尽管英特尔认为自家14nm在性能上依然有优势，但现实是消费者不会去比较枯燥的技术参数，14nm vs 7nm中显然后者更有宣传性优势。这就要迫使英特尔想办法吸引住消费者了，毕竟AMD此前已经表态他们要在CPU市场上占据40%的份额，英特尔新处理器难产可是一个极好的机会。

博客Ash's Tech Bytes预测了2019年英特尔桌面处理器的变化，首先来看下主流市场的Core及奔腾、赛扬处理器：

Core i7——8核16线程Core i5——6核12线程Core i3——4核8线程奔腾——4核4线程赛扬——2核4线程

从他的分析来看，英特尔明年的桌面处理器将会进一步普及HT超线程，i7直接上8C/16T，i5变成6C/12T，i3也变成了4C/8T，就连最低端的赛扬也变成了2C/4T，而奔腾处理器虽然没有HT超线程，但是4C/4T加持也要比现在的2C/4T更具吸引力。

Ash's Tech Bytes的这番预测其实之前已经有类似说法流传，其实这个变化相当于将i7、i5、i3、奔腾继续下放一个等级，去年的Coffee Lake就是这样的思路，高端CPU增加更多核心，原有产品线下放。

除了酷睿处理器之外，HEDT发烧级产品线也会有变化，去年的Skylake-X系列还有8核处理器，但是明年桌面i7都上8C/16T了，下一代Cascade Lake-X则会从10C/20T起步。Ash's Tech Bytes还预测HEDT产品线的价格会继续下降，因为AMD的Ryzen Threadripper处理器售价很激进，16C/32T也不过999美元，他预测10/20T的Cascade Lake-X售价599-699美元，18C/36T的顶级产品售价则会降至1499美元，目前18C/36T处理器的售价是1999美元。

分析师关心最多的一个问题就是英特尔在10nm节点上的延迟是否会影响未来的7nm工艺，对此英特尔CEO科赞奇表示他们在10nm工艺上遇到的问题绝大多数都不会影响7nm进展，因为10nm工艺是英特尔在没有EUV光刻工艺情况下开发的，而7nm将是英特尔首次使用EUV光刻工艺，它能给晶圆制造带来更多优势，比如制造小得多的晶体管，这是他们的10nm与7nm工艺的第一个不同之处。

此外，英特尔在7nm节点上也有不同的目标，此前的文章中我们也提高过英特尔解释为何10nm这么难产的原因，主要就是他们定的目标太高了，相比14nm工艺的换算因素达到了2.7x，所以在7nm节点上英特尔目标换算因素只有2.4x，回到了之前的水平，而业界通常的标准是1.5到2。

科赞奇表示目标降低之后，7nm工艺带来的挑战就像他们传统工艺创新一样（顺利），因此英特尔公司在10nm节点遭遇的多数问题都不会重现在7nm节点上。

英特尔将继续监视7nm工艺的进展，并对他们的7nm工艺保持乐观。

对于分析师担心的AMD在7nm节点比英特尔更早量产而带来的竞争优势时，英特尔CEO科赞奇表达了他对该公司14nm工艺的绝对自信，他认为英特尔的14nm工艺的性能还有很大改进余地，英特尔不仅会在客户端领域，在数据中心领域依然能保持领先。

科赞奇表示他们对（14nm性能领先）非常自信，2019年已经计划推出更加激进的领先性产品，同时他们也不会放弃在2019年继续改进10nm良率的问题，总之他对英特尔的路线图感觉很满意，认为英特尔正在推出史上最好的路线图之一。

经过几轮发布之后，第八代处理器现在Intel已经布局得差不多了，现在基本上就差高端的HEDT平台和移动平台的超低功耗处理器Core M没出来，其实当第八代处理器刚发布的时候就推断过新的Core M会使用10nm的CPU，没想到这个没核显的Core i3-8121U会先出来而已。

