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      有来自台湾媒体DigiTimes的消息称,在三星公司宣布计划于中国内地设立12英寸晶圆工厂之后,海力士亦公开表示,其在中国无锡的工厂将由生产DRAM内存芯片转为生产NAND闪存芯片。

      消息称,由于现在固态硬盘、超薄型笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的兴起,容量为32Gb到128Gb(4GB到16GB)的NAND闪存在需求量上不断增加,这让目前多家NAND闪存芯片厂商之间的竞争变得更加剧烈。

      在三星宣布计划于中国内地设立12英寸晶圆工厂之后,这让众多的NAND闪存厂商的生产中心都放到了中国上。除了将无锡的工厂转为生产NAND闪存外,海力士还打算扩大工厂的生产规模,甚至可能设立一个新的12英寸晶圆生产工厂。

      据统计,目前海力士在NAND闪存市场上的份额已经远远落在的三星和东芝的后面,仅以微弱的差距击败美光科技。不过后者已经和英特尔达成协议,往后英特尔将采用美光的NAND闪存芯片打造自己的固态硬盘产品,海力士在NAND闪存上的道路并不平坦。

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