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      三星(Samsung)于17日宣布了其首款采用Toggle-mode DDR NAND闪存芯片打造的高性能SSD产品,并且容量达到了512GB。

      该产品采用了三星自去年11月份开始投入量产的30nm 32Gb toggle-mode DDR NAND闪存颗粒,并采用了为该类闪存设计的低功耗控制器;搭配SATA 3Gbps接口,最高容量为512GB,其持续读写速度分别为250MB/s和220MB/s。据三星称该产品的随机读写性能亦将会比传统HDD快9倍之多。此外,还可支持256bit AES加密以及TRIM等一系列技术。

      三星这款Toggle-mode DDR NAND闪存SSD将会具备64GB至512GB等多种容量,并会在下个月正式投入量产。

    更多相关信息可查看三星官方发布页面  

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    已有 2 条评论,共 2 人参与。
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    • 游客  2010-06-19 12:23

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 游客  2010-06-18 23:55

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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