善于发现新东西的玩家@TUM_APISAK发现了第二颗10nm工艺的处理器，这次是Cannon Lake-Y家族的Core m3-8114Y，也就是TDP仅4.5W的超低电压处理器，也是一颗双核四线程处理器，基础频率1.5GHz，睿频能到多少就不得而知了，现在的Core m3-7Y30默频1.0GHz，睿频2.6GHz，而Core m3-7Y32默频1.1GHz，睿频3GHz。

这颗Core m3-8114Y明显是有核显的，型号只识别出来是Intel UHD Graphics，规格还不太清楚。

英特尔高级副总裁Murthy Renduchintala日前参加了JP摩根第46届全球技术、媒体及通讯会议，分析师在这次会议上咨询了很多有关英特尔10nm工艺延期的问题，他首先解释了英特尔10nm工艺为什么这么难缠的问题。

早在2014年英特尔首次定义10nm工艺时，他们提出了非常苛刻的目标——相比14nm工艺，10nm工艺的换算因数要达到2.7倍（scaling factor，衡量工艺先进与否的一个重要指标就是缩小到上一代的多少倍），而在22nm工艺升级到14nm时，新工艺的换算因素只是2.4倍，所以在10nm节点上英特尔的团队具有非常宏伟的雄心壮志。

要想实现这样的目标，就需要很多的创新，因此英特尔在这个过程中遇到了更多的挑战，Renduchintala强调他们遇到的问题主要是良率上的，并非根本性问题，英特尔知道如何解决问题，目前正在集中精力解决这些问题。

与此同时，他们也发现了14nm工艺还会潜力可挖，Renduchintala表示从第一代14nm工艺到最新一代14nm工艺，其性能已经提升了70%，这也给了英特尔公司更多空间去解决10nm工艺的良率问题。

至于未来的情况，Renduchintala强调他们还会不断努力解决10nm工艺的良率问题，也对14nm处理器路线图感觉满意，在未来12-18个月还会让它们继续保持领先。

用着旧机不爽的你，是否准备购买一波新装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信9501417），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

以色列财政部宣布英特尔公司已经同意在2018-2020年之间向该国Kiryat Gat（水牛城）工厂投资180亿谢克尔（约合50亿美元），并且向当地供应商采购价值30亿谢克尔的产品。

英特尔的大笔投资也获得了以色列政府的大力支持，首先该公司5%的优惠税率将延长到2027年，同时以色列政府将补贴7亿谢克尔，未来视情况还会有第二笔7亿谢克尔的补贴。

以色列这么做是为了保住英特尔的晶圆厂，新建工厂除了能提供数千工作机会之外，英特尔晶圆厂在2017年出口了价值36亿美元的芯片，占到了以色列高科技产品出口总值的8%。

英特尔官方没有明确提及50亿美元的投资具体内容，不过综合之前的报道，这笔投资应该是用于升级水牛城的Fab 28晶圆厂。2008年英特尔在以色列建设了第二座晶圆厂，也就是Fab 28，当年生产的是45nm 300mm晶圆，之后陆续升级到了32nm、22nm。

早在2014年就有报道称英特尔准备投资50-60亿美元升级Fab 28工厂到最新工艺，不过此后英特尔在14nm、10nm节点接连遭遇难产，多个晶圆厂的升级投资计划都做了调整。2017年英特尔还预计Fab 28工厂的10nm升级计划在当年下半年完成，结果同样是延期了，今天宣布的50亿美元投资计划实际上就是早前10nm升级的延续。

英特尔的50亿美元投资计划预计在2018-2020年之间完成，考虑到大约一年的建设周期，10nm工艺大规模量产依然要在一年之后，大规模量产可能要等到2019年底到2020年初了。

用着旧机不爽的你，是否准备购买一波新装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信9501417），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

ARM的bigLITTLE大小核设计大家多少了解了一点，简单来说就是CPU内部有高性能核心，也有低功耗核心，针对不同的应用情况调动不同的核心，以便达到性能与功耗的平衡，目前高通骁龙845/835、华为的麒麟960/970、联发科的Helio系列处理器都应用了bigLITTLE架构，普遍是4大核+4小核设计。

