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在信奉频率至上的那个年代，处理器制造商绞尽脑汁提高CPU的时钟频率。但无论是英特尔还是AMD，在很长时间内，CPU频率的提高是依靠倍频的不断增长，外频却一直发展缓慢，似乎要定格于200MHz这一关口。这样的一味提升频率之路越走越窄，性能提升远远滞后于频率的提升，反而是带来更大的耗电和发热量方面问题，制造商心力憔悴，如果你对英特尔总裁当年惊天一跪还记忆犹新的话，或许能更能理解“心力憔悴”这四个字。
64岁的英特尔总裁贝瑞特面对着6500人惊天一跪：“请原谅我们”（2004.10） |
面对31级流水线NetBurst架构的Prescott，当时90nm的先进制造工艺仅仅起到了救命稻草的作用：3GHz主频的Prescott功耗超过百瓦，如果主频真的提高到了4GHz，那还了得吗？贝瑞特单膝跪地的惊人之举，是对英特尔以往在处理器研发道路上走入了“惟主频论”失误的真心忏悔。
在英特尔宣布取消发布4GHz的Prescott之后，采用更先进微架构的处理器也逐渐浮出水面。Core 2 Duo处理器的面世正是英特尔重新拾起“性能论”大旗的见证。Core 2 Duo除了全新的内核设计，更大的缓存外，另外一个对性能有莫大帮助的就是处理器外频终于有了突破。Core 2 Duo目前外频能达到333MHz，与长达几年一直困居200MHz的外频相比，有了质的飞跃。相信在未来，400MHz甚至更高外频的处理器也会安装在你我的计算机之中。
长久以来人们更关注处理器对计算机性能起着的作用，但是也别忘了，内存同样是不可或缺的，它肩负着为处理器的高速运算提供数据资料中转、暂存的重任，再快的处理器没有适合的高速内存配合，性能也要大打折扣，内存的发展和处理器的变化是紧密相关的。当处理器外频的提高，前端总线也得到相应提高，这样就对内存带宽的要求也大大提高，这就必然要求更高频率的内存与之搭配。
◆ DDR2-800之后面临的挑战
随着高端处理器的陆续上市，DDR2 667内存已经逐渐不能满足高端处理器对内存带宽的需求，DDR2 800内存替代DDR2 667成为主流。但随着处理器外频的提升，即便是DDR2 800内存也会逐渐成为系统性能的瓶颈，更高频率的内存将会成为下一代处理器的标配。但按照JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）制定的DDR2标准来说，800MHz是DDR2家族中最高的频率（眼前市场上的DDR2-1066等均非DDR2标准中的频率），正是由于DDR2本身设计上的限制，将不能满足更高带宽平台的应用，新的内存标准也呼之欲出。
在最近的一次IDF上，英特尔指出了DDR2-800面临的几点挑战，很显然，DDR2标准已经跟不上处理器发展的趋势，核心频率超过200MHz的DDR2产品（比如DDR2-1066其核心频率为266MHz）生产难度加大很多，良品率低，加上速度的提高，又造成了高功耗。而且，为了支持更高的速度，保证信号的完整性，现在的DDR2星型拓扑结构很难做到，另外还有接口逻辑功耗与速度成正比等问题存在，需要降低核心电压来抵消功耗的提高，但这样又势必影响内存的稳定性。
英特尔鲜明指出：DDR3是速度超过800产品的最佳解决方案。
实际上，英特尔在上个季度发布的3系列主板芯片组中就已经加入了对DDR3内存的支持，包括P35和G33，在即将来临的X38芯片组中还加入了对DDR3-1333的支持。
在AMD的桌面平台Roadmap中，我们也可以看到在他们未来的平台中加入了对DDR3的支持。
◆ DDR3：千呼万唤始出来
DDR3（Double Data Rate 3）并不是一个新名词，我们经常在各种资料中有所见闻。实际上早在2001年，JEDEC就开始着手于DDR3标准的制定，但真正完成DDR3规范还是前几天的事。
Computex2006上展示的DDR3实物（Elixir） |
DDR3内存实物始见于去年的Computex展会之上，Elixir展示了512MB的DDR3-1066（PC3-8500）内存。但在2006年，正是DDR2完全取代DDR成为主流之时，DDR3还未引起足够重视。到了2007，DDR3的呼声随之高涨，DDR3标准的制定工作也日益紧迫起来了。
