在FMS国际闪存会议上，长江存储公开了新型3D NAND闪存结构Xtacking，该技术将为3D NAND闪存带来将近DDR4内存水平的I/O接口速度，同时具有业界领先的存储密度。

Xtacking可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，而存储单元则在另一片晶圆上被独立加工，也就是说长江存储打算在用不同的工艺在两块晶圆上生产NAND的阵列电路与NAND的逻辑电路，这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

在传统3D NAND中，外围电路会占据芯片面积的20~30%，这样降低了芯片的存储密度，堆叠层数的增加。到128层或者更高时，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上，长江存储的Xtacking技术将外围电路和存储单元安置在不同的晶圆不同的层上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。

此外Xtacking技术可以充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。

长江存储CEO杨士宁博士表示Xtacking技术有望把闪存的I/O速度到3.0Gbps，与DDR4的I/O速度相当，而目前世界上最快的3D NAND I/O速度也不过1.4Gbps，实际上大多数都只能达到1Gbps甚至更低，Xtacking技术对NAND行业来说是颠覆性的。

长江存储已经把Xtacking技术应用到第二代3D NAND产品的开发上，预计2019年可以进入量产阶段。