近年来整个NAND市场因SSD及智能设备的快速发展而不断壮大，从2012年到2017年这五年间SSD销量将增长6倍，今年的NAND市场产值也将达到300亿美元，历史上第一次超过DRAM产产业。

　　从今年开始，世界主流NAND厂商陆续从上一代25nm工艺升级到了20nm工艺，下一代的NAND闪存会使用什么工艺呢？Techinsights公布了一份NAND工艺路线图，显示主要NAND厂商今年底会逐步升级到1xnm工艺，不同厂商则有18、16及15nm工艺的不同。

　　图中的ITRS（半导体国际技术路线图）并非一家公司，而是国际组织制定的、反应NAND整体工艺进展的路线图。从ITRS的路线图来看，业界在2012年的主流是20nm工艺阶段，今年的主流则是18nm，年底则会升级到16nm。

　　还是来看各个厂商的具体工艺路线图吧。美光、Intel合资的IMFT会在2013年Q3季度升级到18nm工艺，三星及SK Hynix升级新工艺的节点也在Q3季度，但是前者会升级到16nm工艺，SK Hynix则会升级到15nm。

　　东芝、SanDisk合资的NAND厂升级19nm比其他厂商要晚一些，不过升级到未来的1xnm工艺进度要比其他厂商快，今年Q2季度就会开始制程转换，只是现在还不知道东芝的1xnm工艺到底是多少。

　　虽然制程工艺在升级，MLC依然会是四大NAND厂商的主要选择，但是线宽的降低也给MLC带来更多的挑战，漏电流控制栅极都会导致可靠性进一步减少。低电压及低线宽（工艺越高线宽刻度越小）都会给MLC带来严重挑战。

　　为了进一步提高芯片密度，厂商们还准备将目前的2D工艺升级到3D工艺，这样可以在一个上硅芯片上布置2层电路，这就是常说的3D堆叠工艺。

　　期待在2013年晚些时候见到3D堆叠的NAND。