2007.6.26，JEDEC就正式完成DDR3标准发表的声明 |
2007年6月26日，对于DDR3来说，是个值得纪念的日子，在这一天，JEDEC终于完成了DDR3 SDRAM内存标准的制定。对于DDR3标准的诞生，我们觉得用“千呼万唤始出来”形容更合适。
◆ DDR3内存的优势
在最近的那次IDF上，英特尔对DDR3内存的优势以简明的文字作了概括：
和上一代的DDR2相比，DDR3在许多方面作了新的规范，比如核心电压降低了，预取设计增加了等，这些设计都是围绕着高速度低功耗这一特点来进行的。
DDR3
| DDR2
| |
电压 VDD/VDDQ
| 1.5V/1.5V (+/-0.075) | 1.8V/1.8V (+/-0.1) |
I/O接口
| SSTL_15 | SSTL_18 |
数据传输率(Mbps)
| 800/1066/1333/1600 | 400/533/667/800 |
容量标准
| 512MB-8GB | 256MB-4GB |
CL(CAS潜伏期)
| 5/6/7/8/9/10/11 | 3/4/5/6 |
AL(附加潜伏期)
| 0/CL-1/CL-2 | 0/1/2/3/4 |
RL(读取潜伏期)
| AL+CL | AL+CL |
WL(写入潜伏期)
| AL+CWL CWL=5/6/7/8 | RL-1 |
预取设计(bit)
| 8 | 4 |
逻辑Bank数量
| 8（512MB/1GB/2GB/4GB/8GB） 16 | 4（256MB/512MB） 8（1GB/2GB/4GB） |
突发长度
| BC4/BL8 | BL4/BL8 |
封装
| FBGA 78-ball:x4/x8 96-ball:x16 | FBGA |
引脚标准
| 240Pin DIMM | 240Pin DIMM |
DDR3和DDR2基本规格对比 |
在上面那张规格对比表上，能看到DDR3相对于DDR2作了许多改良性和突破性的设计，在接下来的文章中，我们将尽可能用浅显的文字去理解DDR3的一些重要设计。
◆ DDR3核心设计：8-bit预取，提升带宽的关键技术
在本文开始就谈到，DDR3的催生是源于处理器外频增加引起的对内存带宽增长需求，也就是说，DDR3它存在的最根本意义在于能提供比DDR2更高的数据传输率。下面这张表列举了目前DDR2/DDR3所能提供的带宽：
内存
| 标准
| 核心 频率 | I/O 频率 | 有效传输 频 率 | 单通道 带 宽 | 双通道 带 宽 |
DDR2-667 | PC2-5300 | 166 MHz | 333 MHz | 667 MHz | 5.3 GB/s | 10.6 GB/s |
DDR2-800 | PC2-6400 | 200 MHz | 400 MHz | 800 MHz | 6.4 GB/s | 12.8 GB/s |
DDR3-800 | PC3-6400 | 100 MHz | 400 MHz | 800 MHz | 6.4 GB/s | 12.8 GB/s |
DDR3-1066 | PC3-8500 | 133 MHz | 533 MHz | 1066 MHz | 8.5 GB/s | 17.0 GB/s |
DDR3-1333 | PC3-10600 | 166 MHz | 667 MHz | 1333 MHz | 10.6 GB/s | 21.3 GB/s |
DDR3-1600 | PC3-12800 | 200 MHz | 800 MHz | 1600 MHz | 12.8 GB/s | 25.6 GB/s |
在同样核心频率下，DDR3能提供两倍于DDR2的带宽。相信很快能制造核心频率为266MHz的DDR3出来，那样的话，数据传输频率可以达到2133MHz，双通道带宽能达到惊人的34GB/s。
我们知道DRAM内部存储单元的核心频率提高比较困难且成本较高，DDR2-800的核心频率已经达到了200MHz，为了解决外部数据传输率和核心速度之间的矛盾，必须引进新的技术也保证数据传输率持续的增长。DDR3的8-bit Prefetch（数据预取架构）技术也应运而生。
