到了2021年毛利率才有可能在36-37%范围内正常化。

美光收购晋华的新闻只在微信朋友圈传播，搜了下国外媒体都没有相关报道，所以这个说法是愚人节传闻罢了。不过晋华解决与美光之间的争议的说法并不是今天才有，此前就有消息称美光、晋华的专利纠纷也是中美贸易谈判之中的一个议题，而且双方已经找到了和解的方式，只不过目前双方的谈判还没有正式公布，消息还不能宣布。

美光与晋华之间的纠纷有没有可能解决？这事有很多可能，美光如果坚持到底一定要搞死中国内存公司，这不是不可能，再加上有美国政府的制裁，晋华公司无法购买很多关键性的生产设备，哪怕有政府基金背景，晋华活不下去也是有可能的，这是可能的一个结局。

不过美光及美国政府方面的人应该也明白，中国发展半导体的决心是不会停的，晋华挂了，依然会投资其他内存公司。如果美光坚持双方鱼死网破，美光在中国这个全球最大的半导体市场上的前景恐怕也会遇到障碍，美光借政府之手搞死晋华，反过来也有可能会遭到报复，来而不往非礼也。

如果两边都够理性，那么你死我活的结果不会是美光想要的，也不是晋华想看到的，那么和解就是唯一的选择了。美光指责晋华的一个关键是就是专利侵权，不过专利这个东西往往只是个幌子，全球所有打专利侵权的官司中，死磕到底的非常少，最多的选择还是双方和解，该出钱的出钱，该授权的授权。

晋华之所以跟联电合作就是因为晋华公司本身不具备DRAM内存开发能力，三星、SK Hynix及美光等公司当时不可能给中国公司技术授权，所以晋华退而求其次选择了跟联合合作研发，但是这个合作现在看来败笔很多，联电虽然宣称有丰富的DRAM内存技术，但那都是20多年前的，依然要研发新的DRAM技术。

从公开报道来看，晋华这边是出钱出设备给联电，联电在台湾研发技术，双方共享，明显把主动权让给联电了，而联电为了加快内存技术开发，在台湾招募的研发人员中有很多是来自华亚科等公司的，而华亚科前两年就已经被美光全资收购了，双方的梁子就是这么结下的。

与长江存储、合肥长鑫自己研发内存、闪存技术同步，晋华的选择理论上是最节省时间的，但是自己“偷懒”的后果就是这样了，在被美国制裁之后，联电方面也停止了为晋华研发内存技术，事实证明晋华这样的选择很不靠谱。

现在的问题是美光、晋华如何解决问题？晋华公司在被制裁之后低调了很多，据传公司业务现在已经停摆了，此前也有报道说晋华尝试与美光和解，搜一下“美光放弃对晋华的诉讼”就有很多消息，但这些都是单方面的，尚不足信。

美光、晋华的问题要想解决，指望这两家公司是没可能了，假如能够解决的话，也是因为中美贸易谈判的作用，之前流传的说法中提到中国承诺6年内购买2000亿美元的美国芯片，不过要求美国公司在中国封装，这个提议是双赢的。

考虑到中美在半导体产业上的互补性，中国继续采购大量美国芯片是少不了的，但要求美国公司将生产、测试转移到中国本土。至于美光、晋华这事，传闻美光收购晋华就是这样来的，事实上应该不是美光收购，而是晋华、美光合作，晋华出资获得美光DRAM技术授权，并以工厂、土地等方式入股，为美光生产DRAM芯片。

在全球DRAM市场上，三星公司份额在40-45%之间，SK Hynix公司份额在30%左右，美光份额在20-25%之间，在三大阵营中是份额最少的，美光近年来也在扩大投资，提高产能，不过总体实力依然不如两家韩国公司。如果这次与晋华和解成真，那么对美光来说也扩大了产能，有助于他们扩张市场份额，这样的结果也是双赢的。

根据The Register的报道，日前法院已经裁定了该案，责令这名叫Doyle Rivers的工程师将技术资料在判决下达后三个工作日内归还。而Rivers的辩护律师对The Register说Rivers并没有什么可以归还的，他们依旧认为英特尔在夸大事实。

此前英特尔说他们的安全系统阻止了这名员工复制技术资料，但是他还是成功复制了一份人事档案资料。英特尔宣称他们要求这名员工归还资料，但是Rivers拒绝了，反而将资料交给美光。根据此前的诉讼文件称，当U盘交给调查人员时，资料已被清除。

美光此前已对诉讼评论，称其以知道该诉讼，但是这个诉讼并不是针对美光公司的。

目前Rivers的辩护律师试图推翻该禁令，称根据加州地方法律，员工名单并不是机密资料。而英特尔对此已作出回应称Rivers同意在其雇佣协议中对此资料进行保密，同时英特尔公司对于这些资料是作为可保护数据的，而不是类似于姓名或家庭住址的花名册。