对英特尔来说，他们的SoC处理器也要解决性能、功耗之间的问题，手中也有高性能的X86核心，也有面向低功耗平台的Atom低功耗处理器，做大小核也是很自然的。上个月就有传闻称英特尔将推出Lakefield SoC处理器，基于10nm工艺，大核是高性能的Ice lake架构（这是新一代桌面X86核心了），低功耗核心则是新一代Atom内核——Tremont。

Lakefield的表现如何呢？Aeassa博客里宣称有独家消息，提到Lakefield的CPU性能会比高通处理器更强——这点倒是没啥疑问，Intel既然能把高性能X86核心下放到移动SoC中，CPU性能自然没啥可担心的。

不过Lakefield的GPU性能有可能成为缺点，它使用的是英特尔Gen11图形架构，性能比现在的Gen9/9.5要好，只是高通在移动GPU领域一直很强势，不论三星、海思还是联发科都没有撼动高通的Andero GPU的地位，要么性能不行，要么就是能效比不行。

最后就是Lakefield的发布时间，原文爆料说是2019年的MWC展会，大概就是明年2、3月份的样子，只是英特尔的10nm工艺量产又又推迟了，官方在财报会议上提到2019年之前不会大规模量产，Lakefield的前景实在难料。

用着旧机不爽的你，是否准备购买一波新装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信9501417），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

10nm的DRAM相比现有的主流产品也具有更高的可靠性：可在-40°C至125°C中工作，符合Automotive Grade 1标准，这个数据足以通过世界上汽车厂家的热循环测试，为汽车应用的可靠性增添一份保障。三星能为汽车厂家提供12Gb、16Gb、24Gb及32Gb的10nm LPDDR4X DRAM产品，不仅如此，在扩展10nm产品线的同时，三星还计划加强与汽车厂商的技术解决方案伙伴关系，包括辅助驾驶系统（ADAS）、自动驾驶系统、资讯娱乐系统及车载网络方案等。目前手机上主流的LPDDR4X DRAM好像是三星18nm、海力士21nm、美光20nm的LPDDR4X DRAM，有望之后的手机旗舰也能搭上10nm工艺DRAM的班车。

用着旧机不爽的你，是否准备购买一波新装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信9501417），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~ 

根据路透社的报道，以色列经济部长Eli Cohen周三在于美国芯片制造商会谈以后表示，Intel计划投资50亿美元在位于以色列南部的Kiryat Gat工厂扩大产能，该设施目前只能生产22nm工艺的芯片，升级后就能生产最新的10nm芯片了，Intel计划在今年开始扩建工厂，并在2020年完成扩建并投产。

Intel最多可以从以色列政府获得50亿美元的10%的国家补助用于这个扩展计划，以色列外交部的一位发言人表示，具体的数字取决与Intel的最终扩展计划，其实在2014年Intel投资60亿美元升级该工厂时就获得了5%的国家补助，并且在10年内可获得5%的企业所得税减免。过年后，是否准备购买一波新装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信9501417），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

最近Intel都是先在笔记本的移动平台上先推行新产品，尔后才是轮到桌面级产品。Cannon Lake可以确认为2018年的新品，不过据说应为10nm工艺的缘故，需要等到2018年底才能推出，而新的10nm制程可以获得25%性能提升以及45%功耗降低。

不过在Intel Resource & Design Center的Product Roadmaps（产品路线图）上，赫然出现了新代号的移动版处理器，代号就是Whiskey Lake，不过并没有具体说明，就只说是移动平台产品代号而已。