DDR3 800内部Cell（存储单元）的核心频率仅为100MHz，采用8-bit的预取技术后，却能提供和核心频率为200MHz的DDR2-800同样的带宽。也就是说引入DDR3，通过这种并行运行的方式来增加内部带宽，可以让内存频率提升回到一个新的起跑线。
实际上，Prefetch并不是什么新技术，在DDR1已经就开始应用了，我们以前经常能看到这样描述DDR，“在时钟周期的上沿和下沿都能传输数据，所以传输率比SDRAM快了一倍”，这就说上沿传输一位数据，下沿传输一位数据，在一个时钟周期内一共传输两位数据(2-bit)给北桥，但这2-bit数据得先从存储单元预取出来才行（一个时间周期）。换句话说，一次读2-bit的数据，然后在I/O时钟上升沿和下降沿传输出去，这就是2-bit Prefetch技术。当然这只是表面的解释，实际情况要比这复杂得多，要注意是，这儿是2-bit，是指2位数据，即2倍芯片位宽的数据。
在DDR2时代，使用了4-bit预取技术，一次从存储单元预取4-bit的数据，然后在I/O时钟上升沿和下降沿传输出去，由于4-bit需要2个时钟周期才能完成传输，这就是为什么DDR2的I/O时钟频率为存储单元频率两倍的原因。
到了DDR3，8-bit预取技术也自然水到渠成，一次从存储单元预取8-bit的数据，在I/O端口处上下沿触发传输，8-bit需要4个时钟周期完成，所以DDR3的I/O时钟频率是存储单元核心频率的4倍，由于是上下沿都在传输数据，所以实际有效的数据传输频率达到了核心频率的8倍。比如，核心频率为200MHz的DDR3-1600，其I/O时钟频率为800MHz，有效数据传输频率为1600MHz。
显然，通过使用Prefetch架构可以解决存储单元内部数据总线频率（核心频率）较低的瓶颈。8-bit预取，正是DDR3提升带宽的关键技术。同样的核心频率，DDR3能提供两倍于DDR2的带宽。
◆ DDR3：更低功耗的架构
Kingston DDR3-1066 标签上注明为1.5V |
内存频率越来越高，带来负面影响就是功耗的增加，所以新一代的内存都会在功耗上作些改进，以抵消频率提高带来的负面影响。最通常的方式就是降低内存的核心电压。DDR1的核心电压为2.5V，DDR2的核心电压为1.8V，DDR3的核心电压进一步降低了，仅有1.5V。
DDR3内存模块拥有比DDR2更好的带宽功耗比（Bandwitdh per watt）。对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066的功耗比分别为0.72X、0.83X，不单内存带宽大幅提升，功耗表现也比上代更好。
除了更低的核心电压外，DDR3还有许多节能方面的改进：
· 重置（Reset）
重置是DDR3新增的一项重要功能，将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁定回路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静，将使DDR3达到最节省电力的目的。
事实上，业界对重置功能早就有所要求，此次DDR3总算是听从“号召”了。
DDR3低功耗在实际应用中的优势很明显 |
· 根据温度自刷新（SRT）
之所以称为DRAM，就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，它是DRAM最重要的操作，刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh，简称AR）与自刷新（Self Refresh，简称SR）。为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。
不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。
· 局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这个功能对于移动计算的意义将会更为重要，使得笔记本电脑厂商可以在系统未处于最高性能模式下时，通过更少的刷新循环节省更多的电能。
