新一届ISSCC固态电路国际会议将于2013年2月17-21日在美国旧金山举行，目前大会的论文提交工作已经收尾，三星、Intel、NVIDIA、AMD以及国内的龙芯都会亮相。如果你想关注明年的处理器技术走向，那么现在就来看看他们会展示什么技术吧。

　　Haswell--Project-Denver-at-ISSCC?pageNumber=1">EETime报道称包括Intel、NVIDIA在内的大部分厂商都只是发表论文而已，不过三星准备展示的是他们的big.LITTLE架构的处理器，big.LITTLE是ARM推出的，一个处理器内集成两种不同的ARM内核，一种是高性能同时功耗也较高的，另一个则是低性能但是功耗最低的，二者可以根据任务要求随时切换。

三星将是首家使用ARM big.LITTLE架构的厂商

　　big.LITTLE在ARM发布64位Cortex-A57和Cortex-A53时就有过介绍，不过三星展示的方案是基于Cortex-A15和Cortex-A7的，其中A15内核频率1.8Ghz，集成2MB L2缓存，A7内核频率为1.2GHz，功耗更低，使用的是28nm工艺。

　　林利集团分析师Kevin Krewell预计三星将是第一个拿出big.LITTLE方案的厂商，A7内核已经足够满足（智能手机）的任务要求，而A15内核只有在那些需要极高性能的场合从有用，比如大型游戏。

　　高通、NVIDIA等公司明年也会推出采用big.LITTLE设计的ARM处理器，他们将在平板电脑市场上与Intel的22nm Haswell低功耗处理器相竞争。

　　与过去的几年不同，Intel在明年的ISSCC会议上不准备发布处理器相关的论文，不过他们公布的是一种速度可达1Tbit/s的64通道芯片互联技术，使用了多重2-16Gbit/s通道，32nm COM工艺制造，每通道功耗为0.8-2.6pj/bit，总功耗为2.6W左右。

　　Intel发表这样的论文是为未来的X86及Atom服务器做准备，因为目前Samtec以及Ardent Concepts生产的Tbit/s级屏蔽双导馈电线功耗高达20W，已经不能满足未来的低功耗要求了。

　　于此同时，NVIDIA发表的论文则是有关20Gbit/s串行芯片互联技术，它使用28nm CMOS工艺制造，电压需要0.9V，功耗则为0.54pj/b，比Intel的还节能。据悉NVIDIA会在Project Denver中使用这一技术。

2011年的龙芯3B情况

　　国产的龙芯3B芯片也会再度出现在ISSCC 2013会议上，2011年的ISSCC会议上亮相的龙芯3B处理器使用的还是65nm CMOS工艺，明年展示的龙芯3B将升级32nm HKMG工艺，40W功耗下频率1.35GHz，性能可大172.8GFLOPS，而65nm工艺的龙芯3B在40W功耗下性能只有128GFLOPS，架构及制程工艺改进明显。

　　还有就是德仪，虽然他们即将退出手机处理器市场，不过公司还会继续研发其他处理器。他们将和MIT公布一款200MHz频率的视频解码器，每秒可处理249M像素，处理3480x2160分辨率视频时功耗只有76mW。

　　瑞萨电子则会公布一款28nm工艺的SOC芯片，双核1.5GHz，集成LTE/HSPA+基带、GPU核心以及功耗管理芯片等。

　　其他厂商中AMD还会继续发表他们的Jaguar架构的低功耗处理器，IBM及Oracle分别发表zSeries及Sparc T5处理器相关的论文，不过都不是什么最新的了，8月份的Hot Chips会议上已经有过介绍了。