江波龙官宣首颗自研2D MLC NAND闪存：构建完整的存储芯片垂直整合能力

江波龙宣布，继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产后，首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日问世。其采用了BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，有望应用于eMMC、SSD等产品上，为江波龙存储产品组合带来更多可能性。

江波龙近年来加大了对存储芯片的自主研发投入，引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才，除了精通闪存芯片的设计技术，还对于流片工艺制程、产品生产过程有着深入了解。在此基础上，江波龙可根据特定需求设计出不同容量和接口的闪存芯片，为客户提供定制化服务。

在产品测试方面，江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路，配合其自主开发的测试平台，实现了高效的生产测试，以确保交付客户的闪存芯片具有高度的一致性和可靠性。目前江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。

此外，江波龙已构建起存储芯片完整的垂直整合能力，包括芯片设计、产品化和生产测试。其中元成苏州已在国内率先实现了多款NAND Flash、DRAM、MCP产品的量产，智忆巴西（Zilia）则使江波龙能够更好地聚焦自身主业的海外市场开拓。