小知识：什么是逻辑Bank DRAM的内部是一个存储阵列。因为如果是管道式存储（就如排队买票），就很难做到随机访问了。阵列就如同表格一样，先指定一个行，再指定一个列，就可以准确地找到所需要的单元格，这是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元，而这个表格（存储阵列）就是逻辑Bank（Logical Bank）。 |
DDR3在功耗方面作了许多努力，一方面能保证它可以达到更高的频率，另一方面，低功耗也可以让DDR3在小型移动设备中得到广泛应用。
◆ DDR3：向高密度高容量发展
随着应用程序的发展，尤其是Windows Vista操作系统的普及，大容量的内存越来越被人渴求。在2007年，1GB容量的内存无疑占据市场绝对主流，到了明年，2GB容量的内存需求量势必大增。
高密度的内存颗粒也是DDR3改进之一。和DDR2的256MB-4GB的容量相比，DDR3最高能达到8GB的容量。8GB仅仅是在8个逻辑Bank情况下达到的容量，实际上DDR3为了应对未来大容量芯片的需求，还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
关于逻辑Bank，前面小知识作过介绍，它是由很多个存储单元（Cell）纵横交错组成的阵列，简单地来说，内存的容量=存储单元总数*存储单元容量（常见的内存容量标注都是采用这种方式，如前面介绍过Elixir展示的512MB的DDR3内存容量表示为64M*64，其中64M表示有64M个存储单元，单个存储单元容量为64bit），而存储单元总数=行*列*逻辑Bank数量，逻辑Bank数量的增加，对内存容量增加是显而易见的。
逻辑Bank（Logical Bank）示意图 |
但是，作为同样有8个逻辑Bank的DDR2，为什么它最大内存容量只能达到4GB，而DDR3却能达到8GB呢？这是因为DDR3的单个存储单元容量要比DDR2的存储单元容量大，这也是为什么说DDR3的内存颗粒是高密度颗粒。
不过，最根本的问题是，为什么DDR3存储单元容量会比DDR2大？我们把这个问题留给读者朋友去思考，结合前面讲过的8-bit预取技术，是很容易找到答案的。
随着高密度的DDR3内存颗粒的普及应用，对于降低高容量内存成本以及减少封装成本都是大有帮助的，这将会推动DDR3内存的普及速度。
从性能的角度来考虑，拥有更多的逻辑Bank数则意味着具有较少的Bank冲突，寻址流更加短暂随意，可以提高寻址命中率和降低潜伏周期。当然，更多的逻辑Bank也使工艺趋于复杂，成本增加。早期的Rambus拥有32个逻辑Bank，也是当时价格昂贵的原因之一。目前来看，8个逻辑Bank是在性能与成本间比较好的平衡选择。
◆ DDR3：延迟真的上升？
DDR3
| DDR2
| |
| CL(CAS潜伏期) | 5/6/7/8/9/10/11 | 3/4/5/6 |
| AL(附加潜伏期) | 0/CL-1/CL-2 | 0/1/2/3/4 |
| RL(读取潜伏期) | AL+CL | AL+CL |
| WL(写入潜伏期) | AL+CWL CWL=5/6/7/8 | RL-1 |
DDR3的I/O频率相比DDR2有了成倍的增加，为了保证高频率下数据精确的传递，DDR3的总体延迟相比DDR2有所提高。这样的情况在DDR2替代DDR时也发生过，这些延迟的提高降低了内存频率提升带来的收益，现时的DDR3同样无法回避。
DDR2的CL值为3-6，而DDR3则在5-11范围内：DDR3-800（5-6）、DDR3-1066（6-8）、DDR3-1333（7-10）、DDR3-1600（8-11）。在AL（附加潜伏期）上，也有所变化，DDR2时AL的范围是0-4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。同时，DDR3的WL（写入潜伏期）也比DDR2要高。
在很多天前，三星的半导体记忆体产品专家指出，片面地认为CL数值大就是DDR3延迟表现不及DDR2，是完全错误无知的观念。他指出，事实上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6，其记忆体延迟均为15ns。
