美光量产12Gb LPDDR4X内存:4266Mbps频率、功耗降低10%

2018-11-9 10:14  |  作者:孟宪瑞   |  关键字:美光,LPDDR4X,12Gb,内存,手机内存

美光公司今天宣布大规模量产12Gb核心容量的LPDDR4X内存,使用了1Y nm工艺(10nm级别的)生产,频率可达4266Mbps,同时功耗降低了10%。

2018年的智能手机存储容量越来越大,闪存基本上是64GB起了,128GB已经是主流,内存芯片普遍是6GB起,高端的上了8GB甚至10GB。想要内存容量再上一个台阶,除了期待降价之外,还有赖于大容量LPDDR4内存的量产。美光公司今天宣布大规模量产12Gb核心容量的LPDDR4X内存,使用了1Y nm工艺(10nm级别的)生产,频率可达4266Mbps,同时功耗降低了10%,明年的智能手机可以上12GB内存了。

美光表示其12Gb LPPDR4X颗粒是目前业界容量最高的,速度也是最快的——速度快倒是真的,不过美光的12Gb LPDDR4X内存并不是容量最大的了,三星早在4月份就宣布了16Gb核心容量的LPDDR4X内存了,频率同样是4266Mbps。

12Gb颗粒意味着单核心就有1.5GB容量,4核心就有6GB内存容量,8核心则是12GB内存了,明年差不多就会有12GB内存的高端智能手机了。

除了频率高达4266Mbps之外,美光表示其LPDDR4X内存还有能耗上的优势,功耗降低了10%。

美光的12Gb LPDDR4X内存使用了1Y nm工艺,官方表示是10nm级别的,这种说法经常会误导一些媒体同行,以为是10nm工艺的,它其实是1X nm之后第二代10nm级工艺,1X nm大概是16-19nm,1Y应该是14-16nm工艺,之所以这么模糊是因为20nm节点之后DRAM工艺也面临各种困难,线宽指标没有明确的数值了,所以用XYZ代替,在这之后还有1α及1β工艺。



查看全部评论(5)

回复