明年HBM产品或涨价5~10%，占DRAM总产值超过30%

近年来高带宽内存（HBM）的需求急剧上升，尤其是人工智能（AI）热潮的到来，让这一趋势愈加明显，HBM产品的销量节节攀升，价格也是水涨船高。即便各个存储器供应商不断提升HBM的产能，仍然难以满足市场的需求，传闻SK海力士和美光至2025年底之前的HBM产能已经售罄。

市场研究分析机构TrendForce发布了新的调查报告，称得益于比传统DRAM高出数倍的价格（约为DDR5的五倍），加上人工智能芯片的迭代需求，推动了2023年至2025年HBM产能的提升。2023年和2024年HBM分别占DRAM产能的2%和5%，到了2025年将提高至10%以上。产值方面，2024年占DRAM总产值超过20%，2025年可能提高至30%以上。

各个存储器供应商今年第二季度开始，已经针对2025年的HBM产品进行议价，不过受制于DRAM产能，为避免产能排挤效应，初步涨价5~10%，覆盖了HBM2E、HBM3和HBM3E。提前议价的原因有三点分，分别为：一、买方对人工智能需求充满信心，愿意接受涨价；二、HBM3E良品率仅为40~60%，还有待提升，买方希望稳定货源；三、不同供应商因供应能力问题，导致平均销售单价出现差异，从而影响获利。

现阶段HBM产品大规模转向HBM3E，且会有更多12层堆叠芯片出现，带动了HBM容量提升，预计2024年的HBM需求位元年成长率接近200%，到2025年有可能再翻倍。