那么关于Whiskey Lake就有两大疑团了，究竟是会在什么时候诞生呢？在Coffee Lake前面呢还是后面？是基于14nm亦或是更先进的10nm。

因为有消息称Whiskey Lake是一款六核处理器，应该是属于TDP 15W以上，很可能与Coffee Lake定位差不多。如果在Coffee Lake之前的话，它很可能是还是基于目前笔记本上Kaby Lake Refresh架构的14nm，如果是之后，10nm也就有希望。但基于10nm工艺难产的说法，更加倾向于Whiskey Lake使用14nm工艺制造，推测在功耗情况不变之下，处理器性能可以提高约10%。

反正Intel最近的CPU线路图非常混乱，移动平台、桌面平台的代号不一定一样，而且工艺制程又各不相同。

新的1y-nm 8Gb DDR4颗粒采用了先进的专用电路设计技术，性能水平与效能会比1x-nm的高约10%到15%，它能够在3600MHz下运行，而1x-nm的8Gb DDR4颗粒则是3200MHz，也就是说以后的高频内存要以3600MHz起步了。

目前1y-nm内存的生产还没有用上EUV极紫外光设备，这次用的是高灵敏度细胞数据传感系统（high-sensitivity cell data sensing system）与空气垫片（air spacer）方案，前者可以更准确地确定每个单元中存储的数据，从而显著提高电路集成度和生产效率，后者是在位线周围布置独特的空气垫片，这样可以显著降低寄生电容。

现在1y-nm DDR4内存模组已经完成了与CPU厂商的相关验证工作，接下来计划于全球IT客户合作，开发下一代计算系统，随着1y-nm内存投产所带来的技术储备，三星可以加速下一代内存产品DDR5、HBM3、LPDDR5以及GDDR6上的研发，可以进一步巩固三星在存储市场上的地位。

在使用EUV后，线宽的微缩，制程的升级对于缺陷和微粒污染的容忍度将大幅度降低。制造工具是决定圆晶良品率的关键，工具在沉积，蚀刻或清洁过程中有可能受到微粒物污染，这些颗粒物会从上一个生产步骤流入到下一个生产步骤，工艺不一致使得圆晶的特征形状，覆盖层和CD（特征尺寸）有偏差，从而导致大范围缺陷。给定类型的工艺工具可能彼此不匹配，继而在通过不同工艺工具生产的圆晶之间产生差异，所有这些问题都会影响产量。

上述的制造过程所造成的差异会成为一个很麻烦的问题，如何理解这个困境？比如有两台打字机，型号价格外观都一样，但因装配环境，零件精度等因素会导致手感有细微差别，因此即使是相同型号的EUV光刻机，有了正确的配置文件，强度恰好的光源，一致的稀有气体纯度，也需要做一些后期工作保证生产结果相同。换到10、7nm工艺制程的半导体产品上，只要在生产时有个1、2nm的差错，都有可能造成不可估量的损失。

制程的每一次升级，制造难度都是呈指数级上升，现在我们听到的工艺名词最多也只能去到3nm，这是因为到了3nm节点上EUV光刻的随机性将增大，很难控制好EUV线宽边缘粗糙度（LER），影响CD和EPE。同时摩尔定律也会在这个节点附近失效，接下来就是1nm以下的次纳米新技术和新材料的天下。

按照此前的路线图，Cannon Lake 生命周期应该从今年底到明年底，属于低功耗系列处理器，适用于笔记本平台。新的10nm制程可以获得25%性能提升以及45%功耗降低。

但是Intel这个10nm似乎遇上了大问题，被一而再再而三地延迟首次面世时间。因为最早的报道是说Cannon Lake早就应该要在今年年中时推出。

而Digitime也表示，原本笔记本厂商已经做好了10nm处理器笔记本的配套开发措施，但是Intel却推迟了上市时间，生产、营销策略、产品推出节奏全都被打乱，Cannon Lake有可能成为一个昙花一现的处理器。

如果按照这种节奏走，Intel的10nm工艺全面铺开之时，对手AMD的7nm也开始走马上任了，尽管Globalfoundries 7nm与Intel 10nm工艺在技术指标上相似，但是吃了命名上的大亏，毕竟Globalfoundries也得到了台积电改名大|法的真传。