三星（Samsung）于17日宣布了其首款采用Toggle-mode DDR NAND闪存芯片打造的高性能SSD产品，并且容量达到了512GB。

　　该产品采用了三星自去年11月份开始投入量产的30nm 32Gb toggle-mode DDR NAND闪存颗粒，并采用了为该类闪存设计的低功耗控制器；搭配SATA 3Gbps接口，最高容量为512GB，其持续读写速度分别为250MB/s和220MB/s。据三星称该产品的随机读写性能亦将会比传统HDD快9倍之多。此外，还可支持256bit AES加密以及TRIM等一系列技术。

　　三星这款Toggle-mode DDR NAND闪存SSD将会具备64GB至512GB等多种容量，并会在下个月正式投入量产。

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