作为曝光率最高的纳米技术之一,什么东西只要跟碳纳米管沾边马上就显得高大上了。日本富士通公司日前宣布与美国Mantero公司达成合作协议,双方将共同推进碳纳米管内存(NRAM)研发、制造,这种内存的速度号称是普通闪存的1000倍,预计2018年底正式推出产品,制程工艺是55nm的。
在纳米技术研究领域,碳纳米管(也叫富勒烯,简称CNT)是一种很独特的材料,直径只有人类头发的5万分之一,能导热导电,硬度是钢铁的50倍,话说小编学生时代就经常听到以碳纳米管为基础的各种高科技,包括各种神器的电池。在存储领域,碳纳米管通过硅基沉底也能实现0、1变化,因此也可以存储芯片,而且是非易失性的,断电也不会清除数据。
NRAM存储的优势
相比普通闪存,NRAM存储芯片的优势太多了,读写速度是普通闪存的1000倍(Nanteo官网上说是1000倍,图表上是100倍),同时功耗更低,可靠性、耐用性更强,成本更低。
Nantero这次与富士通合作,后者将把NRAM内存整合到自家芯片中,预计2018年底推出,制程工艺为55nm。
不过话说回来,NRAM还是新技术,Nantero公司从2006年就说生产碳纳米管内存了,但是一直没什么进展。即便是跟富士通达成合作了,量产的NRAM芯片还是256Mb(32MB)大小的,容量还是太小了,只适合一些嵌入式领域。
游客 2016-09-02 23:53
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超能网友终极杀人王 2016-09-02 18:35 | 加入黑名单
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2016-09-02 16:32
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游客 2016-09-02 15:05
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游客 2016-09-02 14:23
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游客 2016-09-02 13:29
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游客 2016-09-02 11:45
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游客 2016-09-02 11:31
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超能网友教授 2016-09-02 11:11 | 加入黑名单
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超能网友教授 2016-09-02 10:54 | 加入黑名单
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