东芝、闪迪今年底就要正式推出48层堆栈的BiCS 3D闪存,MLC核心容量可达128Gb,现在东芝又宣布了世界首款16核堆栈的NAND闪存,这两者别搞混了,前者的3D堆栈指的是闪存核心(die)内部的堆栈,现在的堆栈使用的是跟AMD的HBM显存一样的TSV工艺,是16个闪存核心的堆栈,目前的原型产品中封装容量最高256GB,I/O接口速度1Gbps,要比其他闪存更快,而耗电则低了50%。
东芝的16核堆栈NAND闪存
东芝发布的这款闪存是世界首款达到16核堆栈的NAND芯片,次一些的是8核堆栈,它们都使用了TSV(硅穿孔)技术,每个闪存核心容量是128Gb,因此NAND总容量分别是128GB、256GB,目前SSD中使用的单颗NAND闪存容量普遍在64GB,三星最近发布的2TB容量的850 Evo硬盘才达到了每颗NAND容量256GB的地步。
除了容量更高,东芝的堆栈式NAND闪存芯片的I/O接口速度也达到了1Gbps,性能超过了其他类型的闪存。功耗方面,其闪存核心电压为1.8V,I/O接口电压只有1.2V,东芝表示该闪存的功耗比目前的产品低了50%。
此外,东芝的堆栈式NAND封装面积也非常小,长宽分别是18、14毫米,8核堆栈的厚度是1.35毫米,16核堆栈的厚度则是1.9毫米。
东芝的8核、16核堆栈的NAND闪存规格
东芝目前发布的8/16核堆栈的NAND闪存还是原型,他们也没有说明到底何时能够量产,不过TSV工艺到目前为止还谈不上大规模应用,预计量产时间也不会很快,至少也也得明年了吧。
游客 2015-08-07 16:47
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游客 2015-08-07 12:25
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2015-08-07 12:20
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超能网友终极杀人王 2015-08-07 11:56 | 加入黑名单
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游客 2015-08-07 11:35
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游客 2015-08-07 11:35
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游客 2015-08-07 11:08
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游客 2015-08-07 10:54
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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我匿名了 2015-08-07 10:51
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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