三星专家称，要计算整个内存模组的延迟值，还需要把内存颗粒运行频率计算在内。如果DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9，把内存颗粒运行频率计算在内，其延迟值应为13.125ns（7*1000/533.33）、12.0ns及11.25ns，相比DDR2改善约25%，因此把CAS数值当成内存的延迟值是不正确的。
显然，CL和延迟值这是两个不同的概念，一个单位是时钟周期，如CL=5，表示CL值为5个周期，而三星专家所说的延迟值，是延迟的绝对时间，单位是ns，频率越高，自然一个周期所用的绝对时间也越短。当我们还在为DDR3 CL上升耿耿于怀时，绝对延迟值其实已经在降低了。
Super Talent低延迟DDR3-1600(7-7-7)，售价648美元 |
其实我们不必过份担心，DDR2不是一样成为今日内存市场王者么？高端内存厂商肯定会推出低延迟的DDR3产品，比如Super Talent前些时就发布了一款低延迟DDR3-1600套装W1600UX2G7，工作电压1.8V，延迟是7-7-7-18，当然售价也不便宜，高达648美元(人民币5000元)。
◆ DDR3其它的一些重要变化
·点对点连接（P2P，Point-to-Point）
这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载，提高了信号的完整性。
·突发长度（BL，Burst Length）
小知识：什么是突发长度 突发是在早期SDRAM操作指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到的存储单元数量就是突发长度。只要指定起始列地址与突发长度，内存就会依次自动对后面相应数量的存储单元进行读/写操作而不再需要控制器连续地提供列地址。BL越长，对连续的大数据量传输就越有好处，但是对零散的数据，BL太长反而会造成总线周期的浪费。对了DDR时代，由于采用了预取技术，突发长度不再指所连续寻址的存储单元数量，而是指连续的传输周期数。 |
为了顺应8位数据预读取位数的需要，DDR3提供了两种突发传输模式：一种被固定为8；另一种则通过“合成”来实现。我们知道，对于DDR2和早期的DDR系统，“BL（Burst Length）=4”是常用的，为此DDR3新增了一个“4bit Burst Chop”（4位突发突变）的模式，通过一个“BL=4”读取操作加上一个“BL=4”的写入操作来合成一个“BL=8”的数据突发传输。
至于突发长度是采用BL8还是BC4，这个是通过A12地址来控制的，当A12=0时，使用BC4，当A12＝1时，使用BL8。注意，A12仅是用来控制突发长度的，而不是作为一个列地址。
对于连续传输的数据，如果有不需要的部分，以往的处理是需要利用突发中断等操作来对数据进行屏蔽。为了克服以往突发传输控制不灵活的缺陷，DDR3不再支持任何突发中断操作，而改用顺序突发等更灵活的突发传输来进行控制。
·封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，4/8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
·ZQ校准
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。通过一个命令集，片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT（On-Die Termination）电阻进行重新校准。
·参考电压分成两个
对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。
◆ DDR3内存实物欣赏
这里看到的是Kingston新近发布的DDR3内存，PC3-8500（DDR3-1066）1GB*2套装。
Kingston这款DDR3没作任何散热处理（其高端系列内存上都加有蓝色散热片） |
正反各8颗颗粒，一共16颗芯片组成1GB的容量 |
内存条表面非常整洁 |
在内存颗粒上贴有相关的标签，型号为KVR1066D3N7K2/2G。其中KVR代表Kingston ValueRam系列，1066代表DDR3-1066即PC3-8500的内存规格，D3代表DDR3颗粒，N代表Non-ECC设计，7代表内存的CAS Latency参数，K2代表两条套装产品，而最后的2G则代表产品的容量。
