受智能手机、平板市场影响,2015年全球半导体市场也遇冷了,TSMC也减少了30亿资本支出。对TSMC来说,上半年因为16nm工艺比三星14nm FinFET工艺来得晚而造成了被动,流失了高通这样的大客户,苹果订单也被三星分走不少,好在下半年16nm工艺已经开始出货了。吸取了这次的教训,TSMC对下一代10nm工艺的研发投入很大,该公司高管表示这个季度将冻结10nm工艺技术研发,明年春季则会开始试产10nm工艺。
TSMC联席CEO、总裁Mark Liu(刘德音)日前表示TSMC将在本季度冻结10nm工艺技术研发,也就是说他们的10nm工艺技术研发已经基本完成,不会再有大的修改了。研发冻结之后会开始技术性生产,明年春季也就是2016年春会向客户推出10nm工艺试产样品。
根据TSMC所说,其10nm工艺晶体管密度相比16nm FinFET+工艺提升了110%,可以制造出250亿晶体管的芯片,同样的功耗下性能可以提升20%,同样的性能下功耗则可以降低40%。
相比Intel在10nm工艺上的谨慎(2017年前都不会量产),三星、TSMC在10nm工艺上要比Intel激进多了,TSMC以及三星今年早些时候就展示过10nm工艺的晶圆了,两家都争抢着在2017年前甚至2016年底就量产10nm工艺,也就是说留给14/16nm FinFET工艺的时间也就是一年,进度比Intel还要快。
只不过从这两家过去的经历来看,他们对新工艺进度的评估实在是有点太乐观了,大家还是淡定吧。
游客 2015-11-05 03:11
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2015-11-04 20:08
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游客 2015-11-04 16:52
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游客 2015-11-04 14:41
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游客 2015-11-04 13:52
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我匿名了 2015-11-04 13:39
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2015-11-04 13:09
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游客 2015-11-04 12:42
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游客 2015-11-04 12:27
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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