在三星以往的财报中，半导体芯片业务贡献了最大的盈利来源，贡献了多达80%的运营利润，DRAM内存芯片可谓厥功至伟，三星是全球第一大DRAM厂商，市场份额高达45%以上，去年降价之前DRAM内存芯片的毛利一度达到了70%以上。

不过从去年Q4季度开始，内存芯片价格就开始跌了，Q4跌幅大约为10%，但这样已经严重影响了三星的盈利能力。今年1月份三星也针对2018年Q4季度的业绩发表了预警，而当季总营收达到了59.27万亿韩元，上季度为65.46万亿韩元，上一年同期则是65.98万亿韩元，同比、环比下滑了10.1%、9.5%，运营利润10.8万亿韩元，同比下滑28.7%，环比下滑38.5%。净利润8.46万亿韩元，约合76亿美元，环比下滑31%，同比下滑36%。

在这其中，半导体部门的运营利润也同比、环比减少了3.13万亿、5.88万元韩元，换算过来就是同比跌了28.8%、43%。

在三星今天发布的财报预警里，内存芯片跌价还会进一步影响三星的运营表现。集邦科技日前发布的报告显示，Q1季度内存价格跌了20%，预计Q2季度还要再跌20%，一直到Q3季度都是持续下滑的。

在内存之外，三星的OLED面板业务也出现了疲软、下滑的问题。三星在中小尺寸OLED面板市场上也是垄断性的存在，市场份额高达95%，就连苹果都要依赖三星的OLED面板供应，但是三星这次表示OLED面板价格跌幅也超过了预期，原因是中国厂商的OELD面板产能扩张。

三星目前还没有公布具体的数据，但是智能手机市场需求不振也是个重要因素，苹果iPhone XS/XS Max销量不佳也导致苹果对OLED面板的需求下滑。

往好的方面看，三星这次的财报预警没有提到智能手机所在的IM业务下滑的问题，虽然Q1季度中Galaxy S10系列手机刚刚发布，对营收是没什么实质影响的，不过Galaxy S10手机很有可能是三星电子今年的一大亮点，此前天风证券分析师郭明錤也上调了三星Galaxy S10系列手机的销量预期，从原先预估的3000-3500万部增长到了4000-4500万部，提升了30%之多，他还预测更高价高端的Galaxy S10及S10+手机能占到85%以上的份额。

以下为集邦资讯报道的详细内容：

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，受库存过高影响，DRAM第一季合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%。然而价格加速下跌并未刺激需求回温，预计在库存尚未去化完成的影响下，DRAM均价跌势恐将持续至第三季。

根据DRAMeXchange调查，DRAM供应商累积的库存水位在第一季底已经普遍超过六周 (含wafer bank)，而买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减，但平均至少达五周，在服务器以及PC客户端甚至超过七周。

进入第二季，受惠于1Ynm制程贡献，供给位元仍持续成长。在极力消化库存的考量下，DRAM供应商普遍采取持续大幅降价的策略以刺激销售。与第一季相似，跌幅最大的产品别为PC与服务器内存，跌幅约两成。而行动式内存受惠于新机潮的拉货动能跌幅较小，约10~15%，预估DRAM均价在第二季将持续下跌近两成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收敛，则取决于需求端的回温以及第二季底库存去化的成效。DRAMeXchange分析，2019年各产品的DRAM平均搭载容量成长表现将不若去年，因此，终端需求的回温是DRAM景气是否落底的关键因素。单纯就供需预测来看，上半年供过于求的状况远高过下半年，预期价格跌幅在今年第三季与第四季可望逐渐收敛。PC、服务器用DRAM 2Q跌价幅度未见收敛，行动内存跌幅趋缓

观察DRAM各应用别今年的价格走势，由于库存水位较高的关系，自去年第四季以来，以标准型内存与服务器内存的跌幅最为明显。以PC需求面来说，今年缺乏刺激出货量成长的因素，再加上Intel CPU缺货状况在中低阶机种仍未缓解，使得出货不振的状况在上半年特别显著。以主流标准型内存模组8GB解决方案来看，第一季度的价格已经下滑近三成，最低价已落在近40美元。展望第二季，均价持续下探35美元，年底恐怕要挑战30美元关卡。

服务器在经历连续两年的需求高峰后，第一季由于库存偏高，加上进入传统OEM的淡季，备货动能显著衰退。虽然三月开始，部分北美资料中心业者开始陆续洽单，但整体采购力道仍未明显复苏。再者，现阶段供需双方普遍库存偏高，在既有库存去化与需求动能恢复前，预估服务器内存价格将持续走跌。DRAMeXchange预估，第二季仍将有两成左右的跌幅，第三与第四季也会维持接近一成左右的降价空间。

在行动内存方面，第一季受到智能手机市场需求不旺，生产总量较去年同期衰退逾10%的影响，行动内存供应商库存无法有效去化，导致价格持续下探，discrete以及eMCP产品平均跌幅接近2成，市场报价混乱。