内存颗粒采用了日本ELPIDA（尔必达）生产的J5308BASE-AC-E颗粒，目前市场上的DDR3大多数产品采用的是ELPIDA生产的颗粒。
DDR1、DDR2、DDR3三世同堂 |
从这张图上，可以从表面上看到DDR1、DDR2和DDR3的区别，最明显的金手指缺口位置有所不同，不用担心会插错内存。
和DDR2相比，DDR3金手指的缺口更靠近侧边 |
DDR3的实际设计规格图 |
◆ DDR3测试平台及说明
测试硬件平台 | |
| CPU | 英特尔Core2 Duo E6850(333*9MHz) |
| 主板 | 技嘉GA-P35C-DS3R |
| 显卡 | 丽台 PX8600GT TDH EXTREME |
| 硬盘 | 希捷7200.10 160G SATA |
| 内存 | Kingston KVR1066D3N7K2/2G DDR3-1066 1GB*2 |
| 电源 | AcBel ATX-607CA 607W |
测试软件平台 | |
| 操作系统 | Windows XP SP2 英文版 DirectX 9.0C |
| 测试软件 | CPU-Z 1.40 Super PI 1.5 MEMSET 3.3 Beta2 SiSoftware Sandra Lite 2007.5.11.35 PCMark05 Everest 4.00.1026Beta ScienceMark 2.0 WinRAR 3.62 Windows Media Encoder 9.00.00.2980 Quake4 1.41 Far Cry 1.40 |
为了测试DDR3内存在性能上有多大变化，我们使用了DDR2-1066的GEIL黑龙内存作为参照对象（关于GEIL黑龙内存的详细报道，请点击《金邦黑龙DDR2-1066超频测试》）。DDR3使用则是上面介绍的Kingston DDR3-1066内存。
为了更方便作对比，将E6850的外频降到266MHz（原为333MHz），这样是因为在主板BIOS除频中，用266MHz外频能很容易将内存设置在800MHz（2：3）和1066MHz（1：2）这两个标准的频率上。
主板选用的是技嘉P35C-DS3R，它同时支持DDR2和DDR3内存（四个DDR2内存插槽，二个DDR3内存插槽）。在同一块主板上作对比，这样可以将主板间的性能影响减小到0，更能最大化体现DDR3/DDR2间的差异。
虽然同时支持DDR2和DDR3，但同时插上DDR2和DDR3内存，主板是不能工作的（开不了机）。
EVEREST下Kingston DDR3内存的SPD信息 |
EVEREST下GEIL黑龙DDR2内存的SPD信息 |
通过EVERST读取的内存SPD信息，我们可以发现DDR3和DDR2的一些不同，在模组大小（Module Size）上，虽然都是1024MB，但DDR3起步为8banks（逻辑Bank），虽然DDR2也可以做到8banks，更多会用在高容量内存上，黑龙用的是4banks。
尤其要注意的，在内存模组特征（Memory Module Features）上，可以看到DDR3最新的设计，自动自刷新、温度感应和扩展温度范围（根据温度自刷新），这些设计在前面均有介绍的，目的是为了省电。
特别说明：
在此篇文章之前，很多媒体都对DDR3性能作过测试，但是有个问题，往往是不同频率的DDR2、DDR3对比，或同频率不同时序的对比，我们觉得这样不是很合理，只有在同频率同时序下的对比，才能客观反映DDR2和DDR3在性能上不同。这里的同时序不仅是指tCL-tRCD-tRP-tRAS这几项主要的参数，还包括在BIOS和MemSet软件里可控的各种时序参数。
我们选取 1066MHz/6-6-6-15 这样的频率和时序作为最基准的测试，关于其它各项时序参数如下：
DDR3-1066 6-6-6-15下的各参数设置 |
将DDR2-1066 6-6-6-15下的各参数设置成和上面一样 |
为了确保DDR2和DDR3各个时序参数保持一致，我们利用Memset软件，将DDR2的各个时序值设置成和DDR3的一样，这一步很重要。
