三星今天宣布他们已经开始量产全球首款512GB嵌入式通用闪存（eUFS），新的64层V-NAND闪存将用于即将推出的旗舰手机和平板电脑，考虑到下个月就是CES 2018，三星有可能在下个月会展出搭载该款V-NAND闪存的相关设备。
三星全新的512GB UFS闪存将8个64层512Gb V-NAND芯片和一个UFS控制芯片通过堆叠形式封装在一起，在体积上和以前的48层V-NAND 256GB芯片一样，但存储空间翻倍。为了最大限度发挥512GB eUFS的性能和效率，三星还应用了一套全新的技术，其先进的电路设计和新的电源管理技术还能将功耗降低，512GB eUFS控制器还加快了将逻辑块地址转换为物理地址的映射过程。
接下来还是看看三星给出的数据吧，512GB eUFS的顺序读写速度分别达到了860MB/s和255MB/s，随机读取42000IOPS，写入40000IOPS，这样的表现确实比Galaxy S8上的UFS 2.1要好一些。最后三星还表示他们将扩大64层512Gb V-NAND芯片和256Gb-VNAND芯片的产能，并将其用于SSD产品上。
至于什么时候有传输速度达到2400MB/s的UFS 3.0，只能很遗憾的告诉你最快也要明年初才能看到完整协议，应用到实际产品上起码还要等一年，所以整个2018年估计都会是UFS 2.1的天下，像三星这种UFS闪存供应商也只能默默将容量做大。
游客 2017-12-07 11:16
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超能网友教授 2017-12-07 10:04 | 加入黑名单
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游客 2017-12-06 17:23
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游客 2017-12-06 16:32
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游客 2017-12-06 13:31
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游客 2017-12-06 11:58
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游客 2017-12-06 10:33
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游客 2017-12-06 10:30
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游客 2017-12-06 10:16
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游客 2017-12-06 09:56
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游客 2017-12-06 09:03
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游客 2017-12-06 09:03
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游客 2017-12-06 08:47
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游客 2017-12-06 02:58
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游客 2017-12-06 00:36
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游客 2017-12-05 23:39
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游客 2017-12-05 22:40
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游客 2017-12-05 22:18
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