“DRAM之父”Robert Dennard去世，享年91岁

电子和计算机工程的先驱Robert Dennard已于2024年4月23日去世，享年91岁。其凭借对DRAM（动态随机存取存储器）的杰出贡献而广为人知，被誉为“DRAM之父”。Robert Dennard的发明，使数十亿的智能手机、电脑和其他消费电子产品成为可能。

Robert Dennard于1932年9月5日出生在美国德克萨斯州的特雷尔，在一个没有通电的农场长大。由于在圆号演奏方面的天赋，让Robert Dennard赢得了达拉斯南方卫理公会大学的奖学金，在那里获得了电机工程学士，并于1956年取得了硕士学位。随后Robert Dennard进入卡内基技术学院（卡内基梅隆大学的前身）攻读电气工程博士学位，于1958年获得了博士学位。毕业后，进入IBM工作，担任研究员，在那里度过了漫长而传奇的职业生涯。

在上世纪60年代，集成电路是一种令人兴奋的新鲜事物，而业界的主要焦点是推进计算机内存和逻辑，Robert Dennard投身到研究MOSFET的设计和应用当中。Robert Dennard与团队成员在1964年开发了一种替代系统，只需6个MOS晶体管就可以存储1bit信息，不过对于这样的设计仍然觉得过于复杂且缓慢。后来Robert Dennard在脑海里闪出了新的想法，彻底改变了计算机行业，经过不懈努力终于在1968年发明了DRAM，并获得了专利。

Robert Dennard并没有止步于此，1972年又带来了新的理论，使得电子设备变得更小、更快、更高效，后来这一理论被称为“MOSFET微缩方程式”，即登纳德缩放比例定律，对摩尔定律进行了补充。因此Robert Dennard获得了众多奖项，包括在2019年由IEEE（电气与电子工程师协会）授予了罗伯特·N·诺伊斯奖（Robert N. Noyce Medal），这也是半导体行业的最高荣誉。

Robert Dennard的追悼会定于美国东部时间2024年6月7日下午1点举行，地点位于纽约州约克城高地。