三星晶圆事业部副总Anna Hunte在演讲中感谢目前的二维晶体管工艺陪伴他们渡过了大部分专业生活，同时她宣布联盟成员将转换到FinFET晶体管工艺，也就是Intel马上量产的3D晶体管工艺。

　　他们将在14nm工艺阶段为客户提供FinFET产品，同时还会有全耗尽（Fully Depleted）型SOI工艺，FD-SOI工艺的特点是晶体管密度大增，而功耗更低。

　　目前应用的部分耗尽型（partially-depleted）SOI工艺的问题是，随着晶体管的减小，进一步为SOI绝缘层施加压力会降低收益，因为目前的PD-SOI已经对晶体管有一定的压力了，再度施加压力会破坏晶体管。这就是AMD之前声称将在28nm以及半代20nm工艺节点放弃SOI工艺改用bulk体积硅工艺的原因。

　　在未来，FinFET工艺阶段还会有芯片堆叠（chip stacking）技术辅助，如果后者进展顺利，很可能会重塑整个芯片制造体系。