美光2024年及2025年大部分HBM产能已被预订，制造需要消耗更多晶圆

美光目前在高带宽存储器（HBM）市场处于相对劣势，但随着手握英伟达的供应协议，供应用于H200的HBM3E，凭借工艺上的优势，情况看起来正在迅速发生变化。美光正磨拳擦掌，大有大规模抢夺HBM市场的态势。

近日美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在2024财年第二财季财报会议上表示，美光2024年的HBM产能已经售罄，2025年大部分产能的供应也已经分配完毕，预计HBM产品的出货占比将在明年大幅度攀升。2024财年美光将从HBM产品上获得数亿美元的收益，从2024财年第三财季开始，HBM产品收入将增加并提高整体毛利率。

由于需要更多地制造HBM，极大影响了美光其他DRAM的产能，限制了普通内存产品的供应。Sanjay Mehrotra坦承，在同一制程节点生产同等容量下，HBM3E的晶圆消耗量是标准DDR5的三倍，随着性能及封装复杂程度的提高，未来HBM4的消耗量会更大。

这一定程度上与HBM的良品率更低有关，由于需要多层DRAM通过TSV堆叠，只要其中一层出现问题，就意味着整个堆栈报废。现阶段HBM的良品率也就在60%到70%之间，明显低于普通的DRAM产品。

不只是美光，此前SK海力士和三星都已表示，在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的巨大需求推动下下，2024年的HBM产能已经排满。