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    三星在2022年6月量产了SF3E(3nm GAA),引入全新的GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。今年三星计划带来名为SF3(3GAP)的第二代3nm工艺技术,将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)”,在原有的SF3E基础上做进一步的优化,之后还会有性能增强型的SF3P(3GAP+),更适合制造高性能芯片。

    据相关媒体报道,三星已开始采用第二代3nm工艺进行芯片的试产,还会测试芯片的性能和可靠性,目标是为了六个月内将良品率提升至60%以上,下半年能实现量产。对于三星和整个行业来说,这都是一件大事。凭借SF3,三星希望2024年有机会与台积电(TSMC)的先进工艺展开竞争。

    有消息称,三星计划将SF3首先用于一款可穿戴设备所使用的芯片上,或许是Galaxy Watch 7所搭载的芯片。此外,三星还计划在明年Galaxy S25系列智能手机所采用的Exynos 2500上,采用SF3制造。在三星看来,新的SF3可以使用不同宽度的MBCFET器件,从而提供了更大的设计灵活性。

    目前三星还在改进其4nm工艺,除了投产的SF4P(4LPP+),还计划推出用于高性能CPU和GPU的SF4X(4HPC),不过届时台积电也会带来名为N3P的增强型3nm工艺。

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