虽然在16nm FinFET工艺上落后于三星甚至Globalfoundries的14nm FinFET工艺,但TSMC研发新工艺的决心是不会变的,而且未来会缩短与Intel公司的工艺差距。16nm工艺之后就是10nm工艺了,TSMC已经在跟多个客户联合设计10nm产品了,预计2017年量产。
Guru3d网站日前在TSMC技术讨论会上跟TSMC负责基础设施建设的资深总监Suk Lee做了交流,双方谈到了TSMC公司的制程工艺进展。TSMC公司联席CEO、总裁Mark Liu(刘德音)提到16nm工艺之后10nm工艺会快速跟进,而Suk Lee也表示他们的10nm工艺正在进行当中,已经完成了超过35个使用ARM CPU核心的EDA工具的认证工作。
此外,他们在10nm工艺上提前6个月就跟用客户开始IP验证工艺了,目前已经有10家客户正在合作10nm产品了。TSMC将在2015年底前完成认证工作,正在与客户合作流片,以及2017年大规模量产。
10nm之后就是7nm了,Suk Lee表示不方便评论特定工艺,不过TSMC已经有团队在研发10nm之后的工艺了,预计7nm工艺会在2017-2019年期间才能问世。
巧合的是,Intel对10nm工艺的预计量产时间也是在2017年,如果顺利的话,TSMC届时就能跟Intel最新工艺同步了。Intel去年就量产了14nm工艺,早在2012的IVB处理器上就用了FinFET晶体管,而TSMC的16nm FinFET工艺预计今年下半年才量产。
游客 2015-04-10 01:20
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超能网友小学生 2015-04-09 16:46 | 加入黑名单
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超能网友终极杀人王 2015-04-09 10:44 | 加入黑名单
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游客 2015-04-08 19:08
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游客 2015-04-08 17:12
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游客 2015-04-08 15:52
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游客 2015-04-08 14:18
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游客 2015-04-08 13:41
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超能网友一代宗师 2015-04-08 13:32 | 加入黑名单
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游客 2015-04-08 12:50
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游客 2015-04-08 12:40
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游客 2015-04-08 12:28
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超能网友终极杀人王 2015-04-08 12:10 | 加入黑名单
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游客 2015-04-08 11:37
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超能网友一代宗师 2015-04-08 11:23 | 加入黑名单
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