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3D NAND未来线路图,到了2021年我们将用上140层堆叠的闪存

2018-5-15 09:56  |  作者:Strike   |  关键字:3D NAND,3D堆叠,3D闪存

​在正在举行的国际存储研讨会2018(IMW 2018)上,应用材料公司Sean Kang介绍了未来几年3D-NAND的发展线路图,到了2021年,3D-NAND的堆叠层数会超过140层,而且每一层的厚度会不断的变薄。

本文约555字,需1分钟阅读

在正在举行的国际存储研讨会2018(IMW 2018)上,应用材料公司Sean Kang介绍了未来几年3D-NAND的发展线路图,到了2021年,3D-NAND的堆叠层数会超过140层,而且每一层的厚度会不断的变薄。

身在日本的PC Watch前往了本次会议的研讨会,自3D-NAND诞生以来它的堆叠层数就在不断的增长,三星造出来的第一代3D V-NAND只有24层,下一代就变成了32层,随后就变成48层,到了现在大多数厂商都是64层,而SK海力士则是72层,而下一代的3D-NAND堆叠层数将超过90层,再下一个阶段会超过120层,到了2021年会超过140层。

而闪存的Die Size也随着堆叠层数的增长而增长,在32层时代的时候是128Gbit,48层时256Gbit,64/72层是512Gbit,明年的96层闪存应该会达到768Gbit,128层应该会有1024Gbit的Die Size,达到144层时就不清楚会有多大了,肯定会大于等于1024Gbit。

在堆叠层数增加的时候,存储堆栈的高度也在增大,然而每层的厚度缺在缩小,以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm,层厚度大约70nm,48层的闪存堆栈厚度为3.5μm,层厚度减少到62nm,现在的64/72层闪存堆栈厚度大约4.5μm,每层厚度减少到60nm,没升级一次堆栈厚度都会变成原来的1.8倍,而层厚度会变成0.86倍。

现在各家厂商都在3D NAND上加大力度研发,尽可能提升自己闪存的存储密度,此前东芝与西数就宣布计划在今年内大规模生产96层堆叠的BiCS4芯片,并会在年底前发货。

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  • 游客  05-15 11:05

    这个厚度也不能无限缩小啊,否则就跟NAND闪存用越先进的工艺寿命越低一样,绝缘层太薄导致电子容易迁移。

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    5#

  • 
  • mulair研究生 05-15 10:46

    Adonis 研究生 :

    照这情形发展下去,以后买个几TB的固态硬盘当机械硬盘用,机械硬盘得下岗了。
    05-15 10:19
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  • 真的是啊,虽然进程很慢,但是感觉最终就会是这样的,固态取代机械大势所趋。

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    3#

  • 
  • Adonis研究生 05-15 10:19

    照这情形发展下去,以后买个几TB的固态硬盘当机械硬盘用,机械硬盘得下岗了。

    支持(0)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

    2#

  • 
  • Titan20包邮研究生 05-15 10:08

    问个问题,每一层的厚度降低之后,寿命是不是也会降低?

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    1#

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