今日三星在官网宣布量产10nm级别工艺内存颗粒的SO-DIMM规格DDR4内存，单条最大32GB，频率最高可达2666MHz，同时运行功耗将可以下降39%之多。

以往在SO-DIMM上实现32GB内存十分费劲，比方说之前的芝奇推出的Ripjaws  3800MHz DDR4内存就是用的三星高端B-die 内存颗粒，但是需要用到四条8GB才能组成总容量32GB。而这一次三星依靠在存储颗粒上的优势，量产出10nm级别单颗粒16Gb（2GB）的内存IC（当然了，这个10nm是三星自己的统称，可能是1xnm，但到不了10nm），最后可以制作出单条32GB的SO-DIMM内存。而且频率进一步提升至2666MHz水平，刚好与现在的高端第八代酷睿处理器相匹配，同时得益于先进纳米工艺的更低漏电率，其功耗从7.4W下降至4.5W，幅度达到39%之多，这个也为增加笔记本续航时间+1s。

三星表示，推出高容量高规格的SO-DIMM规格内存可以帮助笔记本厂商组建性能更强游戏笔记本，同时自身还会进一步扩展10nm工艺在存储领域的利用，未来还将会推出10nm级别的LPDDR4、GDDR5、DDR4内存颗粒。