据BSN报道，14nm-XM工艺具体名为XM PDK（eXtreme Mobility Process Development Kit，超级移动工艺开发套件），同样支持FinFET薄膜晶体管工艺，也就是我们常说的3D晶体管工艺。该工艺预期在2013年早些时候流片，2014年将在GF位于纽约Malta的Fab 8晶圆厂开始量产。
以往的工艺升级间隔为2年，14nm-XM工艺与2013年量产的20nm工艺间隔只有一年，这明显是针对Intel同期发布的14nm Broadwell处理器而来。
另外，该工艺将使用14nm的3D晶体管，并混合现有20nm工艺的部分特点。GF公司CTO Gregg Bartlett声称“我们研发FinFET工艺已经超过10年，因此对于引领FinFET工艺的早日量产我们非常自信，就像我们之前在HKMG工艺上的领先一样”。
GF称他们的14nm FinFET工艺的晶体管间距48nm，这与Intel的14nm 3D晶体管是一样的，其他方面的参数及功能也与Intel同期工艺相近或者是一致的，这意味着2014年的SOC芯片竞争会很有趣。
GF公司全球市场与销售部门的执行副总Mike Noonan表示“我们的目标是给用户带来与Intel一样的功耗和性能。”。GF的14nm-XM工艺虽然使用了14nm的FinFET晶体管，但是PDK工艺的风险与20nm工艺没有区别，换句话就是这代工艺有14nm工艺的优点，但是主要基础来源于20nm，用户的制程转换会很容易。
XM工艺优势：同样的电压下20-55%的性能提升
优势二：电池续航时间提升40-60%
游客 2015-11-28 23:43
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游客 2014-04-18 18:45
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超能网友博士 2012-09-22 02:00 | 加入黑名单
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游客 2012-09-21 20:33
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游客 2012-09-21 20:31
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游客 2012-09-21 18:24
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游客 2012-09-21 17:31
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游客 2012-09-21 15:44
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游客 2012-09-21 14:24
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游客 2012-09-21 14:24
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游客 2012-09-21 14:23
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游客 2012-09-21 13:56
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游客 2012-09-21 12:57
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游客 2012-09-21 12:24
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