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Intel 3D XPoint明年进军DIMM市场,这是要革DRAM内存的命?

2017-5-19 16:21  |  作者:bolvar   |  关键字:Intel,3D XPoint,DIMM,DRAM,内存

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对Intel来说,3D XPoint闪存不只是做SSD硬盘这么简单,它们还可以做成DIMM插槽产品,某种程度上替代内存——容量更大,价格又便宜,而且数据也不会丢失。

本文约1075字,需2分钟阅读

Intel的3D XPoint闪存今年总算杀向消费级、数据中心市场了,尽管现在的Optane傲腾硬盘在容量、性能等方面并没有达到Intel之前宣传过的千倍性能、千倍可靠性提升,但它确实在延迟、可靠性等指标上比现有NAND闪存有更好的表现,所以发展潜力还是巨大的,Intel之前也指出3D XPoing闪存将在2018年达到一个平衡点。对Intel来说,3D XPoint闪存不只是做SSD硬盘这么简单,它们还可以做成DIMM插槽产品,某种程度上替代内存——容量更大,价格又便宜,而且数据也不会丢失。

论性能,DRAM内存可以秒掉现在所有的NAND硬盘,不论延迟还是带宽都是SSD不可比的,但是内存的问题在于速度虽快,但是断电会损失数据,而且DRAM成本要比硬盘高多了。在现代的计算机中,特别是高性能运算市场,瓶颈并不是处理器运算能力,而是I/O,Intel形容目前的内存容量小、价格贵而且不稳定(断电会丢失数据)。

那应该怎么办呢?Intel的3D XPoint闪存可以解决这个问题,到了明年Intel将会正式推出DIMM插槽的3D XPoint产品,官方称之为Persistent memory(持久内存) ,Intel表示用它可以制造出容量更大、成本更低、数据更稳定的存储产品。官方的描述听上去更加激动人心——3D XPoint将可以帮助数据中心运营者、开发者跨越容量及性能上的历史性障碍,它将改变应用及系统的设计规则,扭转50多年来内存小、贵而且不稳定的传统思路。


Intel基于3D XPoint闪存的持久内存

这个听上去要革DRAM内存的DIMM硬盘(或者内存)是不是很牛?其实早在去年的演示中,Intel已经提过这些了。在3D XPoint闪存发布时,Intel就提到了它兼具DRAM和NAND的特性——性能接近前者,但又有NAND闪存那样断电不损失数据的特性,而且便宜多了,容量也更大,之前说过的更具体些——本只有DDR的一半,但容量可达DDR内存的4倍。


Intel早前介绍过3D XPoint闪存可以归类到Hot存储中

Intel的这个Persistent memory使用也是DIMM插槽,看上去跟DDR内存差不多,这种产品确实混淆了部分内存与硬盘的界限,兼具二者的优点。但是有一点要说的是,此前展示的DIMM插槽的3D XPoint闪存虽然可以跟DDR4内存混插,但是它还不能独立于内存启动,也就是说系统并不能放弃DDR内存独立运行。

但是它在容量、成本上确实比DRAM内存更有优势,别说在数据中心等服务器应用中大有前途,即便是消费级市场上,如果只配4-8内存做启动内存,然后再配上64GB甚至128GB的3D XPoint闪存做辅助,其性能依然要大大高于普通SATA/PCI-E硬盘,这听上去也很有吸引力啊!

不过Intel的3D XPoint闪存依然优先用于数据中心市场,这里说的Persistent memory明年要跟代号Cascade Lake的下一代Xeon处理器一起问世,消费级市场依然要等着,而且从傲腾硬盘的表现来看,真用于消费级市场了,初期价格也不会有优势,3D XPoint闪存要想普及任重道远啊!

对于这种能部分替代DRAM内存的产品,大家有没有兴趣呢?欢迎加小超哥(ID:9501417)微信,关注DIMM插槽型3D XPoint的玩家可以找他咨询。

 

    
  • 游客  05-21 14:32

    intel 別搞內存吧,想想當年的 RDRAM 害過不少人嚙。

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    30#

  • 
  • itck终极杀人王 05-20 12:38

    游客:

    不动脑子的编辑,人家说1000倍性能提升,说了是ssd形式的吗?如果ssd形式都有1000倍性能提升,让内存形式的怎么办?如果内存形式的更快,市场宣传干嘛要捡慢的说?看好dimm形式的,这个才是真正实力。ssd形式的,接口协议是瓶颈,不可能达到纳秒级的
    05-19 22:21
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  • 你意思是内存级别 1000倍?还断电不丢失数据?

