SK海力士宣布，已成功开发出全球首款集成HKMG工艺的LPDDR5X内存，采用1αnm工艺制造，最近刚刚推向市场。SK海力士表示，相比上一代产品，该款LPDDR5X降低了25%的功耗，并在JEDEC设定的1.01V至1.12V超低电压范围内运行。
相比于常规的DRAM，低功耗是LPDDR5X最有竞争力的特性之一，这是由于移动设备功率有限，因此有必要尽可能地延长使用的时间，这就是降低功耗与提高运行速度同样重要的原因。SK海力士利用HKMG工艺，既提高了性能，又降低了功耗，可谓是一石二鸟，实现了积极的扩展和高效率。
随着低功耗LPDDR5X的引入，移动设备充电一次就可以使用更长的时间了。同时这次SK海力士的LPDDR5X数据传输速率提高到了8533 MT/s，比前代产品快了33%，以提高包括5G通信性能、汽车高分辨率增强现实/虚拟现实和使用AI的边缘计算等应用场景的内存性能。
近年来，SK海力士在移动DRAM上紧跟市场趋势，研发投入相当大。去年SK海力士就量产了18GB的LPDDR5，这也是目前业界同类产品中最大的容量。随着这次集成HKMG工艺的LPDDR5X的推出，以更少的电力消耗提供了更快的速度，SK海力士进一步巩固了其在内存半导体领域的领导地位。
lyahehehehe教授 2022-11-12 00:41 | 加入黑名单
HKMG在逻辑芯片上都快量产了20年了，终于普及到内存上了。
支持(0) | 反对(0) | 举报 | 回复
2#
QQ23870862终极杀人王 2022-11-11 00:05 | 加入黑名单
这才是电子产品的方向！
已有4次举报支持(0) | 反对(0) | 举报 | 回复
1#
提示：本页有 2 个评论因未通过审核而被隐藏