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今天，东芝（Toshiba）宣布开始使用24nm制程工艺量产NAND闪存芯片，以满足日益增长的市场需求。
东芝表示，新的工艺有助于减小芯片面积，增加芯片容量密度，降低生产时间，以满足日益增长的市场需求。采用新工艺的闪存芯片将支持Toggle DDR接口规范，可以有效地提升数据传输速度。
据东芝称，24nm制程工艺将用于生产MLC NAND闪存芯片，其存储密度达到2bpc(bit-per-cell)，单颗容量可达到64Gb，而32Gb和3bpc的MLC NAND闪存芯片稍后亦会采用24nm制程工艺进行制造。
更多信息可浏览东芝官方网站。
