三星电子半导体事业部今天在美国圣克拉拉举行三星代工论坛上，公布三星最新未来几年的工艺制程路线图，8、7、6、5、4nmFinFET工艺全都上场了，到了2020年左右，三星将会把硅半导体工艺推进到了4nm的极限值，同时将会发展FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺。这个蓝图真的是描绘得雄心壮志，三星将要引领半导体行业？
根据三星官方发布的新闻稿我们可以了解到的情况：
8nm Low Power Plus：称之为使用EUV（极紫外光刻）技术之前最具竞争力的工艺，这个工艺是基于目前的10nm改而来，8nm LPP工艺可以提供更好的性能表现以及更高逻辑门密度，由于技术难度较小加之是改进型工艺，今年年底将会率先试产。
7nm Low Power Plus：该工艺可以说是有了翻天覆地的变化，终于用上了EUV技术（意味着EUV技术将同时成熟）。在这个节点上，三星将会与全球唯一能生产EUV光刻机的ASML公司保持紧密合作，采购的EUV光刻机将会同时到位进行生产。在启用EUV技术节点上，三星和持保守态度的Intel一样，都是选择了7nm，今后所有的工艺都需要用上EUV技术才能生产，而研发、试产日程已经被三星提前至2018年。
6nm Low Power Plus：时间到了2019年，三星将会使用自己的解决方案，在7nm工艺上继续改进，获得更低功耗的芯片。
5nm Low Power Plus：三星计划在2019年快步小走，继续将工艺推进至5nm水平，将会进一步扩展FinFET的物理尺度结构，同时兼顾低功耗表现。
4nm Low Power Plus：将会是另一个转接点，将会采用全新的Multi Bridge Channel FET结构（简称MBCFET，多沟道场效应管），MBCFET是三星开发的专属技术，独特GAAFET(逻辑门环绕场效应晶体管)技术，使用二维纳米片晶克服物理扩展以及FinFET架构性能的局限性。这个历史性转变将会在2020年实现，也就是说我们目前主流的14nm工艺将会在不到3年时间缩减至4nm水平，科技真让人着迷。
FinFET和FD-SOI就像是孪生兄弟，FinFET是老大，永远领先一步，而FD-SOI则是像一个不紧不慢的弟弟，紧跟着时代的步伐。三星没有厚此薄彼，FD-SOI在其手上还是有很大发展空间。
2016年就实现了28nm FD-SOI工艺，而今年将会使用该工艺应用在射频芯片上，例如说是GPS芯片，因为FD-SOI在制造射频芯片、磁性随机存储芯片上有得天独厚的优势，2018年将会用在三星自行研发的eMRAM上，2019年则会将工艺提升至18nm水平，2020年应用到RF、eMRAM芯片上。
总的来说，三星的“饼”画得非常大，工艺推进速度远超我们认知的水平，而且三星半导体市场总监Kelvin Low表示，这个蓝图并不是天马行空，而且三星确确实实能在预期的时间点上实现。
小编表示，三星有钱真好，先不说ASML每台EUV光刻机售价超过一亿美元，单单是ASML每年仅仅能生产12台EUV光刻机的速度就能让大部分的半导体企业歇菜，而三星早就一年前买下了第一台EUV机器，而且今年的ASML生产线已经满负荷运作，其他半导体企业有钱想买也只能等来年，而且还要经历安装调试长达1年的产线建设期，三星可谓是抢占先机。
游客 2017-05-27 02:54
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游客 2017-05-27 02:52
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游客 2017-05-27 00:56
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超能网友博士 2017-05-25 18:56 | 加入黑名单
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游客 2017-05-25 18:15
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游客 2017-05-25 18:09
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游客 2017-05-25 17:34
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我匿名了 2017-05-25 16:22
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游客 2017-05-25 14:56
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游客 2017-05-25 14:13
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超能网友终极杀人王 2017-05-25 12:51 | 加入黑名单
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超能网友教授 2017-05-25 12:16 | 加入黑名单
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游客 2017-05-25 12:09
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游客 2017-05-25 11:43
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