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    29#

  • 
  • 游客  05-20 01:32

    游客:

    現在的DDR4-2400 read / write 速度是每秒 40GB~60GB (AIDA64 memory benchmark)
    3D XPoing 以現在可見的速度連5GB/s 都不到....
    取代行動裝置的 eMMC / UFS 2.1 / DRAM 還差不多
    05-19 17:39
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  • qwas982 初中生 :

    我设想的是,将逻辑电路和存储电路合二为一.就像终结者T800的CPU一样.没必要做成800mm²的巨型GPU,可以做成50mm²小XPU,按需求增加XPU数量,然后链接起来,每个逻辑单元旁边就是每个存储单元配套.这样,记忆体就能达到现在CPU寄存器的速度(每秒TB级),同时关机后也不会丢失数据.因为这样记忆体容量也不需要做得多大,缓存内存硬盘全部可以淘汰.要巨量存储需求可以使用移动存储.
    05-19 17:58
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  • 游客:

    同学,重修计算机组成与结构吧。
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  • 游客:

    尽信书不如无书
    05-19 22:50
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  • 瞎逼逼强于学习?

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    28#

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  • 游客  05-19 23:29

    游客:

    我觉得它最好把现有的内存和硬盘合二为一,开创存储产品的新纪元
    05-19 18:25
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  • 惠普的the machine不就是么

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    27#

  • 
  • 游客  05-19 23:25

    游客:

    現在的DDR4-2400 read / write 速度是每秒 40GB~60GB (AIDA64 memory benchmark)
    3D XPoing 以現在可見的速度連5GB/s 都不到....
    取代行動裝置的 eMMC / UFS 2.1 / DRAM 還差不多
    05-19 17:39
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  • qwas982 初中生 :

    我设想的是,将逻辑电路和存储电路合二为一.就像终结者T800的CPU一样.没必要做成800mm²的巨型GPU,可以做成50mm²小XPU,按需求增加XPU数量,然后链接起来,每个逻辑单元旁边就是每个存储单元配套.这样,记忆体就能达到现在CPU寄存器的速度(每秒TB级),同时关机后也不会丢失数据.因为这样记忆体容量也不需要做得多大,缓存内存硬盘全部可以淘汰.要巨量存储需求可以使用移动存储.
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  • 忆阻器计算机么?!

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    26#

  • 
  • 游客  05-19 22:50

    游客:

    現在的DDR4-2400 read / write 速度是每秒 40GB~60GB (AIDA64 memory benchmark)
    3D XPoing 以現在可見的速度連5GB/s 都不到....
    取代行動裝置的 eMMC / UFS 2.1 / DRAM 還差不多
    05-19 17:39
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  • qwas982 初中生 :

    我设想的是,将逻辑电路和存储电路合二为一.就像终结者T800的CPU一样.没必要做成800mm²的巨型GPU,可以做成50mm²小XPU,按需求增加XPU数量,然后链接起来,每个逻辑单元旁边就是每个存储单元配套.这样,记忆体就能达到现在CPU寄存器的速度(每秒TB级),同时关机后也不会丢失数据.因为这样记忆体容量也不需要做得多大,缓存内存硬盘全部可以淘汰.要巨量存储需求可以使用移动存储.
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    同学,重修计算机组成与结构吧。
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  • 尽信书不如无书

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    24#

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  • 游客  05-19 22:44

    游客:

    現在的DDR4-2400 read / write 速度是每秒 40GB~60GB (AIDA64 memory benchmark)
    3D XPoing 以現在可見的速度連5GB/s 都不到....
    取代行動裝置的 eMMC / UFS 2.1 / DRAM 還差不多
    05-19 17:39
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  • qwas982 初中生 :

    我设想的是,将逻辑电路和存储电路合二为一.就像终结者T800的CPU一样.没必要做成800mm²的巨型GPU,可以做成50mm²小XPU,按需求增加XPU数量,然后链接起来,每个逻辑单元旁边就是每个存储单元配套.这样,记忆体就能达到现在CPU寄存器的速度(每秒TB级),同时关机后也不会丢失数据.因为这样记忆体容量也不需要做得多大,缓存内存硬盘全部可以淘汰.要巨量存储需求可以使用移动存储.
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    同学,重修计算机组成与结构吧。
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  • 创新就是需要开拓精神和想象力。如果发展比较理想,会实现的。

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    23#

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  • 游客  05-19 22:21

    不动脑子的编辑,人家说1000倍性能提升,说了是ssd形式的吗?如果ssd形式都有1000倍性能提升,让内存形式的怎么办?如果内存形式的更快,市场宣传干嘛要捡慢的说?看好dimm形式的,这个才是真正实力。ssd形式的,接口协议是瓶颈,不可能达到纳秒级的

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    22#

  • 
  • 游客  05-19 21:23

    游客:

    本来只有辣鸡软件后台驻留抢占内存,现在连辣鸡软件的临时文件也要来掺一脚了
    05-19 19:06 已有1次举报
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    21#

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  • 游客  05-19 19:06

    本来只有辣鸡软件后台驻留抢占内存,现在连辣鸡软件的临时文件也要来掺一脚了

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    20#

  • 
  • 游客  05-19 18:27

    游客:

