对于下一代存储技术，人们不仅希望它速度更快，延迟更低，还希望它是是非易失性的，断电之后数据不损失。在众多后续标准中，MRAM（磁阻随机存取存储器）是最有希望胜出的，具备了上面提及的两个优点。在日本的高新技术博览会上，TDK公司首次展示了STT-MRAM技术制造出来的8Mb存储器，虽然容量很小，不过读写性能已经是闪存的7倍多了。

有关MRAM存储技术的背景可以参考我们之前的文章：下一代非易失性存储最强音，MRAM技术解析，Intel、IBM、三星、SK Hynix、高通等公司都在投入研发，不过日本公司在这个领域实力也很强大，除了东芝外，TDK也是重要的参与者，这次他们在日本Ceatec博览会上首次公开了MRAM晶圆，还有实际的性能演示。

TDK的MRAM技术基于STT（Spin-transfer torque，自旋钮转换），技术方案之前就有过了，不过TDK研究的是新方法，它以磁荷存储数据，通过STT效应命名数据状态，在写入数据时可以借此约束电子获得磁场强度变化。

从PCWORLD的报道来看，在展会现场TDK还做了STT MRAM与闪存的性能对比，左侧的是他们研发的STT MRAM平台，右侧的是NOR闪存，MRAM的性能是NOR闪存的7倍多。

目前MRAM技术依然在研发中，TDK通过旗下的Headway公司生产了8英寸的MRMA晶圆（第一张图所示）做测试用，不过Headway公司不具备大规模量产的能力，所以TDK以后还需要一家合作伙伴来帮他们生产MRAM。

在MRAM领域，TDK的主要对手是美国的Everspin公司，2年前他们也推出了ST MRAM芯片，而且是16Mb容量的，读写性能也非常惊人。

不过目前的MRAM技术都是镜中花水中月，理论优势很好，但是技术根本不成熟，而且自身也有天生劣势，距离实用还有很长一段距离的。