除了1066MHz/6-6-6-15这个基准外，我们还测试了DDR2在1066MHz/5-5-5-12和800MHz/4-4-4-10这两种情况下的成绩，纵向来考察DDR3的能力。
DDR2-1066 5-5-5-12下的各时序参数设置 |
DDR2-800 4-4-4-10下的各时序参数设置 |
◆ DDR3：基本测试
在PCMark05内存性能测试中，同频度同时序下的DDR3和DDR2得分非常接近，DDR3稍弱0.4%，不过即便是DDR2-800/4-4-4-10也差不太多，当然低时序对成绩的影响也很大，比如DDR2-1066/5-5-5-12的成绩就比6-6-6-15要高出100多分。 |
Sandra SiSoft的成绩和PCMark05类似 |
在Everest Read的读取测试中，同频率同时序下的DDR3、DDR2成绩还是非常接近，但仍处于落后位置。而在写入测试，各项成绩基本相同。 |
ScienceMark测试中，同频率同时序DDR3、DDR2成绩也只相差26分，不过这次是DDR3领先了 |
◆ DDR3：应用测试
SuperPi 2M的测试成绩，相同条件下的DDR3要比DDR2快0.03秒…… |
在这个文件压缩测试中，DDR3以2%的差距不敌同条件下的DDR2 |
视频压缩测试中，DDR3领先对手6秒，即便是更低时序的DDR2-1066/5-5-5-12，也不如DDR3-1066/6-6-6-15，不过可以看出来，Media Encoder对内存时序不太敏感 |
◆ DDR3：游戏测试
在这两个游戏测试中，很难分辨出到底是DDR2-1066/6-6-6-15快还是DDR3-1066/6-6-6-15快，测试本身就有很大的浮动，内存微小的变化是很难放大表现出来的。
◆ DDR3：简单超频测试
我们在裸露的平台环境下，对DDR3内存作了简单的测试，在未对内存单独散热情况下，内存电压2.0V，Kingston这对DDR3内存可以稳定跑在1267MHz下。应该说这样的频率还是不错的，如果是高端系列的加装有散热片的DDR3，能有更高的提升频率。
华硕刚发布的P5K3 Premium/WiFi-AP主板（关于该主板详细规格请见本站报道：华硕发布P5K3 Premium）整合有2GB的DDR3-1333MHz内存，华硕保证整合的DDR3有足够能力超频到1600MHz，并且还是较低的延迟。从中我们能看到DDR3不俗的超频能力。
◆ DDR3：前程如花
如果单纯从测试的数据来分析，同样频率同样时序下的DDR3相比DDR2，性能非常接近，难分高低，完全不像其它媒体报道的那样DDR3性能明显不如DDR2（你拿DDR3-1066 7-7-7能比得过DDR2-1066 5-5-5吗？），但也仅是接近而已，性能上乏善可陈。不过正如我们在前面反复说的一样，DDR3的核心目的是提升内存带宽，并肩负着低功耗和高密度大容量的使命，对于纯性能上的改进很少。
DDR3作为新生产品，必然要经历逐渐成熟的过程，目前产能低，价格高，支持的芯片少等原因影响着DDR3的普通程度。当早期DDR3的频率（800MHz和1066MHz）与DDR2相交迭时，没有频率的优势，使很多用户及超频发烧友对DDR3内存失去了兴趣，更重要的，1GB*2的DDR3套装售价3999元，已经注定眼下的DDR3只能是一只金丝鸟。
DDR3低功耗的设计最适合笔记本和移动多媒体应用程序。当手机和移动设备增加多媒体应用程序时，抛开价格先不谈，DDR3就找到了它合适的位置。DDR3在初期或许更多地应用到移动IP TV、便携式流媒体播放器这些小型移动设备之中。
在第三季度，英特尔的高端芯片组X38将要上市，这才是真正的DDR3适用芯片组，据一些厂商透露，X38对DDR3的支持更加友好，更容易超频。X38的上市，必定刮起一轮DDR3热潮，而到时由于产能和出货量等原因，DDR3的价格会下降不少。尤其是在AMD发布支持DDR3内存的平台之后，这个步子会迈得更快。DDR3 1333MHz以上更高频率将点燃更多用户的兴趣。
尽管DDR3技术领先，功耗更低，但作为主流内存的时代仍然还要等待相当长时间，iSuppli预测在2008年DDR3会取得25%的市场份额，在2009年DDR3的市场份额到65%。不管这时间有多长，DDR3成为市场主流是不可逆转的，面对DDR3-2133MHz的诱惑，除了“前程如花”，我们还能用什么词来形容它呢。