    現在的DDR4-2400 read / write 速度是每秒 40GB~60GB (AIDA64 memory benchmark)
    3D XPoing 以現在可見的速度連5GB/s 都不到....
    取代行動裝置的 eMMC / UFS 2.1 / DRAM 還差不多
    05-19 17:39
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  • qwas982 初中生 :

    我设想的是,将逻辑电路和存储电路合二为一.就像终结者T800的CPU一样.没必要做成800mm²的巨型GPU,可以做成50mm²小XPU,按需求增加XPU数量,然后链接起来,每个逻辑单元旁边就是每个存储单元配套.这样,记忆体就能达到现在CPU寄存器的速度(每秒TB级),同时关机后也不会丢失数据.因为这样记忆体容量也不需要做得多大,缓存内存硬盘全部可以淘汰.要巨量存储需求可以使用移动存储.
    05-19 17:58
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  • 同学,重修计算机组成与结构吧。

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    19#

  • 
  • 游客  05-19 18:25

    我觉得它最好把现有的内存和硬盘合二为一,开创存储产品的新纪元

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    18#

  • 
  • bolvar管理员 05-19 18:25

    游客:

    @小编,这个Intel 3D XPoing是什么?
    05-19 18:05
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  • 汗,手抖打错了不少,多谢指正。

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    17#

  • 
  • 游客  05-19 18:05

    @小编,这个Intel 3D XPoing是什么?

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    16#

  • 
  • qwas982初中生 05-19 17:58

    游客:

    現在的DDR4-2400 read / write 速度是每秒 40GB~60GB (AIDA64 memory benchmark)
    3D XPoing 以現在可見的速度連5GB/s 都不到....
    取代行動裝置的 eMMC / UFS 2.1 / DRAM 還差不多
    05-19 17:39
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  • 我设想的是,将逻辑电路和存储电路合二为一.就像终结者T800的CPU一样.没必要做成800mm²的巨型GPU,可以做成50mm²小XPU,按需求增加XPU数量,然后链接起来,每个逻辑单元旁边就是每个存储单元配套.这样,记忆体就能达到现在CPU寄存器的速度(每秒TB级),同时关机后也不会丢失数据.因为这样记忆体容量也不需要做得多大,缓存内存硬盘全部可以淘汰.要巨量存储需求可以使用移动存储.

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    15#

  • 
  • 游客  05-19 17:54

    游客:

    現在的DDR4-2400 read / write 速度是每秒 40GB~60GB (AIDA64 memory benchmark)
    3D XPoing 以現在可見的速度連5GB/s 都不到....
    取代行動裝置的 eMMC / UFS 2.1 / DRAM 還差不多
    05-19 17:39
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  • 请注意对比双方的通道数

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    14#

  • 
  • 游客  05-19 17:49

    cjrcl 大学生 :

    话说席大大也上了这条船。。。
    05-19 17:34 已有1次举报
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  • 习尐尐

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    13#

  • 
  • cjrcl大学生 05-19 17:44

    cjrcl 大学生 :

    用着用着就wear掉了的东西用起来放心吗,SSD我就忍了,DIMM这么大吞吐量的敢用吗?用一次ANSYS或MATLAB不知道要写多少TB的数据。。。

    感觉整个非易失性存储就是厂商挖的坑,为了解决半导体产能过剩。一开始的U盘还算正道,后来就走歪了。期待HAMR。
    05-19 17:32 已有1次举报
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  • bolvar 管理员 :

    3DXPoint闪存一个特性就是高可靠性,Intel早前说是NAND的1000倍,不过现在离这个水平很远很远。
    05-19 17:37 已有1次举报
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  • 就算打到1000倍可靠性,计算中心数据中心的给内存的负载相比给SSD的负载可不止1000倍吧。

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    12#

  • 
  • 游客  05-19 17:39

    現在的DDR4-2400 read / write 速度是每秒 40GB~60GB (AIDA64 memory benchmark)
    3D XPoing 以現在可見的速度連5GB/s 都不到....
    取代行動裝置的 eMMC / UFS 2.1 / DRAM 還差不多

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    11#

  • 
  • bolvar管理员 05-19 17:37

    cjrcl 大学生 :

    用着用着就wear掉了的东西用起来放心吗,SSD我就忍了,DIMM这么大吞吐量的敢用吗?用一次ANSYS或MATLAB不知道要写多少TB的数据。。。

    感觉整个非易失性存储就是厂商挖的坑,为了解决半导体产能过剩。一开始的U盘还算正道,后来就走歪了。期待HAMR。
    05-19 17:32 已有1次举报
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  • 3DXPoint闪存一个特性就是高可靠性,Intel早前说是NAND的1000倍,不过现在离这个水平很远很远。

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    10#

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