展望第二季以及第三季，除了受惠Android / iPhone双阵营旗舰新机备料带动单机搭载容量提升外，也同时受惠传统市场旺季，整体需求将转趋热络，预估合约价跌幅将较第一季收敛，不过考虑到今年智能手机总生产数量将呈现负成长，中、低阶手机平均搭载容量成长有限，第二、三季的合约价格依旧难以止跌。

而就利基型存储器价格走势来看，农历假期过后，中国有部分机上盒、网通标案订单出现带动小量拉货需求，然一次性标案结束后，整体需求仍然疲软。DDR3供给仍高于需求的情况下，预期今年第二季与三季利基型存储器价格仍将分别走跌15%与10%。

以下为集邦科技原文：

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。

展望第二季，DRAMeXchange分析师叶茂盛表示，历经第一季的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供应商纷纷透过抑制资本支出、减缓新制程产出比重，甚至透过减产压抑产出，虽无法立即扭转供过于求的态势，但对于市场环境确实有正面的帮助。综上所述，第二季eMMC/UFS、SSD、Wafer等产品合约价仍将继续下跌，但跌幅相较第一季则是有所收敛，落在10~15%的水位。以第二季的渠道市场而言，随着256Gb TLC Wafer自2017年11月走跌以来，产品价格已大跌逾70%，每GB单价跌破0.08美元，属各类产品当中跌幅之最。随着价格逐渐逼近成本线使得下跌空间有限，加上原厂良率提升，市场流通的次品数量减少，反应在终端产品（如记忆卡及随身碟等）价格方面可能出现一至二波的调升，因此在价格调升的刺激下，带动模组厂备货力道有所增加，合约价跌幅则逐渐趋缓，预期第二季合约价将呈缓跌走势。叶茂盛指出，除了渠道市场以外，供应商将眼光转向高容量的UFS及SSD产品，除希望透过降价刺激需求增长，也争相以优惠价格竞逐市占；在移动领域部分，包含西数、三星在内的供应商纷纷推出高容量的UFS 3.0产品吸引客户采用，目标借由效能提升以及价格诱因刺激下半年需求成长，同时供应商也完善UMCP产品线，除刺激中高端机种往256GB转移以外，也让32GB机种逐渐往64GB转移。在Client SSD方面，供应商为刺激搭载容量提升，加大512GB/1TB产品的跌价力道，追求CP值的Value PCIe SSD(Gen 3.0×2)产品出货比重同时逐渐提升，使得均价跌幅扩大，有助于SSD于笔记本电脑搭载率成长增速。而在enterprise SSD方面，server/data center作为2019年唯一增长的主要需求，加上产品毛利高于其他类型，已成为兵家必争之地，各厂商皆投放目光在更有成长空间的PCIe产品领域，竞争态势激烈，合约价亦将持续走跌。

根据美光的财报，截至2月28日的季度中，DRAM内存芯片ASP均价环比大跌20%，而内存芯片占了美光64%的总营收，导致美光营收大跌，盈利则是直线下滑50%以上。NAND闪存那边也不好过，ASP均价环比也跌了20%，营收环比下滑18%。

虽然财报表现不佳，但是美光的股价并没有大跌，昨天反而大涨9.7%，股价攀升到了44美元，原因就是美光为了对抗内存降价已经采取了措施，首先是今年的资本开支从之前公布的105亿美元减少到了90到95亿美元之间，而且美光将DRAM内存、NAND闪存的晶圆产能分别闲置了5%，也就是减少5%的产能输出以降低市场供应量。

美光CEO Sanjay Mehrotra也在财报电话会议中表态随着服务器、自动驾驶、数据中心等市场需求增加，今年Q4季度内存市场也会回温。换句话说，美光CEO这番话是在给市场打强心剂，暗示今年下半年内存市场不断跌价的趋势就会停止，内存会恢复正常。

这些因素导致投资者又看好美光甚至整个存储行业，昨天股价大涨的不只是美光，韩国股市的三星、SK Hynix、台湾股市中的南亚科、华邦电子等公司存储相关的公司股价也上涨了。

但是美光释放的利好信号并没有打动所有人，内存市场今年底回温的说法最终能否成真还是不确定的，因为美光在内存、NAND闪存市场的占用率并不高，DRAM是全球第三大公司，市场份额约为24%，NAND市场份额约为15%，减产5%影响的供应不过1%左右，对全球格局影响有限。

此外，美光提到的市场需求回涨也不好确定，数据中心虽然大热，但是内存芯片的更重要市场是智能手机，但是IDC、盖特纳等公司的统计数据显示2019年智能手机市场依然会继续下滑。

美光的盟友三星、SK Hynix预计也会加入减产以阻止内存降价的行列，他们的影响力更大，但是2019年全球半导体市场进入熊市是共识，存储芯片能否逆市大涨还是未知数了。