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    中国的半导体制造工艺与海外先进工艺尚存两三代落差,国内公司能量产的还是28nm工艺,三星、TSMC及Intel今年都要推10nm工艺了,不仅是制程工艺代差,这其中还存在着FinFET技术差距。目前中芯国际等公司还在追赶14nm FinFET工艺,但是国内或许还有第二种技术路线——FD-SOI工艺。除了前不久落户成都的GlobalFoundries晶圆厂使用22nm FD-SOI工艺之外,上海的华力微电子在攻关28nm及14nm FinFET工艺之外,二期晶圆厂也有可能采用FD-SOI工艺。

    尽管FinFET与FD-SOI师出同门,因为这两种技术中前TSMC CTO胡正明教授都是发明人之一,不过它们在半导体厂商中的受追捧程度不同,FinFET鳍式晶体管技术成为TSMC台积电、三星、Intel、UMC联电及GlobalFoundries、中芯国际等厂商的主流选择,FD-SOI在晶圆厂中的接受度并不高,AMD从28nm也放弃了SOI工艺,主推该工艺的主要是IBM、ST意法等半导体公司,GlobalFoundries在收购IBM晶圆厂之后重新推FD-SOI工艺,成都工厂的22FDX工艺来源于此。

    FD-SOI与FinFET工艺的孰优孰劣很难一言而尽,尽管FinFET目前占据上风,但FD-SOI也有可取之处,特别是在低功耗方面,GlobalFoundries的22FDX工艺可以把电压做到0.4V,非常适合移动、IoT物联网芯片等低功耗,而且成本低廉,这也是GF没放弃FD-SOI工艺的原因。

    至于国内公司,在突围14nm FinFET工艺之外也没有放弃FD-SOI工艺,GF在成都建立FD-SOI工厂开了个好头,其他公司也可能会跟进FD-SOI工艺了。上海华力微电子(Shanghai Huali Microelectronics,简称HLMC)去年底宣布投资387亿元建设第二座12英寸晶圆厂,工艺路线是28nm、20nm及14nm FinFET,月产能4万片晶圆,预计2018年试产,2022年量产。

    来自digitimes的消息称,除了FinFET工艺之外,华力微电子公司也在考虑FD-SOI工艺的可能性,相对FinFET工艺它的成本更低廉,更适用于IoT物联网等芯片。

    华力微电子也不是国内首个计划采用FD-SOI工艺的半导体公司了,同样是位于上海的新傲科技2015年就开始生产8英寸SOI工艺了,使用的 是法国Soitec的Smart Cut技术。


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    • 超能网友教授 2017-02-20 09:52    |  加入黑名单

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      11#

    • 游客  2017-02-18 23:03

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      10#

    • 游客  2017-02-18 21:51

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      8#

    • 我匿名了  2017-02-18 21:10

      游客

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      2017-02-18 13:25
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      6#

    • 游客  2017-02-18 15:21

      超能网友 博士

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
      2017-02-18 11:40
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      5#

    • 游客  2017-02-18 13:25

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      4#

    • 超能网友大学生 2017-02-18 12:20    |  加入黑名单

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      3#

    • 超能网友博士 2017-02-18 11:40    |  加入黑名单

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      2#

    • 游客  2017-02-18 11:21

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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