以东京电子、信越化工、瑞萨电子、日立以及美光科技在内的20多家日本以及美国企业已经组成MRAM技术研发联盟，联合开发MRAM技术，预计在明年2月份就会启动相关的技术研究项目。

　　MRAM的全称是Magnetic Random Access Memory，即磁阻式随机存取存储器，这是一种非易失性存储器，速度与DRAM不相上下，但功耗更低、容量更大，被视为下一代高速存储器的理想之选，适合用于固态硬盘、智能手机、平板电脑等设备上。

　　按照目前MRAM的发展进程，想要大规模投入使用MRAM，预计还得等到2018年，不过现在已经陆续有厂商推出MRAM产品，例如在本月中旬，美国Everspin技术公司就推出了ST-MRAM芯片，这种芯片存储速度是普通MLC芯片的500倍，已经达到了DRAM芯片的水平。

　　Buffalo Memory也在日前推出了SS6系列固态硬盘，该系列固态硬盘就配置了Everspin的DDR3 ST-MRAM芯片作为固态硬盘高速缓存。这种高速缓存采用WBGA封装设计，单颗容量为64Mb（8MB），最高频率为1600MHz，最高带宽为3.2GB/s，纳秒级延迟，从性能来说已经不输给DRAM芯片，而且由于断电不丢失数据，因此产品无需为缓存电路配置大容量电容或者是高级掉电保护技术。

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